【正文】 精制三氯氫硅儲(chǔ)罐01V0 70 5C精制三氯氫硅儲(chǔ)罐01V0 70 5B精制三氯氫硅儲(chǔ)罐01V0 70 5A工業(yè)級(jí)四氯化硅儲(chǔ)罐01V0 71 6A工業(yè)級(jí)四氯化硅儲(chǔ)罐01V0 71 6B精制四氯化硅儲(chǔ)罐01V0 71 7A精制四氯化硅儲(chǔ)罐01V0 71 7B精制四氯化硅儲(chǔ)罐01V0 71 7C事故排放槽01V070 6備用1罐01V0 73 1A備用2罐01V0 73 1B備用3罐01V0 73 1C備用4罐01V0 73 1D備用5罐01V0 73 1E備用6罐01V0 73 1F備用7罐01V0 73 2A備用8罐01V0 73 2B備用9罐01V0 73 2C備用10 罐01V0 73 2D提純工序罐區(qū)儲(chǔ)罐分布圖1罐區(qū)3罐區(qū)備用罐區(qū)2罐區(qū)裝車臺(tái) 提 純 ? 本工序分為三部分，其主要功能為： ? a. 合成精餾：用多級(jí)精餾的方法，將來(lái)自三氯氫硅合成氣干法分離工序的粗三氯氫硅進(jìn)行精制，得到多晶硅級(jí)的精制三氯氫硅； ? b. 還原精餾：用多級(jí)精餾的方法，將從還原尾氣干法分離工序中分離出并返回的氯硅烷冷凝液精制，得到多晶硅級(jí)的精制三氯氫硅循環(huán)使用； ? c. 氫化精餾：用多級(jí)精餾的方法將從氫化尾氣干法分離工序中分離出并返回的氯硅烷冷凝液精制，得到多晶硅級(jí)的精制三氯氫硅循環(huán)使用，同時(shí)將分離出的四氯化硅與還原精餾中分離出的四氯化硅一起精餾，得到精制四氯化硅送去四氯化硅氫化工序。 ?過(guò)高的溫度 ， 會(huì)發(fā)生硅的逆腐蝕反應(yīng) 。 三氯氫硅氫還原的影響因素 3. 反應(yīng)氣體流量 ? 在保證達(dá)到一定沉積速率的條件下 ， 流量越大 ， 爐產(chǎn)量越高 。 而單位體積內(nèi)載體擴(kuò)散入硅中的雜質(zhì)量相對(duì)減少 ， 這對(duì)提高硅的質(zhì)量有益 。 三氯氫硅氫還原開(kāi)爐過(guò)程中應(yīng)注意的事項(xiàng) ? 在開(kāi)爐過(guò)程中 ， 應(yīng)按供料表要求改條件 ， 并緩慢均勻 升硅棒電流 ， 保持硅棒的溫度在1080℃ ～ 1100℃ 。 ? 應(yīng)注意保證進(jìn)入還原爐內(nèi)氫氣的純度 ， 使 氧含量 和 水分 降至規(guī)定值以下 ， 開(kāi)爐前一定要對(duì)設(shè)備進(jìn)行認(rèn)真的檢查 ， 防止有漏水現(xiàn)象 。 ? 太陽(yáng)能發(fā)電方式太陽(yáng)能發(fā)電有兩種方式，一種是光 — 熱 — 電轉(zhuǎn)換方式，另一種是光 — 電直接轉(zhuǎn)換方式。以提高電池的利用率，做出質(zhì)量合格的電池組件。（敷設(shè)層次：由下向上：玻璃、EVA、電池、 EVA、玻璃纖維、背板）。各邊框間用角鍵連接。 03:48:5003:48:5003:48Tuesday, January 24, 2023 ? 1乍見(jiàn)翻疑夢(mèng)，相悲各問(wèn)年。 03:48:5003:48:5003:481/24/2023 3:48:50 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 上午 3時(shí) 48分 50秒 上午 3時(shí) 48分 03:48: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 2023年 1月 上午 3時(shí) 48分 :48January 24, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 :48:5003:48:50January 24, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 1月 上午 3時(shí) 48分 :48January 24, 2023 ? 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 上午 3時(shí) 48分 50秒 上午 3時(shí) 48分 03:48: ? 沒(méi)有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 03:48:5003:48:5003:481/24/2023 3:48:50 AM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見(jiàn)頻。 ? 裝框： 類似與給玻璃裝一個(gè)鏡框；給玻璃組件裝鋁框，增加組件的強(qiáng)度，進(jìn)一步的密封電池組件，延長(zhǎng)電池的使用壽命。玻璃事先涂一層試劑（ primer）以增加玻璃和 EVA的粘接強(qiáng)度。產(chǎn)品的高質(zhì)量和高壽命是贏得可客戶滿意的關(guān)鍵，所以組件板的封裝質(zhì)量非常重要。 多晶硅下游產(chǎn)品簡(jiǎn)介 ? 太陽(yáng)能電池的原理 ? 太陽(yáng)光照在半導(dǎo)體 pn結(jié)上，形成新的空穴 電子對(duì)，在 pn結(jié)電場(chǎng)的作用下，空穴由 n區(qū)流向p區(qū)，電子由 p區(qū)流向 n區(qū)，接通電路后就形成電流。 在光線下能看到五顏六色的光澤 。 ? 石墨卡座 ：光譜純、稠密質(zhì)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)均勻、無(wú)孔洞。 三氯氫硅氫還原的影響因素 5. 還原反應(yīng)時(shí)間 ? 盡可能延長(zhǎng)反應(yīng)時(shí)間 ， 也就是盡可能使硅棒長(zhǎng)粗 ， 對(duì)提高產(chǎn)品質(zhì)量與產(chǎn)量都是有益的 。 b) 從 BCl PCl3氫還原反應(yīng)可以看出 ， 過(guò)高的 H2濃度不利于抑制 B、 P的析出 ， 影響產(chǎn)品的質(zhì)量 。 ?溫度太高 ， 沉積的硅化學(xué)活性增強(qiáng) ， 受到設(shè)備材質(zhì)沾污的可能性增強(qiáng) 。 ? 裝車臺(tái)作用：裝二級(jí)三氯氫硅、回收三氯氫硅、工業(yè)級(jí)四氯化硅、精制四氯化硅等 ,卸外購(gòu)三氯氫硅。 如果將尾氣放空排放 ， 不僅浪費(fèi)了能源和原材料 ，還會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染 。爐內(nèi)壓力和供氣量得到提高，加大了硅沉積反應(yīng)的速度。 改良西門(mén)子法的工藝流程 ? 該工藝涉及的主要化學(xué)反應(yīng)式如下： ? Si +3HCI=SiHC13 + H2 + Q 合成 ? SiHC13 + H2=Si +3HC1Q 還原 ? 理論上， H2及 HCI是可以平衡的。 改良西門(mén)子法的工藝流程 ? 改良西門(mén)子法在多晶硅生產(chǎn)當(dāng)中是一種非常成熟的方法，國(guó)內(nèi)大部分廠家都在采用此種方法生產(chǎn)多晶硅。 目前世界上主要的幾種多晶硅生產(chǎn)工藝 ? 2）氣液沉積法生產(chǎn)粒狀太陽(yáng)能級(jí)多晶硅 ? 主要工藝是：將反應(yīng)器中的石墨管的溫度升高到 1500℃ ，流體三氯氫硅和氫氣從石墨管的上部注入，在石墨管內(nèi)壁 1500℃ 高溫處反應(yīng)生成液體狀硅，然后滴入底部，溫度回升變成固體粒狀的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。以前只有日本小松掌握此技術(shù)，由于發(fā)生過(guò)嚴(yán)重的爆炸事故后，沒(méi)有繼續(xù)擴(kuò)大生產(chǎn)。其中，用于電子級(jí)多晶硅占 55％左右，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅占 45％，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅需求量的增長(zhǎng)速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展， 2023年太陽(yáng)能多晶硅的需求量已明顯超過(guò)電子級(jí)多晶硅。 多晶硅簡(jiǎn)介 ? 多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。 ? 硬度介于 鍺 和 石英 之間，室溫下質(zhì)脆，切割時(shí)易碎裂。 硅及其硅的氯化物的簡(jiǎn)介 SiHCl3 SiHCl3還原制備超純硅的方法 ， 在生產(chǎn)中被廣泛的應(yīng)用和迅速發(fā)展 。 在常溫下 ， 純凈的 SiCl SiHCl3是無(wú)色透明的易揮發(fā)液體 。 ? 一般的半導(dǎo)體器件要求硅的純度六個(gè) 9以上，大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必須達(dá)到九個(gè) 9。 在未來(lái) 10年內(nèi) ， 風(fēng)力 、 陽(yáng)光 、地?zé)?等替代能源可望供應(yīng)全世界所需能源的 30%。 硅，由于它的一些良好性能和豐富的資源，自一九五三年作為整流二極管元件問(wèn)世以來(lái)，隨著硅純度的不斷提高，目前已發(fā)展成為電子工業(yè)及太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用最廣泛的材料。 Si + 2X2 = SiX4 （ X=Cl， Br， I） Si + O2 = SiO2 在高溫下，硅與碳、氮、硫等非金屬單質(zhì)化合，分別生成碳化硅 SiC，氮