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基于單片機(jī)的溫度控制系統(tǒng)的研究畢業(yè)設(shè)計(jì)(存儲版)

2025-07-27 20:05上一頁面

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【正文】 大學(xué)出版社[20] 四川工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào)[21]王學(xué)前, 四川工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào)[22] 武漢工業(yè)大學(xué)出版社[23] 煤炭科學(xué)技術(shù)38[24] 西北輕工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào)[25] 王玨, 北京兵器工業(yè)出版社[26] 夏國華 楊樹蓉 現(xiàn)代熱處理實(shí)用技術(shù)數(shù)據(jù)手冊 國防工業(yè)出版社[27] 人民郵電出版社[28] 陳明熒 8051單片機(jī)課程設(shè)計(jì)實(shí)訓(xùn)教材 北京清華大學(xué)出版社[29] 通過做本課題,我了解并掌握了傳感器的基本理論知識,更深入的掌握單片機(jī)的開發(fā)應(yīng)用和PC編程控制。在此,衷心感謝本次設(shè)計(jì)的指導(dǎo)老師:張道海主任,涂緒堅(jiān)老師! 謝謝! 作者:伍利鋒 2010年6月 40東華理工大學(xué)長江學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 附錄附錄程序ORG 0000HLAMP mainORG 0003HAJMP PINTOORG 000BH Ajmp BRTOORG 0013HAjmp INT1Main: MOV SP, 20H CLR A MOV 21H, A MOV 22H, A MOV 23H, A MOV 24H, A MOV 25H, A MOV 26H, A MOV 27H, A MOV 28H, A MOV 29H, A MOV 2AH, A MOV 2BH, A MOV 2CH, A MOV 2DH, A MOV 2FH, A MOV 30H, A MOV 31H, A MOV 32H, A ;顯示緩沖區(qū) MOV 33H, A MOV 34H, A MOV 35H, A ; 恒溫溫度暫存區(qū) MOV 36H, A MOV 37H, A MOV 38H, A MOV 39H, A ;升溫速率暫存區(qū) MOV 3AH, A MOV 3BH, A ;恒溫時(shí)間暫存區(qū) MOV 3EH, A MOV 4AH, A ;降溫速率暫存區(qū) 41 MOV 4BH, A MOV 4CH, A MOV 4FH, A MOV 50H, A MOV 51H, A e(k1) MOV 52H, A 。我在以后的設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)中會加以致用,取得更好的成績。 北京航空航天大學(xué)出版社[2]常鍵生 檢測與轉(zhuǎn)換技術(shù) 圖 46 模糊變量△kp的賦值 圖 47 模糊變量△ki =△kd的賦值PID 參數(shù)的整定需要考慮在不同時(shí)刻 3 個(gè)參數(shù)的作用以及相互之間的關(guān)系。使得檢測的工作人員能方便的了解到溫度過大的這個(gè)溫度信號。在實(shí)際的工作中,按鍵有時(shí)靈,有時(shí)不靈,實(shí)際上可能是在你只按了一次按鍵,可是計(jì)算機(jī)卻已執(zhí)行了好幾次任務(wù)。在系統(tǒng)設(shè)置了鍵盤中斷服務(wù)子程序,通過鍵盤送入的信號后,系統(tǒng)開始啟動工作。圖332 可控硅基本驅(qū)動電路 圖中有關(guān)元件功能如下:Rs,Cs為吸收電路,并接在功率可控硅的陽極和陰極之間,起保護(hù)作用。 圖330 可控硅調(diào)功原理圖 主要電路介紹(1)PWM脈沖形成及脈寬調(diào)制電路TL494是德克薩斯儀器公司研制的雙端脈寬調(diào)制器,其功能框圖與引腳如圖331所示。據(jù)文獻(xiàn)專門介紹:采用移相觸發(fā)的可控硅交流調(diào)功裝置,往往在可控硅導(dǎo)通的瞬間使電網(wǎng)電壓出現(xiàn)畸變,當(dāng)控制角為90176。運(yùn)放A5(uA741)接成跟隨器形式,以提高電路的負(fù)載能力。24 圖328 數(shù)模轉(zhuǎn)換接口電路DAC7521從8031的8位數(shù)據(jù)線上獲取12位的數(shù)據(jù)必須分兩次進(jìn)行。故每度所需的移相電壓 (33) 176。如果單片機(jī)本身的口線已被占用的話,則可以通過外擴(kuò)I/O接口芯片來構(gòu)成鍵盤借口電路,較常用的是8158255A等接口芯片,圖326是采用8155接口芯片構(gòu)成2*6鍵盤的接口電路,其中B口為輸入,作為行線;C口為輸出,作為列線。22 圖325 6位LED數(shù)碼顯示器接口的電路圖325是使用8155作為6位LED數(shù)碼顯示器接口的電路,其中8155的A口為輸出口(段控口),用以輸出8位顯示段碼(包括小數(shù)點(diǎn))。如圖324所示。在由多片單片機(jī)組成的系統(tǒng)中,為了各單片機(jī)之間時(shí)鐘信號的同步,還引人公用外部脈沖信號作為各單片機(jī)的振蕩脈沖。但復(fù)位不影響單片機(jī)內(nèi)部的RAM狀態(tài)。另外,單片機(jī)的復(fù)位狀態(tài)與應(yīng)用系統(tǒng)的復(fù)位狀態(tài)又是密切相關(guān)的,因此,必須熟悉單片機(jī)的復(fù)位狀態(tài)。由NE555定時(shí)器構(gòu)成的看門狗電路如圖321所示RC6為定時(shí)元件,由單穩(wěn)態(tài)電路產(chǎn)生的正脈沖寬度為,C5用于濾除高頻干擾。PC5~PC0:可用編程的方法來決定C口作為通用輸入/輸出線或作A口、B口數(shù)據(jù)傳送的控制應(yīng)答聯(lián)絡(luò)線。WR:寫選通信號端,低電平有效。CE:片選信號端,低電平有效。圖317 8155引腳和結(jié)構(gòu)圖8155為40腳雙列直插式封裝,其引腳的功能及特點(diǎn)說明如下:RESET:復(fù)位端,高電平有效。 靜態(tài)RAM6264簡介6264是8K8位的靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲器芯片,采用CMOS工藝制造,為28引腳雙列直插式封裝,其引腳圖如圖315所示。雙極型的特點(diǎn)恰好相反。另一方面,編程脈沖愈寬,芯片功耗愈大,芯片愈容易損壞。(2)編程:EPROM的編程有兩種方式:標(biāo)準(zhǔn)編程和靈巧編程。4. 2764的工作時(shí)序135.2764在使用時(shí),只能將其所存儲的內(nèi)容讀出,其過程與RAM的讀出十分類似。按照程序要求確定ROM存儲陣列中各MOS管狀態(tài)的過程叫做ROM編程。當(dāng)OE=0時(shí),三態(tài)門打開。單向的內(nèi)部有8個(gè)三態(tài)驅(qū)動器,分成兩組,分別由控制端1G和2G控制;雙向的有16個(gè)三態(tài)驅(qū)動器,每個(gè)方向8個(gè)。當(dāng)Rc=200KΩ時(shí),fLCK=140KHz。該芯片具有抗干擾性能好、轉(zhuǎn)換精度高、自動校零、自動極性輸出、自動量程控制信號輸出、外接元件少、價(jià)格便宜等特點(diǎn)。該電路包括16選1的譯碼器和譯碼器的輸出分別控制的16個(gè)CMOS雙向開關(guān)。對與冷端溫度補(bǔ)償器,在工業(yè)上采用如圖35所示補(bǔ)償電橋的冷端補(bǔ)償電路。熱電偶就是利用這個(gè)原理測量 溫度的??刂屏坑蒁/A轉(zhuǎn)換成模擬電壓,經(jīng)功率放大后驅(qū)動執(zhí)行機(jī)構(gòu)控制火爐的進(jìn)氣量,使?fàn)t子的溫度按規(guī)定的工藝曲線變化7 溫度檢測電路溫度檢測是溫度控制系統(tǒng)的一個(gè)重要的環(huán)節(jié),直接關(guān)系到系統(tǒng)性能。系統(tǒng)設(shè)計(jì)總體方案:本設(shè)計(jì)的主要解決的問題是通過單片機(jī)控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)對溫度的智能控制。本系統(tǒng)所使用的加熱爐為電加熱爐,爐絲功率為2kw,系統(tǒng)要求爐膛恒溫,誤差為士VC,超調(diào)量可能小,溫度上升較快且有良好的穩(wěn)定性. 單片機(jī)溫度控制系統(tǒng)是以MS5l單片機(jī)為控制核心,輔以采樣反饋電路,驅(qū)動電路,晶閘管主電路對電爐爐溫進(jìn)行控制的微機(jī)控制系統(tǒng)。(5) 自我診斷功能采用計(jì)算機(jī)技術(shù)后,可對控制系統(tǒng)進(jìn)行監(jiān)測,一旦發(fā)現(xiàn)故障則立即進(jìn)行報(bào)警,并可顯示故障部位或可能的故障原因,對排除故障的方法進(jìn)行提示。計(jì)算機(jī)技術(shù)的迅速發(fā)展,使得傳統(tǒng)的控制系統(tǒng)發(fā)生了根本性的變革,即采用微機(jī)作為控制系統(tǒng)的核心,代替?zhèn)鹘y(tǒng)的控制系統(tǒng)的傳統(tǒng)的電子線路,從而成為新一代的微機(jī)化控制系統(tǒng)。它不僅能發(fā)揮模糊控制的魯棒性好、動態(tài)響應(yīng)好、上升時(shí)間快和超調(diào)小的特點(diǎn),又具有 PID 控制器的動態(tài)跟蹤品質(zhì)和穩(wěn)態(tài)精度。圖11 模糊自整定 PID 控制 電爐采用模糊自整定 PID 控制的可行性在工業(yè)生產(chǎn)過程中,電爐隨著負(fù)荷變化或干擾因素的影響,其對象特性或結(jié)構(gòu)發(fā)生改變。 模糊 PID 控制模糊控制的概念是由美國加利福尼亞大學(xué)著名教授 首先提出的,經(jīng)過20多年的發(fā)展,模糊控制取得了矚目的成就。其中有利用開環(huán)階躍響應(yīng)信息,如 CoonCohen 響應(yīng)曲線法;還有使用Nyquist 曲線法的,如ZieglerNichols 連續(xù)響應(yīng)法。燃料量的調(diào)節(jié)通常利用閥門、翻板等實(shí)現(xiàn)。關(guān)鍵詞:單片機(jī);熱處理溫度控制;模糊 PID。東華理工大學(xué)長江學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 摘要東華理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)題  目: 基于單片機(jī)的溫度控制系統(tǒng)的研究 英文題目:Design of Temperature Control System Based on SCM 作  者: XXXXXXX 3 摘 要單片微型計(jì)算機(jī)是隨著超大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展而誕生的,由于它具有體積小、功能強(qiáng)、性價(jià)比高等特點(diǎn),把單片機(jī)應(yīng)用于溫度控制中,采用單片機(jī)做主控單元,無觸點(diǎn)控制,可完成對溫度的采集和控制的要求。因此本文將模糊控制算法引入傳統(tǒng)的加熱爐控制系統(tǒng)構(gòu)成智能模糊控制系統(tǒng)。常用燃料有煤、煤氣、重油等。 控制器發(fā)展現(xiàn)狀 PID 控制器的發(fā)展現(xiàn)狀在過去的 50 年,調(diào)節(jié)PID控制器參數(shù)的方法獲得了極大的發(fā)展。在現(xiàn)有的電加熱爐溫度控制方案中,PID 控制和模糊控制應(yīng)用最多,也最具代表性。它將模糊控制和 PID 控制器兩者結(jié)合起來,揚(yáng)長避短,既具有模糊控制靈活而適應(yīng)性強(qiáng),調(diào)節(jié)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有 PID 控制無靜差、穩(wěn)定性好、精度高的特點(diǎn),對復(fù)雜控制系統(tǒng)和高精度伺服系統(tǒng)具有良好的控制效果。大量的理論研究和實(shí)踐也充分證明了用模糊自整定 PID 控制電爐溫度是一非常好的解決方法。傳統(tǒng)的控制系統(tǒng)主要由測量電路和控制電路組成,所具備的功能較少,也比較弱,而且結(jié)構(gòu)很復(fù)雜。(4) 復(fù)雜控制規(guī)律利用計(jì)算機(jī)技術(shù)不僅可以實(shí)現(xiàn)經(jīng)典的PID控制,還可以實(shí)現(xiàn)各種復(fù)雜的控制規(guī)律,例如,自適應(yīng)控制、模糊控制等。單片微型計(jì)算機(jī)的功能不斷的增強(qiáng),為先進(jìn)的控制算法提供的載體,許多高性能的新型機(jī)種應(yīng)運(yùn)而生。2) 要求設(shè)計(jì)一個(gè)清晰明了的整體方案,各個(gè)芯片的選用要具體,具有良好的擴(kuò)展技術(shù)和接口技術(shù)。然后根據(jù)給定工藝參數(shù)和溫度反饋值,按預(yù)定控制算法進(jìn)行調(diào)節(jié)運(yùn)算,確定輸出控制量。A和B得兩個(gè)接點(diǎn)1和2之間存在溫度差時(shí),回路中便產(chǎn)生電動勢,形成一定大小得電流,這種現(xiàn)象稱為熱電效應(yīng),也叫溫差效應(yīng)。冷端補(bǔ)償方法較多,在本次的設(shè)計(jì)中我們采用的冷端溫度補(bǔ)償為電橋式冷端補(bǔ)償。9 CC4067是單片. 。 圖37 CC4067功能框圖10 A/D轉(zhuǎn)換器的選擇及連接5G14433是我國制造的31/2位模/數(shù)變換器,是目前市場上廣泛流行的最典型的雙積分模/數(shù)變換器。外接時(shí)鐘電阻Rc=470KΩ時(shí),fLCK≈66KHz。一、總線驅(qū)動器74LS244總線驅(qū)動器74LS244經(jīng)常用作三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器,74LS244為單向三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器,而74LS244為雙向三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器。OE為輸出允許端。只讀存儲器是由MOS管陣列構(gòu)成的,以MOS管的接通或斷開來存儲二進(jìn)制信息。(NC為不用的管腳)。一般照射擊15~20min即可擦除干凈。而且芯片容量愈大,所需的時(shí)間就愈多。MOS型集成度高、
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