hcpvt高聚光太陽能光伏發(fā)電及光熱系統(tǒng)技術(shù)(存儲版)
【正文】 由于高質(zhì)量的GaAs外延材料和精細(xì)光刻工藝的突破，使GaAs集成電路的制作得到突破性進(jìn)展。在適合高倍聚光的光伏電池工藝中應(yīng)充分借鑒激光器、發(fā)光二極管等器件的先進(jìn)設(shè)計方法。 由于高效砷化鎵光伏電池的生產(chǎn)成本較高，因此提高聚光器的聚光倍數(shù)、聚光效率和均勻性成為充分發(fā)揮砷化鎵光伏電池效率優(yōu)勢、降低聚光光伏、光熱綜合利用系統(tǒng)成本的關(guān)鍵之一。而反射式聚光器聚光倍數(shù)較低,難以大幅度降低發(fā)電成本。這主要是由于隨著聚光比的提高,聚光光伏系統(tǒng)所接收到光線的角度范圍就越小,為了更加充分地利用太陽光,聚光光伏系統(tǒng)必須輔以對日跟蹤裝置。 （四）散熱器該元件將熱量由一端向另一端快速傳導(dǎo)的過程中，表面呈現(xiàn)出無熱阻快速波狀導(dǎo)熱特性。只要我們抓住有利時機(jī),瞄準(zhǔn)國際光伏電池新材料及器件研究的前沿,積極引進(jìn)和開發(fā)成熟砷化鎵薄膜電池聚光跟蹤發(fā)電系統(tǒng)，就能在聚光光伏技術(shù)及應(yīng)用方面取得原創(chuàng)性的、突破性的進(jìn)展。2．HCPV組件參數(shù)名稱內(nèi)容描述RemarkCell Type電池類型ⅢⅤ 多結(jié)砷化鎵電池 每個組件電池片子數(shù)量48個 幾何聚焦倍率476 180。176。? Generation profile triangle square? 炎熱夏日午后電池效率損失: 30% 5%? 發(fā)電表現(xiàn) poor excellent極好? ￥ / AC kWh （交流電每度） ￥ ￥–￥備注：單（多）㎡，㎡結(jié)論：以17%轉(zhuǎn)換效率的硅晶圓太陽能電池一個足球場面積，可產(chǎn)出500KW之電力，若以多接面化合物半導(dǎo)體太陽能電池500倍之聚光效率，則約可產(chǎn)出500MW之電力，發(fā)電效率提升約1,000倍，其在高效率聚光型太陽能發(fā)電系統(tǒng) (HCPV)上，更因轉(zhuǎn)換效率高、所需土地面積小等特性，成為發(fā)電廠的另一可能選項。可以喝建筑實現(xiàn)一體化，減少了原來主反射器帶自動跟蹤系統(tǒng)對周圍環(huán)境沒有影響。? Solar封裝溫度 180176。 deg. 砷化鎵電池組件圖片（12*4電池片產(chǎn)生120V峰值電壓）組件電氣參數(shù)ItemDescriptionRemark備注組件效率 % 輸出功率 140W 850 W/m2 DNI凈輸入太陽能Voc140 V Isc Vmpp最大電壓120 V Impp最大電流 Fill Factor填充因數(shù)78% 一個子陣列由8個組件組成，在太陽光下產(chǎn)生大于1kW功率。同時會得到當(dāng)?shù)卣嚓P(guān)部門的大力支持。因此，通過研發(fā)砷化鎵薄膜電池聚光跟蹤發(fā)電系統(tǒng)，能夠帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，提高相關(guān)產(chǎn)業(yè)的整體研發(fā)水平，同時創(chuàng)造更多的就業(yè)崗位。在國際光伏市場巨大潛力的推動下,中國作為世界能源消耗第二大國,對于高效、低成本的光伏發(fā)電系統(tǒng)的需求更為迫切。因此，為了實現(xiàn)對電池組件的溫度控制，可采用無機(jī)超導(dǎo)熱管技術(shù)。反射式聚光系統(tǒng)也可以分為點聚焦結(jié)構(gòu)和線聚焦結(jié)構(gòu)。高效太陽能電池是聚光光伏、光熱綜合利用系統(tǒng)的核心部件。 砷化鎵集成電路，用半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）器件構(gòu)成的集成電路。 作為通信、微電子以及光電子的基礎(chǔ)材料GaAs材料，世界上其晶體生長技術(shù)和器件制作技術(shù)已較成熟，其應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大。 ㈠ 電池片1. 砷化鎵(GaAs)的發(fā)展?jié)摿ι榛墸℅aAs）半導(dǎo)體材料與傳
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