模擬電子線路第2章楊凌(存儲版)
【正文】 內建電位差 NaNd VB≈VTln (2—7) ni2 其中 : VT≈26mV Na↑ Nd↑ ni↓ → VB↑ 167。 PN 結 f↑且反偏時 , CB影響顯著 . 2 、擴散電容 CD 正偏時 , CD較大 . 3 、結電容 Cj Cj= CB+CD 正偏時 , Cj≈CD (幾十 pF到幾千 pF) 反偏時 , Cj≈CB (幾 pF到幾十 pF) xn x － xp O pn0 np0 △ Qsn △ QSP VF + － P+ N 圖 167。 二極管 167。 二極管 激光二極管的物理結構是在發(fā)光二極管的節(jié)間安置一層 具有光活性的半導體，其端面經(jīng)過拋光后具有部分反射功能，因而形成一 光諧振腔 。 二極管基本應用電路 橋式整流 圖 VD3 R VD1 + vi2 － VD2 + vO － VD4 (a) (b) v2/V t 0 vO/V t 0 v2＞ 0， VD1√， VD3√， VD2 ， VD4 ， vO= v2 ； v2＜ 0， VD1 ， VD3 ， VD2√， VD4√， vO= － v2 . 167。 二極管基本應用電路 【 解 】 由題意可畫出穩(wěn)壓電路如圖 。 1 V △ vO= 177。 二極管基本應用電路 五 、 開關電路 二極管和電路中的其他元件連接在一起 ,可完成邏輯運算功能 .如“與”、“或”等 . vI1 vI2 VD1 VD2 vO 0V 0V √ √ 0V 3V √ 3V 0V √ 3V 3V 表 VCC（ 5V） R= vI1 vO VD1 VD2 vI2 圖 章末總結與習題討論 一、本章小結 熟悉半導體的基本概念 ─載流子 (電子、空穴 ) 、 P型半導體、 N型半導體、多子、少子、施主雜質、受主雜質等 。 (4) 當 vI≤－ 4V， VD2√, vO=－ 4V 輸入輸出波形如圖 (b)所示 . 思考 : (1) 如果假設 Vth≠0, RD= 0. 輸出波形如何 ? (2) 如果假設 Vth≠0, RD≠0. 輸出波形如何 ? 歡 迎 提 出 批 評 指 正 ! 。 vI＜ V1－ VD(on) ,VD√,vO=V1－ VD(on) . (c) (d) 圖 t t Vm vI/V t 0 vO/V 0 － (V1－ VD(on) ) vO/V 0 － ( V1+VD(on) ) R － V1 + + vI － + vO － VD － V1 + R + vI － + vO － VD 167。 1≈177。要求 選用合適的穩(wěn)壓管 (IZmin、 IZmax、 VZ、 PZM),以及合適的限流 電阻 (阻值、額定功率 ) 。 二極管基本應用電路 半波整流 圖 R + － － VD v2 + vO (a) v2/V t 0 vO/V t 0 VO Vm (b) v2＞ 0， VD√， vO= v2 ； v2＜ 0， VD ， vO= 0. Vm √2 V2 VO≈ ≈ ≈ (2—13) π π 167。頻率調制等 . 50 20 10 5 2 1 C/pF 0 5 10 15 20 25 V/V 圖 167。 按工作頻率分類 :高頻管、低頻管等 。 PN 結 (1)、雪崩擊穿 P N PN結 接電源負極 接電源正極 1 2 2 3 1 2 2 3 圖 電子 空穴 碰撞電離 電子 空穴對 碰撞電離 電子 空穴對 … 載流子倍增 167。 半導體的基本知識 N型硅半導體 n0 ≈ p0 n(x) p(x) 圖 0 x Jd=Jpd+Jnd （ 2—6） dp(x) Jpd=－ qDp dx dn(x) dn(x) Jnd=－ (－ q)Dn =qDn dx dx 由擴散運動產(chǎn)生的擴散電流是半導體區(qū)別于導體的一種 特有的電流 . 167。 半導體的基本知識 ni =pi=AT3/2e－ Eg0/2kT （ 2—1） 1016cm－ 3K－ 3/2 （ Si） 1016cm－ 3K－ 3/2 （ Ge） eV （ Si） eV （ Ge） k (玻爾茲曼常數(shù) ) = 10－ 5 eV/K
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