mos放大電路(存儲版)
【正文】 D212 ERRR??偏置電路 ? 外加偏置電路 D212G ERRRU??IDRS D212 ERRR??R1和 R2提供一個固定柵壓 UGS = UGUS 注：要求 UGUS，才能提供一個正偏壓，增強(qiáng)型管子才能 正常工作。o r39。S Ugs + gmUgsR39。D Ugs= Ui Id= gmUi+( IdR39。i≈Rs//1/gm S G D rds gmUgs 輸出電阻 ro ro=rds r39。 重點(diǎn) ： （ CE、 CC、 CB）的分析方法及各自特點(diǎn)。 靜態(tài)分析可采用計(jì)算法和圖解法。i≈Rs//1/gm 基本放大電路 ? 共柵放大電路 電壓增益 AU≈ gmR39。i=RG Ugs + 電壓增益 輸入電阻 基本放大電路 ? 共漏放大電路 輸出電阻 Ugs + gmUgs RS + Uo Io r39。 r39。i r39。 但會造成工作點(diǎn)偏 低 ， 放大增益減少 。 3. 晶體管的 輸入電阻較低 ，一般 102~104?； 場效應(yīng)管的 輸入電阻高 ，可達(dá) 109~1014? 場效應(yīng)管的分類 結(jié)型場效應(yīng)管 JFET MOS型場效應(yīng)管 場效應(yīng)管的主要參數(shù)和微變等效電路 直流參數(shù) 微變參數(shù) 微變等效電路 場效應(yīng)管的直流參數(shù) 2. 夾斷電壓 UP 夾斷電壓是耗盡型 MOS或 JFET的參數(shù)，當(dāng) UGS=UP 時,漏極電流為零。 場效應(yīng)管的微變參數(shù) 1. 低頻跨導(dǎo) gm 低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對漏極電流的控制作
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