幾種mos管驅(qū)動方式分析(存儲版)
【正文】 上開關(guān)頻率僅對較小極電容的MOSFET才可以。以上電路均已應(yīng)用到不同功率的實(shí)際開關(guān)電源的原理樣機(jī)中,經(jīng)過了實(shí)驗(yàn)的檢驗(yàn)。隔離變壓器磁化電感越大磁化電流越小,UC3724發(fā)熱越少,但太大使匝數(shù)增多導(dǎo)致寄生參數(shù)影響變大,同樣會使抗干擾能力降低。但該電路所存在的一個較大缺點(diǎn)是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化。表1不同占空比時toff的變化情況占空比toff(微秒）（2）有隔離變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動電路如圖6(a)所示,VV2為互補(bǔ)工作,電容C起隔離直流的作用,T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。由仿真及分析可知,占空比D越小、R1越大、L越大,磁化電流越小,U1值越小,關(guān)斷速度越慢。 隔離的驅(qū)動電路（1）正激式驅(qū)動電路電路原理圖如圖3(a)所示,N3為去磁繞組,S2為所驅(qū)動的功率管。為了提高電路的抗干擾性,可在此種驅(qū)動電路的基礎(chǔ)上增加一級由VVR組成的電路,產(chǎn)生一個負(fù)壓,電路原理圖如圖2(a)所示。本文介紹并討論分析一下作者在研制開關(guān)電源中使用的幾種結(jié)構(gòu)簡單可行的MOSFET管驅(qū)動電路。 關(guān)鍵詞：高頻驅(qū)動電路1 引言開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用已越來越普及。幾種MOSFET驅(qū)動電路的研究（5）另外要求驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單可靠,損耗小,最好有隔離。常用的互補(bǔ)驅(qū)動電路的關(guān)斷回路阻抗小,關(guān)斷速度較快,但它不能提供負(fù)
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