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常用電子元器件簡(jiǎn)介(存儲(chǔ)版)

  

【正文】 電二極管。 通常,5~20A的快恢復(fù)二極管采用TO220FP塑料封裝,20A以上的大功率快恢復(fù)二極管采用頂部帶金屬散熱片的TO3P塑料封裝,5A以下的快恢復(fù)二極管則采用塑料封裝。 雙基極二極管有一個(gè)pn結(jié)和一個(gè)n型硅片構(gòu)成,在硅片的兩端分別引出兩個(gè)基極B1和B2,在pn結(jié)的p型半導(dǎo)體上引出的電極為發(fā)射極E。 全橋是由四只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的,、1A、…、50A等多種規(guī)格,耐壓值有25V、50V、100V、…800V、1000V等多種規(guī)格。按起內(nèi)部連接方式的不同,又可分為共陰(各二極管的負(fù)極連接在一起)和共陽(yáng)(各二極管的正極連接在一起)兩種結(jié)構(gòu)。選用的穩(wěn)壓二極管應(yīng)滿足應(yīng)用電路中主要參數(shù)的要求。 雙向觸發(fā)二極管廣泛應(yīng)用于脈沖觸發(fā)、調(diào)壓、調(diào)速、開關(guān)控制和雙穩(wěn)態(tài)等電路中。在阻值較小的一次測(cè)量中,黑表筆接的是二極管的正極,紅表筆接的是二極管的負(fù)極。其方法是:測(cè)量二極管時(shí),應(yīng)將測(cè)試表的“npn/pnp”選擇鍵設(shè)置為npn狀態(tài),再將被測(cè)二極管的正極接測(cè)試表的“C”插孔內(nèi),負(fù)極插入測(cè)試表的“E”插孔,然后按下“V(BR)”鍵,測(cè)試表即可指示出二極管的反向擊穿電壓值。 (2)開路與擊穿的判別 若測(cè)得穩(wěn)壓二極管的正、反向電阻值均很小或均為0,則說(shuō)明該二極管已擊穿損壞;若測(cè)得穩(wěn)壓二極管的正、方向電阻值均為無(wú)窮大,則說(shuō)明該二極管已開路損壞。若測(cè)得正、反向電阻值均很小或?yàn)?,則說(shuō)明該二極管已經(jīng)擊穿損壞。若UU2的電壓值均為0V,則說(shuō)明該雙向觸發(fā)二極管內(nèi)部已開路損壞。若用萬(wàn)用表R1k擋測(cè)量發(fā)光二極管的正、反向電阻值,則會(huì)發(fā)現(xiàn)其正、反向電阻值均接近∞,(高于萬(wàn)用表R)的緣故。 (2)性能好壞的檢測(cè) 用萬(wàn)用表R10k擋測(cè)量紅外光二極管的正、反向電阻。正常的紅外光敏二極管,在按動(dòng)遙控器上按鍵時(shí),其反向電阻值會(huì)由500kΩ以上減小至50~100kΩ之間?!ㄆ潆妷号c光照強(qiáng)度成正比)。 (1)正、負(fù)極的判別 有的變?nèi)荻O管的一端涂有黑色標(biāo)記,這一端即是負(fù)極,而另一端為正極。 (1)電極的判別 將萬(wàn)用表置于R1k擋,用兩表筆測(cè)量雙基極二極管和三個(gè)電極中任意兩個(gè)電極間的正、反向電阻值,會(huì)測(cè)出有兩個(gè)電極之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ,這兩個(gè)電極即是基極B1和基極B2,另一個(gè)電極即是發(fā)射極E。 檢測(cè)時(shí),可通過(guò)分別測(cè)量“+”極和兩個(gè)“~”極、“—”極與兩個(gè)“~”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測(cè)量方法相同)是否正常,即可判斷該全橋是否損壞。 三端肖特基二極管應(yīng)首先測(cè)出其公共端,判斷出是共陰對(duì)管,還是共陽(yáng)對(duì)管,然后再分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)二極管的正、反向電阻值。 (5)按工作頻率分類 晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。hFE和β既有區(qū)別又關(guān)系密切兩個(gè)參數(shù)值在低頻時(shí)較接近,在高頻時(shí)有一些差異。通常將特征頻率fT小于或等于3MHz的晶體管稱為低頻管,而將fT大于3MHz的晶體管稱為高頻管。它包括集電極發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極基極反向擊穿電壓和發(fā)射極基極反向擊穿電壓。此電流值越小,說(shuō)明晶體管的性能越好。 晶體管的放大原理是:當(dāng)晶體管的基極電流發(fā)生變化時(shí),其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后,若從基極加如一個(gè)較小的信號(hào),則其集電極輸出一個(gè)較大的信號(hào)。 當(dāng)晶體管發(fā)射結(jié)的正向偏置電壓增大至一定值(,)時(shí),晶體管將從導(dǎo)通放大狀態(tài)進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài),此時(shí)集電極電流IC將處于較大的恒定狀態(tài),且已不受基極電流IB的控制。常用的國(guó)產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DA83DA93DA151等型號(hào)。 (4)開關(guān)晶體管 開關(guān)晶體管是一種飽和導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)變化速度較快的晶體管,可用于各種脈沖電路、開關(guān)電源電路及功率輸出電路中。 普通林達(dá)管通常有兩只晶體管或多只晶體管復(fù)合連接成,內(nèi)部不帶保護(hù)電路,耗散功率在3W以下,主要用于高增益放大電路或繼電器驅(qū)動(dòng)電路等。 (3)絕緣層材料的不同分類 場(chǎng)效應(yīng)管按柵極與半導(dǎo)體之間所用絕緣層材料的不同,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又可分為MOS場(chǎng)效應(yīng)管、MNS場(chǎng)效應(yīng)管和MALS場(chǎng)效應(yīng)管等多種。 (5)達(dá)林頓管 達(dá)林頓管也稱復(fù)合晶體管,具有較大的電流放大系數(shù)及較高的輸入阻抗。中、低頻大功率晶體管一般用在電視機(jī)、音響等家電中作電源調(diào)整管、開關(guān)管、場(chǎng)輸出管、行輸出管、功率輸出管。常用的進(jìn)口高頻小功率晶體管有2N5552N540BC14BC15BC32BC54BC559011~901S9011~S9012SA1012SC1812SA673等型號(hào)。 當(dāng)晶體管的發(fā)射結(jié)加上合適的正向偏置電壓、集電極加上反向偏置電壓,晶體管導(dǎo)通,其內(nèi)阻變小,各電極均有工作電流產(chǎn)生(IE=IB+IC)。 晶體管在正常工作時(shí),其發(fā)射極電流IE等于基極電流IB與集電極電流IC之和。ICBO對(duì)溫度較敏感,該值越小,說(shuō)明晶體管的溫度系數(shù)越好。當(dāng)晶體管的集電極電流IC超過(guò)ICM時(shí),晶體管的β值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化,影響其正常工作,甚至還會(huì)損壞。晶體管的工作頻率超過(guò)截止頻率fβ或fα?xí)r,其電流放大系數(shù)值將隨著頻率的升高而下降。 直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù),是指在靜態(tài)(無(wú)變化信號(hào)輸入)時(shí),晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值,一般有hFE表示。 (3)按其結(jié)構(gòu)及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。正常時(shí),其正向電阻值(黑表筆接正極)~,反向電阻值為無(wú)窮大。 雙基極二極管兩個(gè)基極之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ范圍內(nèi),若測(cè)得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時(shí),則說(shuō)明該二極管已損壞。正常的變?nèi)荻O管的正、反向電阻值均為∞。 (2)電流測(cè)量法 用萬(wàn)用表測(cè)量激光二極管驅(qū)動(dòng)電路中負(fù)載電阻兩端的電壓降,再根據(jù)歐姆定律估算出流過(guò)該管的電流值,當(dāng)超過(guò)100mA時(shí),若調(diào)節(jié)激光功率電位器,而電流無(wú)明顯的變化,則可判斷激光二極管已嚴(yán)重老化。正常時(shí)正、反電阻值均應(yīng)變小,阻值變化越大,說(shuō)明該光敏二極管的靈敏度越高。若測(cè)得其正、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大,則說(shuō)明該光敏二極管已擊穿或開路損壞。通常,靠近管身側(cè)面小平面的電極為負(fù)極,另一端引腳為正極。正常時(shí),正向電阻值(黑表筆接正極時(shí))約為10~20kΩ,反向電阻值為250kΩ~∞(無(wú)窮大)。若U1與U2的電壓值相差較大時(shí),則說(shuō)明該雙向觸發(fā)二極管導(dǎo)通性能不對(duì)稱。 (1)正、反向電阻值的測(cè)量 用萬(wàn)用表R1k擋或R10k擋,測(cè)量雙向觸發(fā)二極管的正、反向電阻值。 對(duì)標(biāo)志不清的穩(wěn)壓二極管,也可以用萬(wàn)用表判別其極性,測(cè)量的方法與測(cè)量普通二極管相同,即用萬(wàn)用表R1k擋,將兩表筆分別搭接穩(wěn)壓二極管的兩個(gè)電極,測(cè)出一個(gè)結(jié)果后,再對(duì)調(diào)兩表筆進(jìn)行測(cè)量。若測(cè)得二極管的正、反向電阻值均為無(wú)窮大,則說(shuō)明該二極管已開路損壞。 (1)正負(fù)極性的判別 將萬(wàn)用表置于R100擋或R1k擋,兩表筆分別搭接二極管的兩個(gè)電極,測(cè)出一個(gè)結(jié)果后,對(duì)調(diào)兩表筆,再測(cè)出一個(gè)結(jié)果。 中速開關(guān)電路和檢波電路可以選用2AK系列普通開關(guān)二極管,高速開關(guān)電路可以選用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速開關(guān)二極管。常用的普通快恢復(fù)二極管有RF系列,高效快恢復(fù)二極管有HER系列,超快恢復(fù)二極管有UF系列。常用的高壓硅堆有2DGL、2CGL等系列。常用的二極管組件有整流橋堆、高壓硅堆和集成二極管等。 常用的雙向觸發(fā)二極管有2CTS、2CSA、2CSB和DBDB4等型號(hào)。 快恢復(fù)二極管屬于pin結(jié)型二極管,內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通pn結(jié)二極管不同(在p型硅材料與n型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成pin硅片)。當(dāng)光電二極管兩端加上反向電壓時(shí),其凡響電流將隨著光照強(qiáng)度的改變而改變。 普通單色發(fā)光二極管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件,可用各種直流、交流、脈沖等電源驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮,使用時(shí)需串接合適的限流電阻。 變?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝、塑料封裝、金屬外殼封裝和無(wú)線引腳表面封裝等多種封裝形式。但若反向電流大到一定數(shù)值后,穩(wěn)壓二極管則會(huì)徹底擊穿而損壞。其封裝形式有塑料封裝和表面封裝等。 (3)整流二極管 整流二極管的作用是利用其單向?qū)щ娦?,將交流電變成直流電。金屬絲與半導(dǎo)體的接觸面很小,雖難以通過(guò)較大的電流,但因其結(jié)電容較小,可在較高的頻率下工作。 (17)發(fā)光波長(zhǎng)λp 發(fā)光波長(zhǎng)λp也稱峰值波長(zhǎng),是指發(fā)光二極管(或激光二極管)在一定工作條件下,其發(fā)射光的峰值所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)。 (9)動(dòng)態(tài)電阻RZ 動(dòng)態(tài)電阻RZ是指穩(wěn)壓二極管兩端電壓變化隨電流變化的比值。 (3)反向電流IR 反向電流IR是指在規(guī)定的反向電壓和環(huán)境溫度下測(cè)得反向漏電流。 (3)按封裝形式分 二極管按封裝形式可分為塑料封裝二極管、玻璃封裝二極管、金屬封裝二極管、片狀二極管及無(wú)引線圓柱形二極管等。 在硅或鍺等本征半導(dǎo)體材料中摻入少量的硼、銦鎵或鋁等三價(jià)元素,就變成了以空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體,即p型半導(dǎo)體。常用的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、硒、砷、砷化鎵、及金屬的氧化物、硫化物。 對(duì)于帶開關(guān)的電位器,除按以上方法檢測(cè)電位器的標(biāo)稱阻值及接觸情況外,還應(yīng)檢測(cè)其開關(guān)是否正常。若暗電阻正常,則可將電阻器靠近光源(可見光光敏電阻器可用白熾燈泡照射,紫外光光敏電阻器可用驗(yàn)鈔機(jī)的紫外線燈管照射,紅外光光敏電阻器可用電視機(jī)遙控器內(nèi)的紅外發(fā)射管作光源),進(jìn)一步測(cè)量其亮電阻。 (2)PTC熱敏電阻器的檢測(cè) PTC熱敏電阻器的阻值在常溫下較小,可用萬(wàn)用表R1Ω擋測(cè)量。 根據(jù)設(shè)備和電路的要求選好電位器的類型和規(guī)格以后,還要根據(jù)電路的具體要求合理選擇電位器的電參數(shù),包括額定功率、標(biāo)稱阻值、允許偏差、分辨率、最高工作電壓、動(dòng)噪聲等。 大功率電路選用功率型線繞電位器或水泥電位器。標(biāo)稱電壓過(guò)高,壓敏電阻器起不到過(guò)電壓保護(hù)作用;標(biāo)稱電壓過(guò)低,壓敏電阻器容易誤動(dòng)作或被擊穿。 常用的溫度檢測(cè)用NTC熱敏電阻器有MF53系列和MF57系列,每個(gè)系列又有多種型號(hào),可根據(jù)具體要求來(lái)選擇不同型號(hào)、不同阻值的熱敏電阻器。 (1)熱敏電阻器的選用 熱敏電阻器的種類和型號(hào)較多,應(yīng)根據(jù)電路的具體要求而適當(dāng)選擇。一般電路使用的電阻器允許誤差為177。 (6)動(dòng)噪聲 動(dòng)噪聲是指電位器在外加電壓作用下,其動(dòng)觸點(diǎn)在電阻體上滑動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的噪聲,該噪聲的大小與轉(zhuǎn)軸的速度、接觸點(diǎn)和電阻體之間的接觸電阻、動(dòng)接觸點(diǎn)的數(shù)目、電阻體電阻率的不均勻變化及外加的電壓大小等有關(guān)。它分為直線式(用字母A表示)、對(duì)數(shù)式(用字母B表示)和反轉(zhuǎn)對(duì)數(shù)式(用字母C表示)。 (4)按結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分 電位器按結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可分為單圈電位器、多圈電位器、單聯(lián)電位器、雙聯(lián)電位器、多聯(lián)電位器、抽頭式電位器、帶開關(guān)電位器、鎖緊型電位器、非鎖緊型電位器和貼片式電位器等多種。 在電阻器的并聯(lián)電路中,任一只電阻器開路后,對(duì)整個(gè)電路的總電壓無(wú)影響,但會(huì)引起總阻值、總電流和總消耗功率的變化。 (1)電阻器的串聯(lián) 將兩只或兩只以上的電阻器聯(lián)成一串,組成電阻器的串聯(lián)電路。1%、177。在實(shí)際應(yīng)用中,電阻器常用的單位是千歐(kΩ)和兆歐(MΩ),它門與歐姆之間的換算關(guān)系為: 1MΩ=1000kΩ 1kΩ=1000Ω (2)額定功率 額定功率是指電阻器在交流或直流電路中、在特定條件下(在一定大氣壓和在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的溫度下)長(zhǎng)期工作時(shí)所能承受的最大功率(即最高電壓和最大電流的乘積)。它在電路中的文字符號(hào)用字母“R”表示。 (4)濕敏電阻器 濕敏電阻器是一種對(duì)外環(huán)境濕度敏感的元件,它的阻值能隨著外界環(huán)境的相對(duì)濕度變化而變化。光敏電阻器在電路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示。 負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器,在音、視頻電路及各種電器設(shè)備中作溫度檢測(cè)、溫度補(bǔ)償、溫度控制或穩(wěn)壓控制用。 大功率線繞可變電阻器有軸向磁管式和磁盤式兩種,均為非密封式結(jié)構(gòu);小功率線繞可變電阻器有圓形立式、圓形臥式和方形,通常采用密封式結(jié)構(gòu)。 通常的線繞電阻器有被釉型線繞電阻器、涂漆線繞電阻器、水泥線繞電阻器、瓷殼線繞電阻器等多種。與碳膜電阻器相比,金屬膜電阻器具有噪聲低、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。 (1)碳膜電阻器 碳膜電阻器是采用碳膜作為導(dǎo)電層,屬于膜式電阻器的一種。根據(jù)用途、外形結(jié)構(gòu)、電阻體制作材料及引腳結(jié)構(gòu)形式的不同,電阻器還可分為多種種類。 電阻器通??煞譃楣潭娮杵?、可變電阻器、敏感電阻器、熔斷電阻器和集成電阻器。通常的固定電阻器有碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、合成碳膜電阻器、實(shí)心電阻器、線繞電阻器等多種。 金屬膜電阻器又分為普通金屬膜電阻器、半精密金屬膜電阻器、高精密金屬膜電阻器、高壓金屬膜電阻器等多種。 (6)線繞電阻器 線繞電阻器是用高阻值的合金線(即電阻絲,采用鎳鉻絲、康銅絲、錳銅絲等材料制成)纏繞在絕緣基棒上制成的,具有阻值范圍大,噪聲小、耐高溫、承載功率大等優(yōu)點(diǎn);起缺點(diǎn)是體積大、高頻特性較差。 (2)線繞可變電阻器 繞線可變電阻器屬于功率型可調(diào)電阻器,具有耐高溫、承載電流大等特點(diǎn),主要用于各種低頻電路中做電壓調(diào)整或電流調(diào)整作用。當(dāng)通過(guò)電流超過(guò)額定值時(shí),其電阻值能在幾秒鐘內(nèi)迅速增大到數(shù)百歐至數(shù)千歐以上。 (3)光敏電阻器 光敏電阻器是一種對(duì)光敏感的元件,其電阻值能隨著外界光照強(qiáng)弱(明暗)變化而變化??梢姽夤饷綦娮杵髦饕糜诟鞣N光電自動(dòng)控制系統(tǒng)、電子照相機(jī)或光電報(bào)警器等電子產(chǎn)品中;紫外光光敏電阻器主要用于紫外線探測(cè)儀器;紅外光光敏電阻器主要用于天文、軍事等領(lǐng)域的有關(guān)自動(dòng)控制系統(tǒng)中。 (1) 熔斷電阻器 熔斷電阻器也被稱為保險(xiǎn)電阻器,是一種具有電阻器和熔斷器雙重作用的特殊元件,分為可恢復(fù)式熔斷電阻器和一次性熔斷電阻器
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