電力電子課程設(shè)計(jì)報(bào)告(存儲(chǔ)版)
【正文】 的 7設(shè)計(jì)任務(wù) 7主要技術(shù)參數(shù) 8設(shè)計(jì)內(nèi)容 10電路仿真及分析 15設(shè)計(jì)小結(jié) 17 摘要從而使上述控制獲得加速平穩(wěn)、快速響應(yīng)的性能，并同時(shí)收到節(jié)約電能的效果。直流斬波電路作為將直流電變成另一種固定電壓或可調(diào)電壓的 圖1它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。如圖2所示，我們知道在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí)，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。 a b 圖3電力MOSFET的基本特性a轉(zhuǎn)移特性 b輸出特性圖4a測(cè)試電路 b開關(guān)過程波形圖5MOSFET斬波電路是被設(shè)計(jì)的核心部分，而其核心器件又是MOSFET。 輸入直流電壓24V，輸出電壓V0=48V，輸出電流Io=10A，最大輸出紋波電壓200mV，工作頻率f=100kHz。參數(shù)選擇和計(jì)算 工作原理：（1） 、電路原理圖 升壓斬波電路的電路圖如上圖所示，在該電路中假設(shè)電感L1值、電容C2值很大，當(dāng)可控開關(guān)Z2處于通態(tài)時(shí)，電源V1向電感L1充電，充電電流基本恒定為I1，同時(shí)電容C2上的電壓向負(fù)載R供電。則：Uc=(1/β)V1=（1/(1α))V1【2】升壓斬波電路之所以能使輸出電壓高于電源電壓，關(guān)鍵有兩個(gè)原因：（1）電感L1儲(chǔ)能之后具有使電壓泵升的作用。綜合本次設(shè)計(jì)電路的特點(diǎn)，采用快速熔斷器，即給晶閘管串聯(lián)一個(gè)保險(xiǎn)絲實(shí)施電流保護(hù)。設(shè)計(jì)過程中，因?yàn)槭堑谝淮巫?，難免會(huì)遇到各種各樣的問題。CAD2008，Multisim與OFFICE我相信今后不管做什么課程設(shè)計(jì)，只要認(rèn)真思考認(rèn)真去做，相信都將會(huì)有所收獲，都會(huì)取得成功！參考文獻(xiàn)1.《晶閘管變流技術(shù)題例及電路設(shè)計(jì)》 栗書賢，石玉編 機(jī)械工業(yè)出版社2．王兆安,黃俊.《電力電子技術(shù)（第4版）》.機(jī)械工業(yè)出版社,2004年3．劉勝利.《現(xiàn)代高頻開關(guān)電源實(shí)用技術(shù)》，電子工業(yè)出版社,2001年4．《直流開關(guān)電源的軟開關(guān)技術(shù)》 阮新波 嚴(yán)仰光編著，科學(xué)出版社實(shí)物制作成績(jī)（50分）課程設(shè)計(jì)報(bào)告成績(jī)（40分）答辯成績(jī)（10分）總成績(jī)備注方案實(shí)物制作實(shí)物效果方案論證設(shè)計(jì)計(jì)算、繪圖、元器件選型報(bào)告格式原理講述問題回答 回顧起此次的電力電子課程之MOSFET升壓斬波電路設(shè)計(jì)，感慨頗多，它使我有了很多的心得體會(huì)，可以說這次MOSFET升壓斬波電路設(shè)計(jì)是在自己用心努力和在老師的精心指導(dǎo)下共同完成的。操作過電壓是由分閘、合閘的開關(guān)操作引起的過電壓，電網(wǎng)側(cè)的操作過電壓會(huì)由供電變壓器磁感應(yīng)耦合，或由變壓器繞組之間存在的分布電容靜感應(yīng)耦合過來。一般電力電子裝置均同時(shí)采用集中過流保護(hù)措施，以提高保護(hù)的可靠性和合理性。T/Toff表示升壓比，調(diào)節(jié)其大小，即可改變輸出電壓Uc的大小，將升
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