高電壓技術(shù)第四版習(xí)題答案(存儲(chǔ)版)
【正文】 壓為0；t=l/v時(shí)線路末端電壓為E。u??uq=ziq前行波電壓與電流之比為+z，反行波電壓與電流之比為‐z。z1+z2第八章補(bǔ)充210‐1補(bǔ)充1既糾結(jié)了自己，又打擾了別人。學(xué)習(xí)參考。用一些事情，總會(huì)看清一些人。變壓器上電壓高于避雷器殘壓的原因是變壓器距避雷器有一定的距離，避雷器擊穿時(shí)刻剛過(guò)避雷器的電壓也要經(jīng)過(guò)變壓器產(chǎn)生全反射，入射電壓＋全反射電壓大于避雷器殘壓。避雷線的作用：吸引雷擊于避雷線而避免導(dǎo)線直接受雷擊，耦合作用降低導(dǎo)線上承受過(guò)電壓。fu+截波產(chǎn)生電位梯度比全波更大，相當(dāng)于全波加直角波，直角波幅值大、陡度高、產(chǎn)生電位梯度高。7‐32．繞組中的波過(guò)程掌握波作用于單繞組時(shí)引起的振蕩（入口電容的概念，初始、穩(wěn)態(tài)電位分布和最大電位包絡(luò)線，降低電位梯度的措施），三相繞組中的波過(guò)程。非破壞性試驗(yàn)，即檢查性試驗(yàn)，包含的種類：絕緣電阻試驗(yàn)、介質(zhì)損耗角正切試驗(yàn)、局部放電試驗(yàn)、絕緣油的氣相色譜分析等第四章?? 削弱間隙中的碰撞電離過(guò)程，從而顯著增高間隙的擊穿電壓第4/8頁(yè) 補(bǔ)充2：1.1）機(jī)理當(dāng)棒極為正時(shí)，電子崩從棒極開(kāi)始發(fā)展（因?yàn)榇颂幍碾妶?chǎng)強(qiáng)度較高），電子迅速進(jìn)入陽(yáng)極（棒極），離子運(yùn)動(dòng)速度慢，棒極前方的空間中留下了正離子，使電場(chǎng)發(fā)生了畸變，見(jiàn)趙智大，p1圖1－12，使接近棒極的電場(chǎng)減弱、前方電場(chǎng)增強(qiáng)，因此，正極性時(shí)放電產(chǎn)生困難但發(fā)展比較容易，擊穿電壓較低。3）電暈會(huì)產(chǎn)生高頻脈沖電流，其中還包含著許多高次諧波，這會(huì)造成對(duì)無(wú)線電的干擾。?? 假設(shè)S保持不變，當(dāng)壓強(qiáng)P(氣體密度δ)增大時(shí)，電子的平均自由行程縮短了，相鄰兩次碰撞之間，電子積聚到足夠動(dòng)能的幾率減小了。忽略了帶電質(zhì)點(diǎn)改變電場(chǎng)分布及光電離（，從而對(duì)放電過(guò)程產(chǎn)生影響。Jg為真空和無(wú)損極化所引起的電流密度，為純?nèi)菪缘?；Jlk為漏導(dǎo)引起的電流密度，為純阻性的；Jp為有損極化所引起的電流密度，它由無(wú)功部分Jpc和有功部分Jpr組成。圖中C1γ很小離子電導(dǎo)1‐1金屬導(dǎo)體1‐6代表各種有損極化，而R3則代表電導(dǎo)損耗。流注理論認(rèn)為電子碰撞電離和空間光電離是維持自持放電的主要因素，并強(qiáng)調(diào)了空間電荷畸變電場(chǎng)的作用（充分注意到了空間電荷對(duì)電場(chǎng)畸變的作用）。δ?ScS值增大時(shí)，欲得一定的場(chǎng)強(qiáng)，電壓必須增大。電暈放電的危害主要表現(xiàn)在這幾個(gè)方面：1）伴隨著游離、復(fù)合、激勵(lì)、反激勵(lì)等過(guò)程而有聲、光、熱等效應(yīng)，發(fā)出“咝咝”的聲音，藍(lán)色的暈光以及使周圍氣體溫度升高等。補(bǔ)充3：補(bǔ)充1：?? 改善電極邊緣電極邊緣做成弧形3. 高氣壓的采用含鹵族元素的氣體化合物，如六氟化硫（SF6）、氟利昂（CCl2F2）等，其電氣
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