新型光電子材料(存儲版)
【正文】 的組分調制納米線超晶格結構 GaAs/GaP和 PSi/NSi，PInP/NInP調制摻雜納米線超晶格結構 。 納米半導體材料與量子器件 3/9/2023 30 2023年美國加州大學的 Peidong Yang等研制成功 ZnO納米線紫外激光器 。 5mm 5mm 5mm 3/9/2023 33 將光子和電子的能帶工程相結合 ， 用高折射率差的二微光子晶體形成的微諧振腔 ， 研制成功面發(fā)射量子級連激光器 。 ? 提高有機發(fā)光材料的穩(wěn)定性、紅光和藍光的色純度以及發(fā)光亮度等是目前的主要研發(fā)方向。 3/9/2023 39 （ 2） 大失配異質結構材料體系柔性襯底技術研究 。 （ 5）單晶金剛石薄膜制備和 N型摻雜技術研究 包括： 金剛石有著極高的硬度、導熱率、抗輻照、耐高溫與抗腐蝕和優(yōu)越的光學與電學性能，一直是材料科學研究的熱點，但至今未能取得突破，堅持進行創(chuàng)新研究，有望在此領域取得領先地位。 3. 2 信息功能材料基礎研究重點建議討論 （ 1）納米半導體結構、量子器件及其集成技術探索。 ? 有機發(fā)光材料以其特有的低廉成本和良好的柔性，在平板顯示技術中占有舉足輕重的地位。 ? ZnO納米線光泵激射現(xiàn)象 ， 是香港科技大學湯子康教授等首先觀察到的 。 ? 四倍頻光參量放大器（波長 290400nm，平均功率 510mW）用作泵浦激光器 , 在被泵的單個 GaN單晶納米線（直徑約 300納米，長約 40微米）的兩端觀察到了藍、紫激光發(fā)射。 這些原生的納米帶呈現(xiàn)出高純 、 結構均勻和單晶體 ， 幾乎無缺陷和位錯；納米線呈矩形截面 ， 典型的寬度為20300nm， 寬厚比為 510， 長度可達數(shù)毫米 。 納米半導體材料與量子器件 3/9/2023 21 基于量子點的單光子光源和它特有的長消相干時間，有望在量子計算、量子密碼通信方面獲得應用。 ? 窄帶隙 III族氮化物的另一個重要的應用是用來制造長波長垂直腔面發(fā)射激光器，并取得了重要進展。 ? ZnO基寬禁帶半導體材料以其很高的激子激活能（ 60mev）及其在藍紫光電子器件方面的應用前景受到關注 。 ? 2023年瑞士 Neuchatel大學的科學家采用雙聲子共振和三量子阱有源區(qū)結構 使波長為 微米的量子級聯(lián)激光器的工作溫度高達312K，單模連續(xù)輸出功率 3mW。 3/9/2023 10 硅基高效發(fā)光研究取得突破進展 2023年 Motolora實驗室利用在 Si和 GaAs之間加入鈦酸鍶柔性層，在 12英寸 Si襯底上淀積成功高質量的 GaAs，引起人們關注。 硅微電子技術發(fā)展趨勢 3/9/2023 6 硅基高效發(fā)光研究取得突破進展 ? 硅基光電集成一直是人們追求的目標，其中如何提高硅基材料發(fā)光效率是關鍵。硅 ICs工藝由 8英寸向 12英寸的過渡將在近年內(nèi)完成。 從提高硅集成電路（ ICs）性能價格比來看，增大直拉硅單晶的直徑，仍是今后硅單晶發(fā)展的大趨勢。 ? 為滿足人類不斷增長的對更大信息量的需求，近年來在硅基光電集成和光電混合集成研究方面取得了重要進展。 硅基高效發(fā)光研究取得突破進展 3/9/2023 9 硅基高效發(fā)光研究取得突破進展 哈佛大學的 Xiangfen Duan等研制成功硅基 NCdS/PSi納米線電驅動激光器 . NCdS NW 被平放在 PSi導電襯底上 ,形成 NCdS/PSi異質結，空穴沿著整個 NW的長度注入，電子從 Ti/Au電極注入。 3/9/2023 13 ? 在過去的 8年多的時間里，量子級聯(lián)激光器在大功率（數(shù)瓦）、高溫（室溫以上）和單膜工作等研究方面取得了顯著的進展。 寬帶隙半導體材料與器件 3/9/2023 16 IIVI族寬帶隙半導體材料與器件 ? (Zn,Mg,Cd)X(S,Se,Te)1X寬帶隙材料研究的進展不大。 Fischer等人還報道了 室溫工作的 InGaNAs/GaAs邊沿發(fā)射激光器。 ? 美國量子點器件公司聲稱， 10年后
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1