【正文】 S或不連接。C和VDD=( ≤VDD ≤)。這些電容必須盡可能的放置得近一些，或低于，PCB背面合適的引腳，為了確保設備好的性能。2. 保證VIN不超過其最大值。4. 當幾個I/O口同時有注入電流時，∑IINJ(PIN)的最大值為正向注入電流與反向注入電流的即時絕對值之和。表13. 取決于操作電源范圍的限制條件（略）Page 661. 降低CPU頻率可以減小等待狀態(tài)的數(shù)值(見圖20)。C溫度范圍內，并且IRROFF設置為VDD時。 供電電流特性電流消耗是多種參數(shù)和因素的綜合指標，這些參數(shù)和因素包括工作電壓、環(huán)境溫度、I/O引腳的負載、產(chǎn)品的軟件配置、工作頻率、I/O腳的翻轉速率、程序在存儲器中的位置以及執(zhí)行的代碼等。C 和 VDD= V時。2. 基于特性，在生產(chǎn)中以帶外設使能的VDD最大值和fHCLK最大值測試。（略）Page 75表20. 睡眠模式下的典型和最大電流消耗（略）1. 基于特性，在生產(chǎn)中以帶外設使能的VDD最大值和fHCLK最大值測試。圖28. 停機模式下的典型電流消耗與頻率的對比（略）1. 表18和圖26中所有典型和最大值將會進一步降至50%，由于ST元件測試程序的不斷提高。表24 內置外設的電流消耗（略）Page 80表24 內置外設的電流消耗續(xù)（略）Page 81表24 內置外設的電流消耗續(xù)（略）1. 外部時鐘頻率25MHz（帶25MHz晶振的HSE振蕩器），開啟鎖相環(huán)2. DAC_CR寄存器中EN1置位3. DAC_CR寄存器中EN2置位4. fADC = fPCLK2/2，ADC_CR2寄存器中ADON置位 從低功耗模式喚醒時間表25給出的喚醒時間是用一個16MHz的HSI RC濾波器在一個喚醒周期內測量的。表26 高速外部用戶時鐘特性（略）1. 由設計保證，不在生產(chǎn)中測試。2. 由綜合評估得出，不在生產(chǎn)中測試。注意：關于選取晶振的信息，請參閱應用筆記AN2867“ST微控制器振蕩器設計指導”。這個數(shù)值是在一個標準的晶體諧振器上測量得到，它可能因晶體制造商的不同而變化較大。圖32 （略）Page 86 內部時鐘源特性表30和表31中給出的特性參數(shù)是使用環(huán)境溫度和供電電壓符合表12的條件測量得到。PLL和PLLI2S共用M因素。只有在主PLL上有SSCG。md是調制深度。（通過I/O口切換兩個LED燈）。他們是基于EMS水準和在應用筆記AN1709定義的類的。電磁干擾(EMI)當一個簡單的應用程序，正在執(zhí)行EEMBC174。這些測試符合EIA/JESD 78A IC封閉標準。表43. I/O電流注入敏感性（略）Page 97 I/O端口特性通用輸入/輸出特性除非另有說明，表44給出的參數(shù)是在表12總結的條件下測試得來的。這個MOS/NMOS對于串聯(lián)的電阻而言是很小的（~10%）。當在輸出模式中使用PC13到PC15GPIO時，速度不能超過2MHz，帶有一個最大負載達30pF。2. 流進設備的IIO電流必須總是滿足表10中指定絕對最大額定值，比企鵝IIO的總和（I/O端口和控制引腳）必須不超過IVSS。3. 圖37定義了最大頻率4. 對于高于50MHz的最大頻率，需要一個補償單元。3. 用戶必須確保NRST引腳上的電平能夠低于表47中指定的VIL（NRST）最大電平。 通信接口I2C接口特性除非特別說明，表50列出的參數(shù)是使用環(huán)境溫度，fPCLK1頻率和VDD供電電壓符合表12的條件測量得到。這個PMOS對于串聯(lián)的電阻而言是很小的（~10%）。參考STM32F20/21xxx 參考手冊，GPIOx_SPEEDR GPIO端口輸出速率寄存器的描述。表45. 輸出電壓特性(1) （略）1. 通過電源開關向PC13，PC14，PC15和PI8供電。20mA（帶一個不受約束的VOL/VOH），除了PC13，PC14 和 PC15，這幾個引腳能下落或起源高達177。6. 漏電可能高于最大值，如果負電流被注入相鄰的管腳。由一個超出范圍的參數(shù)指明故障：ADC誤差超出一個特定的限度（5 LSB TUE），相鄰引腳上超出特定的注入電流，或者其他功能性的故障（例如復位，振蕩器頻率誤差）。表41. ESD絕對最大額定值（略）1. 由綜合評估得出，不在生產(chǎn)中測試。為了完成這些試驗，在一系列規(guī)范值上，靜電釋放壓力能夠直接用于該系列。一個設備復位允許正常操作恢復。 EMC特性在設備特性期間的一個示例基礎上進行敏感測試。Page 91圖35和圖36所示的是在中心傳播和向下傳播模式中主PLL輸出時鐘波形，這里：F0代表的fPLL_OUT。5. 由綜合評估得出，不在生產(chǎn)中測試。圖34. ACCLSI與溫度的對比（略） PLL特性表32和表33列出的參數(shù)是使用環(huán)境溫度和供電電壓符合表12的條件測量得到。警告：為了避免超出CL1和CL2的最大值(15pF)，強烈建議使用負載電容CL≤7pF的諧振器。(譯注：這里提到的晶體諧振器就是我們通常說的無源晶振)Page 85表29 LSE 振蕩器特性(fLSE=)(1) （略）1. 由綜合評估得出，不在生產(chǎn)中測試。在選擇CL1和CL2時，PCB和MCU引腳的容抗應該考慮在內(可以粗略地把引腳與PCB板的電容按10pF估計)。有關晶體諧振器的詳細參數(shù)(頻率、封裝、精度等)，請咨詢相應的生產(chǎn)廠商。C下給出的?！?給出的數(shù)值是通過測量電流消耗計算得出?關閉所有外設的時鐘?只開啟一個外設的時鐘（只有時鐘應用）● 120MHz下，從閃存運行代碼以及訪問閃存的時間相當于三個等待周期● 預取和緩存開啟● 所有外設啟動時，HCLK = 120MHz，fPCLK1 = fHCLK/4，以及fPCLK2 = fHCLK/2● 典型值是在VDD==25176。（略）1. 所有典型和最大值將會進一步降至50%，由于ST元件測試程序的不斷提高。（略）Page 74圖24 運行模式下典型的電流消耗與頻率的對比，數(shù)據(jù)處理代碼在閃存中運行，關閉ART加速器，開啟所有外設。Page 72表19 運行模式下的典型和最大電流消耗，數(shù)據(jù)處理代碼從閃存（ART加速器使能）或內部RAM中運行。● 除非特別說明，當外設被使能時，HCLK作為系統(tǒng)時鐘，fPCLK1 = fHCLK/4, and fPCLK2= fHCLK/2。2. 由設計保證，不在生產(chǎn)中測試。 然而，~3V期間，它會退化。4. 如果TA較低，只要TJ不超過TJmax，則允許更高的PD數(shù)值。IINJ(PIN)絕對不可以超過他的極限。器件長期工作在最大值條件下會影響器件的可靠性。 引腳輸入電壓引腳上輸入電壓的測量方式示于圖17中。3∑)得到。6. FT=容忍5V,除非在模擬模式或振蕩器模式（對于PC14, PC15, PH0 和 PH1）7. 如果該系列是UFBGA176封裝，以及REGOFF引腳作為VDD(調壓器關閉)，那么PA0作為內部復位（低電平有效）。Page 40圖14. STM32F20x UFBGA176開銷（略）1. RFU意思是“保留為將來使用”。TPA硬件可以從開發(fā)工具供應商處購得，并能與第三方的調試軟件兼容。Page 35 溫度傳感器溫度傳感器產(chǎn)生一個隨溫度線性變化的電壓， VDDA 。在掃描模式下，自動進行在選定的一組模擬輸入上的轉換?！?能夠進行8, 10, 12或14位的并行數(shù)據(jù)通信● 支持8位的黑白動態(tài)視頻或原始彩色格式，YCbCr 4:2:2動態(tài)視頻，RGB 565動態(tài)視頻或壓縮的數(shù)據(jù)（如JPEG）。Page 33 音頻鎖相環(huán)(PLLI2S)該系列配置了一個額外的專用PLL用于音頻I2S 應用。USB OTG HS外設符合USB 規(guī)范。它有軟件可配置的端點設置并支持暫停/恢復?！?當系統(tǒng)時間大于目標時間時觸發(fā)中斷。STM32F207xx系列需要一個外部物理接口設備連接到物理局域網(wǎng)總線(雙絞線、光纖等）。Page 31 SDIOSD/SDIO/：1位(默認)、4位和8位。3位的預分頻器可產(chǎn)生8種主模式頻率，可配置成每幀8位或16位。內置了硬件CRC發(fā)生器/校驗器。它可以被當成看門狗用于在發(fā)生問題時復位整個系統(tǒng)，或作為一個自由定時器為應用程序提供超時管理。它們可以和TIM2, TIM3, TIM4, TIM5功能齊全的通用定時器同步運行。他們都有4個獨立的通道，每個通道都可用于輸入捕獲、輸出比較、PWM和單脈沖模式輸出，在最大的封裝配置中可提供最多16個輸入捕獲、輸出比較或PWM通道。配置為16位PWM發(fā)生器時，它具有全調制能力(0~100%)。VBAT管腳向RTC，后備寄存器和后備SRAM供電。在停機模式下，PLL、HSI的RC振蕩器和HSE晶體振蕩器被關閉，調壓器可以被置于普通模式或低功耗模式。它能通過軟件使能。內部低速RC振蕩器的典型頻率為32kHz。Page 25圖7 啟動調壓器關閉：VCAP_1/VCAP_2 穩(wěn)定后，VDD 斜坡電壓斷電復位上升減緩。否則，上電復位期間PA0應該被置低，(見圖8)。 電壓調壓器調壓器有5個操作模式：調壓器開 主模式 低功耗模式 關斷模式調壓器關 調壓器關/內部復位開啟 調壓器關/內部復位關閉Page 24調壓器開啟LQFP封裝默認調壓器開模式啟用。 供電監(jiān)控器 本產(chǎn)品內部集成了上電復位(POR)/斷電復位(PDR)和掉電復位電路。在這種情況下，I2S 主時鐘可以產(chǎn)生8K到192K范圍內的所有標準采樣頻率。這個時鐘是失效監(jiān)控的。NVIC主要特點如下：緊耦合的NVIC能夠達到低延遲的中斷響應處理中斷向量入口地址直接進入內核緊耦合的NVIC內核接口允許中斷的早期處理處理晚到的較高優(yōu)先級中斷支持中斷尾部鏈接功能自動保存處理器狀態(tài)中斷返回時自動恢復，無需額外指令開銷該模塊以最小的中斷延遲提供靈活的中斷管理功能。每個通道連接到專門的硬件DMA請求，每個通道支持軟件觸發(fā)。 4K字節(jié)的后備SRAM。在一個實時操作系統(tǒng)環(huán)境中，內核能基于這個進程的執(zhí)行，動態(tài)的更新存儲器保護單元的設置。為了緩解處理器在150 DMIPS全速頻率下的性能，處理器執(zhí)行一個指令預取隊列，以及分支緩存，從而提高從128位的閃存中的程序執(zhí)行速度。ARM Cortex?M3處理器是最新一代的嵌入式ARM處理器。Page 17圖1 LQFP176封裝的STM32F10xx和STM32F2xx兼容板的設計。盡管如此，從STM32F10xxx向STM32F20x系列過渡仍然是很簡單的，只有幾個管腳受到了影響。3. 當設備工作于0176。3. 當設備工作于0176。STM32F205xx和STM32F207xx系列產(chǎn)品提供包括從64腳至176腳的4種不同封裝形式。4個USART接口和2個UART接口帶高速性能（帶ULPI）的OTG全速USB接口另有一個USB OTG（全速）2個CAN接口1個SDIO接口以太網(wǎng)接口和攝像頭接口是STM32F207xx設備特有的。 已經(jīng)利用CoreMark基準測試對該性能進行了驗證。欲知意法半導體STM32?整個系列的更多細節(jié)，：完全兼容整個系列。C下精度為1%）帶校準功能的32kHz RTC振蕩器內嵌帶校準功能的32kHz的RC振蕩器低功耗：睡眠、停機和待機模式VBAT為RTC，2032位后備寄存器，以及可選的4KB后備SRAM供電312位A/D轉換器，：多達24個輸入通道在三倍間插模式下轉換速率高達6MSPS212位D/A轉換器通用DMA：16組帶集中式FIFO和支持分頁的DMA控制器多達17個定時器：多達12個16位和2個32位的定時器，頻率可達120MHz，每個定時器有多達4個用于輸入捕獲/輸出比較/PWM或脈沖計數(shù)的通道和增量編碼器輸入調試模式：串行單線調試(SWD)和JTAG接口CortexM3內嵌跟蹤模塊(ETM)多達140個具有中斷功能的I/O端口：多達136個快速I/O端口，其頻率可達60MHz多達138個耐5V的I/O端口多達15個通信接口：多達3個I2C接口(支持SMBus/PMBus)多達4個USART接口和2個UART接口 ( Mbit/s，支持ISO7816，LIN，IrDA接口和調制解調控制)多達3個SPI接口(傳輸速度可達30 Mbit/s)，其中2個可復用為I2S接口，通過音頻PLL或外部PLL來實現(xiàn)音頻類精度2個CAN接口( 版本)SDIO接口高級互連功能：帶有片上物理層的USB 帶有專用DMA，片上全速PHY和ULPI的USB 帶有專用DMA的10/100 以太網(wǎng) MAC.，支持硬件IEEE 1588v2（MII/RMII）8到14bit并行攝像頭接口，最高達48Mbyte/sCRC計算單元96位唯一ID模擬真正的隨機數(shù)發(fā)生器Page 2目錄略Page 3目錄略Page 4目錄略Page 5表格目錄略Page 6表格目錄略Page 7插圖目錄略Page 8插圖目錄略Page 9插圖目錄略Page 101 簡介這個數(shù)據(jù)手冊給出了STM32F205xx和STM32F207xx系列微控制器的說明書。該系列產(chǎn)品還帶有自適應實時存儲器加速器(ART加速器?)，在高達120MHz的CPU頻率下，程序在Flash存儲器中運行時，可以實現(xiàn)相當于零等待狀態(tài)的運行性能