【正文】 制才能夠得到單片機(jī)的響應(yīng)。其幀格式為： 方式 1 真正用于串行發(fā)送或接收，為 10位通用異步接口。 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計 25 ② SM2=0 或收到的停止位為 1（方式 1 時，停止位進(jìn)入 RB8）。其操作與方式 1 類似。 （二） 四種方式的比較 方式 0 8位同步移位寄存 器 常用于擴(kuò)展 I/O 口 fosc/12 方 式 1 10位 UART 起始位 0、 8 位數(shù)據(jù)、結(jié)束位 1 可變（取決于定時 器 1溢出率） 方式 2 11位 UART 起始位 0、 8 位數(shù)據(jù)、奇偶校驗(yàn)位結(jié)束位 1 fosc/64 或fosc/32 方式 3 12位 UART 同上 可變（取決于定時 器 1溢出率） 特殊功能寄存器（ SFR） AT89C51 單片機(jī)共有 21 個特殊功能寄存器，用于對片內(nèi)的個功能的部件進(jìn)行管理、控制、監(jiān)視。 圖 2 為三相橋式全控整流電路，觸發(fā)脈沖信號輸出的時序也可由單片機(jī)根據(jù)同步信號電平確定，當(dāng)單片機(jī)檢測到 A 相同步信號時，輸出脈沖時序通常采用移相觸發(fā)脈沖的方法，即用一個同步電壓信號和一個定時器完成觸發(fā)脈沖的計算。和 120176。需要注意，從單片機(jī)檢測到同步電壓正跳變到輸出第一個觸發(fā)脈沖信號的時間，必須調(diào)整到小于等于 60176。在選用時，可控硅實(shí)際工作電壓的峰值應(yīng)低于額定電壓，并要考慮足夠的安全系數(shù)。在使用時，可控硅實(shí)際通過的最大平均電流應(yīng)低于通態(tài)平均電流，并要考慮電流波形的變化而進(jìn)行相應(yīng)的換算，再留有 倍到 2 倍的余量。 晶閘管發(fā)生過電流的原因主要有：負(fù)載端過載或者短路；某個晶閘管被擊穿短路，造成其他元件的過電流；觸發(fā)電路工作不正常或受干擾，使晶閘管誤觸發(fā)，引起過電流。其二是快速熔斷器與原件串聯(lián)可以對元件本身的故障進(jìn)行保護(hù)。因此必須采取措施消除晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計 34 AIKIAAKIKIddn 1221 ???? ??????? 6． 2 具體器件的計算與選擇 （ 1）整流變壓器的計算 ① 二次側(cè)相電壓： ? ?BAUdU ?~12 ? 查表知，三相全控橋時 ?? UUA d （ 取 ?? 為電網(wǎng)波動系數(shù)） dvd UUB? 查表知 COSB? , 角考慮 010 裕量 故 ?B 所以 ? ? VU 127~ ~12 ???? 取 VU 1202 ? ，所以 變比 ??? UUK ② 一次、二次側(cè)電流的計算 查表知 ， ③ 變壓器容量的計算 一次側(cè) ，二次側(cè)繞組的相數(shù) 31?m ， 32?m 所以 VAIUmS 114001038031111 ????? VAIUmS 1 0 8 7 2 032222 ????? ? ? ? ? VASSS 1 1 1 3 621 0 8 7 21 1 4 0 0221 ????? 又因?yàn)? 勵磁功率 WP ??? 所以 取 KVAS ? ， KVAS ? ， KVAS ? ， AI ? ， AI ? （ 2）晶閘管元件的選擇 ① 晶閘管額定電壓 ? ? ? ? VUU TmTN 8 8 2~5 8 81 2 063~23~2 ???? 取 VUTN 800? ② 晶閘管的額定電流 查表知 ?K ? ? ? ? ? ? AKII dVAT ~~~ ????? 取 ? ? AI VAT 50? 故選 Kp507 晶閘管元件 ??nK單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計 35 ③ 晶閘管兩端的過電壓保護(hù) 晶閘管： ??? 40, 22 RuFC 電容耐壓 VVUVm 2 ???????? 選 C2JD2 型金屬化介電容器，電容量 ，耐壓 V400 電阻功率： WfcuP mR 622 ??? ? 取 ??432R ， W1 金屬膜電阻 ④過電流保護(hù) 快速熔斷器的選擇 接有電抗器的三相全控橋電路，通過晶閘管電流有效 AAII dT 213373 ??? 故選用 RLS50 的熔斷器，熔斷電流為 A50 ⑤ 電壓和電流上升率的限制 電壓上升率 tudd ，正向電壓上升率較大時，使晶閘管誤導(dǎo)通。 鑒于時間和各方面的因素本此課題還不完善，還有許多的不足和缺陷，本身電力電子的三相控制觸發(fā)在國內(nèi)的研發(fā)起點(diǎn)晚，還不成熟。t charge you more than 35% of your pensation if you win the case. If you are thinking about signing up for a damagesbased agreement, you should make sure you39。很好的克服了傳統(tǒng)的模擬晶閘管觸發(fā)電路的很多缺點(diǎn)。這是過電壓保護(hù)的基本方法。 （ 3）過流截止保護(hù) 利用過電流的信號將晶閘管的觸發(fā)脈沖移后，使晶閘管的導(dǎo)通角減小或者停止觸發(fā) 2 過 電壓保護(hù) 晶閘管耐受過電壓的的能力極差，當(dāng)電路中電壓超多其反相擊穿電壓時，即使時間極短，也容易損壞。快速熔斷器用的是銀質(zhì)熔絲，在同樣的過電流倍數(shù)下，它可以在晶閘管損壞之前熔斷，這是晶閘管過電流保護(hù)的主要措施。這種紋波往往是有害的，需要由平波電抗器加以抑制。當(dāng)可控硅的導(dǎo)通角小于 180176。 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計 32 (1) 額定電壓的選擇可控硅型號上的額定電壓，一般是將正向轉(zhuǎn)折電壓與反向擊穿電壓所對應(yīng)的正弦半波電壓的最大值各減去 100V，并取整數(shù)值作為斷態(tài)復(fù)重峰值電壓UDRM 與反向重復(fù)峰值電壓 URRM，而把 UDRM 與 URRM，中較小的數(shù)值作為該元件的額定電壓。當(dāng)以 A 相同步電壓信號為基準(zhǔn)，單片機(jī)檢測到 A 相同步電壓信號正跳變時，啟動定時器工作，當(dāng)定時器溢出時，輸出第一個觸發(fā)脈沖信號，以后由所計算出的周期確定每隔 60176。 圖 53 為三相橋式全控整流電路 因?yàn)橹挥靡粋€同步輸入信號，所有晶閘管的觸發(fā)脈沖延遲都以其為基準(zhǔn)。 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計 27 AT89C51 單片機(jī)中 21 個特殊功能寄存器 如表所示： MCS－ 51 單片機(jī)的特殊功能寄存器 符號 地址 功能介紹 B F0H B 寄存器 ACC E0H 累加器 PSW D0H 程序狀態(tài)字 IP B8H 中斷優(yōu)先級控制寄存器 P3 B0H P3 口鎖存器 IE A8H 中斷允許控制寄存器 P2 A0H P2 口鎖存器 SBUF 99H 串行口鎖存器 SCON 98H 串行口控制寄存器 P1 90H P1 口鎖存器 TH1 8DH 定時器 /計數(shù)器 1（高 8 位） TH0 8CH 定時器 /計數(shù)器 0（ 高 8 位） TL1 8BH 定時器 /計數(shù)器 1（低 8 位） TL0 8AH 定時器 /計數(shù)器 0（低 8 位） TMOD 89H T0、 T1 定時器 /計數(shù)器方式控制寄存器 TCON 88H T0、 T1 定時器 /計數(shù)器控制寄存器 DPH 83H 數(shù)據(jù)地址指針（高 8 位） DPL 82H 數(shù)據(jù)地址指針（低 8 位） SP 81H 堆棧指針 P0 80H P0 口鎖存器 PCON 87H 電源控制寄存器 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計 28 第五章 控制系統(tǒng)原理 5． 1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖 圖 51 AT89C51 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計 29 5． 2 觸發(fā)器硬件組成 圖 52 5． 3 移相觸發(fā)脈沖的控制原理 相位控制要求以變流電路的自然換相點(diǎn)為基準(zhǔn)，經(jīng)過一定的相位延遲后，再輸出觸發(fā)信號使晶閘管導(dǎo)通。當(dāng)檢測到 RXD()端有 1→ 0 的跳變（起始位）時，開始接收 9 位數(shù)據(jù)，送入移位寄存器（ 9 位）。 方式 3 的波特率則由 T1 的溢出率決定，可用程序設(shè)定。即上一幀數(shù)據(jù)接收完成時， RI=1 發(fā)出的中斷請求已被響應(yīng)， SBUF 中數(shù)據(jù)已被取走 。這種方式不適用于兩個 8051 之間的串行通信，但可以通過外接移位寄存器來實(shí)現(xiàn)單片機(jī)的 I/O 接口擴(kuò)展。每一個中斷源可以編程為高優(yōu)先權(quán)級別或低優(yōu)先權(quán)級別中斷，允許或禁止向 CPU 請求中斷。 片內(nèi)為 128 個字節(jié)，字節(jié)地址為 00H～ 7FH。讀簽名字節(jié)的過程和單元 030H、 031H 和 032H 的正常校驗(yàn)相仿，只需將 和 保持低電平，返回值意義如下： （ 030H） =1EH 聲明產(chǎn)品由 ATMEL 公司制造。 芯片擦除 整個 PEROM 陣列和三個鎖定位的電擦除可通過正確的控制信號組合，并保持 ALE管腳處于低電平 10ms 來完成。每個字節(jié)寫入周期是自身定時地，通常約為 。編程接口可接收高電平（ +12V）或低電平（ VCC）的允許編程信號，低電平編程模式適合于用戶再線編程系統(tǒng)，而高電平編程模式可與通用 EPROM 編程器兼容。其二是通過硬件復(fù)位也可將空閑工作模式終止，需要注意的是，當(dāng)由硬件復(fù)位來終止空閑模式時， CPU 通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指令開始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個機(jī)器周期（ 24 個時鐘周期）有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止 CPU 訪問片內(nèi) RAM，而允許訪問其它端口。 用戶也可以采用外部時鐘。 如果加密位 LB1 被編程，復(fù)位時內(nèi)部會鎖存 EA端狀態(tài)。 如有不要，可通過對特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中的 8EH 單元的 D0 位置位，可禁止 ALE 操作。做輸出端時，被外部拉低的 P3 口將用上拉電阻輸出電流（ Iil）。 P2 口 P2 是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P2 的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流） 4 個 TTL 邏輯門電路?？臻e方式停止 CPU 的工作，但允許 RAM，定時／計數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。 三相橋式全控整流電路接反電勢電感性負(fù)載時，在負(fù)載電感足夠大足以使負(fù) 載電流連續(xù)的情況下，電路工作情況與電感性負(fù)載時相似，電路中各處電壓、電 流波形均相同，僅在計算 Id 時有所不同，接反電動勢電感性負(fù)載時的 Id 為： Id = REUd? （式中和分別為負(fù)載中的電阻值和反電動勢的值） 小結(jié)： 變壓器二次側(cè)每相有兩個匝數(shù)相同、極性相反（同名端相反）的繞組。 。 時： Ud 波形連續(xù)，工作情況與帶電阻負(fù)載時十分相似，各晶閘管 的通斷情況、輸出整流電壓 Ud 波形、晶閘管承受的電壓波形等都一樣； 區(qū)別在于：由于負(fù)載不同，同樣的整流輸出電壓加到負(fù)載上，得到的負(fù)載電流波形不同。 時，如 ａ =90176。 期間， iu為正， iu波形的形狀與同時段的 Ud 波形相同，在 VT4 處于通態(tài)的 120176。 就需要提供兩個觸發(fā)脈沖。 ，共陽極組 VT VTVT2 也依次差 120176。觸發(fā)角ａ的起點(diǎn)，仍然是從自然換相點(diǎn)開始計算，注意正負(fù)方向均有自然換相點(diǎn)。時的情況 第三章 三相橋式全控整流電路 3． 1 三相橋式全控整流電路電阻性負(fù)載 （圖 3— 1 三相橋式全控整流電路原理圖） 三相全橋的特點(diǎn)： 從這個角度可以看出，晶閘管是一種電流控制型的電力電子器件。 （ 5）光觸發(fā)：當(dāng)強(qiáng)光直接照射在硅片上，產(chǎn)生電子空穴對，在電場的作用，產(chǎn)生觸發(fā) SCR 的電流。如果繼續(xù)降低 I，則 SCR 同樣會關(guān)斷?？茖W(xué)實(shí)驗(yàn)或某些特殊場合，常常需要一些特種電源，這也是電力電子技術(shù) 的用武之地。此外，有些洗衣機(jī)、電冰箱、微波爐等電器也應(yīng)用了電力電子技術(shù)。如有源濾波器（ APF Active Power Filter）一可進(jìn)行用戶端的無功補(bǔ)償和諧波抑制。除牽引電機(jī) 傳動外，車輛中的各種輔助電源也都離不開電力電子技術(shù)電動汽車的電機(jī)靠電力電子裝置進(jìn)行電力變換和驅(qū)動控制，其蓄電池的充電也離不開電力電子裝置。電力電子應(yīng)用系統(tǒng)向著高效、節(jié)能、小型化和智能化的方向發(fā)展。它廣泛用于電化學(xué)工業(yè)、電氣鐵道直流變電所以及軋鋼用直流電動機(jī)的傳動，甚至用于直流輸電。此種控制方式其 主要優(yōu)點(diǎn)是輸出波形穩(wěn)定和可靠性高 抗干擾強(qiáng)的特點(diǎn)。具體運(yùn)行由工頻三相電壓經(jīng)變壓器后在芯片控制下在不同的時刻發(fā)出不同的脈沖信號去控制相應(yīng)的SCR 可控硅整流為直流電給負(fù)載供電。在 30 年代到 50 年代，是水銀整流器發(fā)展迅速并大量應(yīng)用的時期。新的控制技術(shù)的使用，以減小電力電子器件的開關(guān)損耗，如軟開關(guān)技術(shù)；通過諧振電路使得器件在零電壓（ ZVS）或零電流（ ZCS）的狀態(tài)下進(jìn)行開關(guān)。在未來的磁懸浮列車中，電力電子技術(shù)更是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。毫不夸張地說，離開電力電子技術(shù)，電力系統(tǒng)的現(xiàn)代化是不可想象的直流輸電在長距離