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材料科學(xué)分析技術(shù)(電子顯微學(xué)衍襯成像理論)(存儲版)

2025-01-20 21:30上一頁面

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【正文】 薄膜試樣中觀察電子衍射時,經(jīng)常會發(fā)現(xiàn)在衍射譜的背景襯度上分布著黑白成對的線條。 3 襯度,像面上相鄰部份間的黑白對比度或顏色差 電子顯微像的襯度類型 質(zhì)量厚度襯度 衍射襯度 相位襯度 Z襯度 原子種類和厚度的差異有關(guān) 滿足布拉格衍射條件的程度有差異 相位差而形成的能夠反映樣品真實結(jié)構(gòu)的襯度 平均原子序數(shù) 透射電鏡的像襯度來源于樣品對入射電子束的散射。依照選取成像信息(用透射束或衍射束成像)的不同,所獲得的電子顯微像的襯度出現(xiàn)了不同機制。 實際上,要做到這兩條是非常困難的,盡管盡可能地調(diào)整樣品的取向,以期達到雙光束成像條件。 19 20 21 22 偏離參量 描述晶面偏離布拉格衍射位置或晶面倒易矢量偏離厄瓦爾德反射球程度的參量。由上面的表達式可以知道,等傾條紋具有如下的特點: 35 試樣下表面處的強度將隨偏離參量 s變化而呈單縫衍射函數(shù)的形式變化,衍射強度在 s=0處有強度的主極大,主極大的半寬高為 1/t ,在 s=n/2t 中,當 n為奇數(shù)時,分別對應(yīng)次極大、三極大等等,當 n為偶數(shù)時,強度值將為零; 36 37 38 39 4. 缺陷晶體運動學(xué)衍襯理論 晶體中存在缺陷時,會使缺陷附近的某個區(qū)域內(nèi)的點陣產(chǎn)生畸變,這種畸變的大小和方向可用位移矢量 R表示 理想晶體晶柱中位移矢量為 r,而非理想晶體中的位移矢量應(yīng)該是 r′。 43 成像操作及像襯度 ? 襯度:試樣不同部位對入射電子作用不同,經(jīng)成像放大后所顯示的 強度差異 。 ? 中心暗場 像( CDF):入射電子束對試樣傾斜照明,得到的暗場像。前者是透射電子成像,后者為散射電子成像。 ? ?????tgg dzRigiszi0)2exp()2exp( ????? ?????tggg sstitsidziszi0)sin()exp()2exp(??????
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