【正文】 3) 三極管在焊入電路時，應(yīng)先接通基極，再接入發(fā)射極，最后接入集電極。場效應(yīng)管也是由 P、 N兩種類型的半導(dǎo)體構(gòu)成。 S i O2 N 型 硅 襯 底P 型 區(qū)P型 區(qū)金 屬 鋁源 極 S 柵 極 G 漏 極 DS i O2 P 型 硅 襯 底N 型 區(qū)N 型 區(qū)金 屬 鋁源 極 S 柵 極 G 漏 極 D GDSGSD 襯 底P 襯 底P圖 7 1 9 增 強 型 M O S 場 效 應(yīng) 管 的 結(jié) 構(gòu) 及 電 路 符 號結(jié) 構(gòu) 符 號 結(jié) 構(gòu)符 號（a） P 溝 道 增 強 型 M O S 場 效 應(yīng) 管 （b） N 溝 道 增 強 型M O S場 效 應(yīng) 管 圖 720是增強型 MOS場效應(yīng)管的溝道形成示意圖 ， 柵極加有負(fù)電壓 ， 而 N型襯底加有正電壓 。 3. 場效應(yīng)管的主要參數(shù) 4) 直流輸入電阻 R GS 柵源極間的直流電阻。 3) 兩種工作方式：當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。 2) 場效應(yīng)管有 P型溝道和 N型溝道之分。 1. 晶閘管的結(jié)構(gòu)和類型 圖 7 2 2 晶 閘 管 的 外 形 、 結(jié) 構(gòu) 和 符 號P2GKAJJJ3AKGAGK AGK( a ) 外 形 ( b ) 結(jié) 構(gòu)( c ) 符 號12N2N1P1 2) 類型 常用的大功率晶閘管有螺栓式和平板式兩種外形，如圖 722(a)所示。 當(dāng)晶閘管的陽極和陰極承受正向電壓，控制電路中開關(guān) S閉合，使控制極也加正向電壓（控制極相對陰極）時，白熾燈亮，說明晶閘管導(dǎo)通。 2) 反向重復(fù)峰值電壓 U RRM 在控制極斷路時，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的反向峰值電壓，此電壓取反向擊穿電壓 U RO的 80%。 3．電感是利用自感原理制成的電子元件，主要用于扼流、濾波和儲能電路。整流二極管的主要參數(shù)為最大整流電流和最高反向工作電壓。場效應(yīng)管是一種電壓控制器件。 10．場效應(yīng)晶體管是一種單極型晶體管，可分為結(jié)型（ JFET）和絕緣柵型（ MOS）兩種，每種又可分為 P溝道和 N溝道兩種。按用途二極管可分為整流、檢波以及穩(wěn)壓、發(fā)光、變?nèi)?、光電等特殊二極管。 本章小結(jié) 1．常用電阻器有碳膜、金屬膜和線繞電阻等，主要參數(shù)是標(biāo)稱阻值、允許誤差和額定功率，在電路中起限流、分流、降壓、分壓、負(fù)載及阻抗匹配等作用。 KIKV2IC 2P N PV1IC 1N P NIAIGGSECAEAR( b )( a )N2N1P2GP1P2N1KA圖 7 2 4 晶 閘 管 工 作 原 理 等 效 電 路 1) 正向重復(fù)峰值電壓 U DRM 在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓。 2. 晶閘管的工作原理 ＋－Ea＋－EgS＋－Ea＋－EgS＋－Ea＋－EgS圖 7 2 3 晶 閘 管 導(dǎo) 通 實 驗 電 路 圖 當(dāng)晶閘管的陽極 A接電源 Ea的正端，陰極 K經(jīng)白熾燈接電源的負(fù)端時， 晶閘管承受正向電壓。 6. 使用場效應(yīng)管應(yīng)注意的問題 晶閘管 1）結(jié)構(gòu) 晶閘管具有三個 PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)，其外形、結(jié)構(gòu)和圖形符號如圖 722所示。在使用時，要根據(jù)電路要求選擇合適的管型。 1) 具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點，因而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，尤其用場效管做整個電子設(shè)備的輸入級，可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的整機低噪聲性能。 3) 跨導(dǎo) g M 漏源電壓一定時，漏源電流變化量和相應(yīng)柵壓變化量的比值叫跨導(dǎo)。增強型在柵壓為零時不存在導(dǎo)電溝道，漏 源之間不能流過電流，只有當(dāng)柵 源電壓大于（或小于）某個特定值時，導(dǎo)電溝道才會形成。三極管在工作時兩種不同極性的載流子均參與導(dǎo)電過程，所以又稱為 “ 雙極型晶體管 ” 。 (2) 焊接時，應(yīng)使用低熔點焊錫。 放大區(qū)，在截止區(qū)以上，飽和區(qū)與擊穿區(qū)之間的區(qū)域為放大區(qū)。圖中的曲線位置和形狀與 UCE 有關(guān)，兩條曲線表示在不同 UCE取值下的輸入特性曲線。 3) 共基極接法。通常以 f T 的值作為劃分高頻管和低頻管的標(biāo)志， f T ≤3MHz的稱為低頻管， f T ≥3MHz的稱為高頻管。 ④ 最大管耗 PCM 。 TO3金屬封裝三極管，如低頻大功率管 2SC3669（ NPN）、 2SA1429（ PNP）， 2SC3858（ NPN）， 2SA1494（ PNP）等。 PNN基 極B發(fā) 射 結(jié)集 電 結(jié)發(fā) 射 極E集 電 極C發(fā) 射 區(qū)基 區(qū)集 電 區(qū)（ a ） N P N 型EBCPPN基 極B發(fā) 射 結(jié)集 電 結(jié)發(fā) 射 極E集 電 極C發(fā) 射 區(qū)基 區(qū)集 電 區(qū)EBC圖 7 1 2 三 極 管 內(nèi) 部 結(jié) 構(gòu) 和 電 路 符 號（ b ） P N P 型 三極管的分類 按照結(jié)構(gòu)工藝分類，有 PNP和 NPN型；按照制造材料分類，有鍺管和硅管；按照工作頻率分類，有低頻管和高頻管。 ②最高反向工作電壓 U RM：二極管長期正常工作時所允許的最高反向電壓。通常反向偏壓越小，結(jié)電容越大；反向偏壓越大，結(jié)電容越小。 （ 2） 檢波二極管 檢波和整流的原理是一樣的，但整流的目的是為了得到直流電，而檢波則是為了從高頻調(diào)幅波中取出信號成分。 （ V ）電 壓0 . 6 1 0電 流（ m A ）2 04 0圖 7 1 0 硅 二 極 管 的 伏 安 特 性 曲 線（ 2） 反向特性 當(dāng)二極管兩端加上反向電壓時，反向電流很小，幾乎為零。 1. PN結(jié)的形成 圖 7 7 P N 結(jié) 的 形 成2． PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN結(jié)正向偏置時，多子下定向移動，耗盡層逐漸變薄，乃至消失，從而使 PN結(jié)處于導(dǎo)通，如圖 78（ a）所示。本征激發(fā)和復(fù)合在一定溫度下會達(dá)到動態(tài)平衡。 （ 1） 本征半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu) 晶體中原子以共價鍵結(jié)合，共價鍵中的兩個電子，稱為價電子。 2. 接插件 接插件是一種簡便的連接電子線路的定位接頭，由接件和插件兩部分構(gòu)成，一般狀態(tài)下是可以完全分離的，接觸對存在固定的對應(yīng)關(guān)系。一般要求在5000～ 35000次，通常要求是 10000次， 較高的要求是 5萬到 50萬次。不同規(guī)格的開關(guān)，其額定電壓和額定電流的值也不同。 3．電感器的標(biāo)識 和電阻、電容相類似，電感的標(biāo)志一般也采用直標(biāo)法和色標(biāo)法，具體表示方法和規(guī)則也與電阻類似。 按是否可調(diào)分： 固定電感和可調(diào)電感 。當(dāng)線圈中電流發(fā)生變化時，其周圍的磁場也產(chǎn)生相應(yīng)的變化，此變化的磁場可使線圈自身產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，這就是自感。 ② 文字符號法和數(shù)字標(biāo)注法：用數(shù)字、文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。 3．電容器的型號命名 國產(chǎn)電容器的命名由四部分組成： 第一部分：用字母表示名稱， C代表電容器。絕緣電阻越大越好。 實際電容量和標(biāo)稱電容量允許的最大偏差范圍，稱為誤差。 電容器 電容器（ Capacitor）簡稱電容，它是由兩個靠得很近的金屬極板，中間用絕緣材料（介質(zhì)）隔開而構(gòu)成的元件。普通電阻一般由 4環(huán)表示，精密電阻用 5環(huán)描述。 ②文字符號法：用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標(biāo)稱阻值，其允許偏差也用文字符號表示。如 1普通、 3超高頻 、 4高阻、 5高溫、7精密、 G高功率、 T可調(diào)。 圖 7 1 固 定 電 阻 、 電 位 器 的 外 形 及 符 號R R p（ a ） 固 定 電 阻 （ b ） 電 位 器1．電阻器的種類 電阻器按其結(jié)構(gòu)、用途與功能