雪崩光電二極管的特性(存儲版)
【正文】 verse current increases suddenly. Reverse electric shock. The avalanche breakdown and zener breakdown (tunnel breakdown). Avalanche breakdown is a PN junction reverse voltage is increased to a value, carrier multiplication avalanche like, increase much more quickly, making use of the characteristics of diode is avalanche diode. Avalanche breakdown is under the action of electric field, carrier energy increases, we and crystal atoms collide, covalent electron stimulate the formation of free electron hole pairs. The new generation of carrier and the free electron hole pair is generated by the collision, which is the multiplication effect. 1 2, 2 4, like an avalanche increases the carrier.Keywords：Avalanche；diode ；equivalent circuit； 。見圖 5 給出對應不同光功率的光電流曲線。2. 模擬實例為驗證模型，這里對一種 APD 的暗電流特性和脈沖響應特性進行了模擬，并與相關文獻的實驗結果進行了比較。這樣可由穩(wěn)態(tài)結果得到 ， 與 ， ， 的關系：inPVp nIpinPVn ，ndinoIRPI???ppdioVR??? ，[()1]ndpchWL?[()1]dnpchWL? ()onnnppqNIs??[1]()nonpppPLchI?2 2()1exp()1(1)ex[]{ }1[]npnpnin pp nnLchWWqRWhsLchL??????????2 2[()]ex()()(){ ()[]pnnnpp nnppnnLcs??? 其中， ， 分別為 p 區(qū)電子，n 區(qū)空穴的擴散長度。關于方程（3） ， （4）中的雪崩增益項，對于雪崩區(qū)電場不均勻的情況（ 與空間pn?,位置有關） ，不能寫成這樣簡單的形式。因此，隨著 M 的增大，噪聲電流比信2n號電流增大得更快。從圖中的伏安特性曲線可以看出，在雪崩擊穿點附近電流隨偏壓變化的曲線較陡，當反向偏壓有所較小變化時，光電流將有較大變化。當在偏壓較低時，不產生雪崩過程，即無光電流倍增。對 結， 。I0I雪崩倍增系數(shù) 與碰撞電離率有密切關系，碰撞電離率表示一個載流子在電場作用下 ，漂移單位距離所產生的電子空穴對數(shù)目。要選擇合適的 M 值，才能獲得最佳信噪比，使系統(tǒng)達到最高靈敏度。這種 APD 的缺點就是存在有隧道電流倍增的過程，這將產生較大的散粒噪音（降低 p 區(qū)摻雜，可減小隧道電流，但雪崩電壓將要提高）。關鍵詞 ：雪崩 二極管 等效電路 1. 雪崩二極管的介紹雪崩光電二極管是一種 pn 結型的光檢測二極管，其中利用了載流子的雪崩倍增效應來放大光電信號以提高檢測的靈敏度。物理 12 張常龍雪崩光電二極管的介紹及等效電路模擬[文檔副標題]二〇一五年十月遼寧科技大學理學院遼寧省鞍山市千山中路 185 號雪崩光電二極管的介紹及等效電路模擬摘 要 ：PN 結有單向導電性，正向電阻小，反向電阻很大。雪崩光電二極管的介紹及等效電路模擬 摘要PN 結有單向導電性，正向電阻小，反向電阻很大。 1 生 2，2生 4，像雪崩一樣增加載流子。 1 生 2，2 生 4，像雪崩一樣增加載流子。在 APD 制造上，需要在器件表面加設保護環(huán)，以提高反向耐壓性能；半導體材料以Si 為優(yōu)（廣泛
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1