光電倍增管ppt課件(2)(存儲版)
【正文】 進行臨床身體檢查、診斷治療效果等。（在電鍍、蒸發(fā)控制等處，鍍膜的厚度可使用 X射線熒光光度計） 半導體檢查系統(tǒng) 廣泛地應(yīng)用于半導體芯片的缺陷檢查、掩膜錯位等。用于發(fā)生契倫柯夫光的大量介質(zhì)。 恒星及星際塵埃散亂光的測定 來自宇宙的紫外線有許多與天體表面溫度、星際物質(zhì)有關(guān)的信息。 。 十三、宇宙 天體 X線探測 來自宇宙的 X線中，含有很多揭開宇宙之謎的信息。二次粒子通過諸如氣體這種介質(zhì)時，具有一定能量的電荷粒子會發(fā)出契倫柯夫光，測定這種光的發(fā)射角度，可以識別電荷粒子。內(nèi)藏放射源、光電倍增管和閃爍體的探頭進入井中，分析放射源被散射的以及地質(zhì)結(jié)構(gòu)中的自然射線，判斷油井周圍的地層類型 及密度 九、工業(yè)計測 厚度計 工業(yè)生產(chǎn)中的諸如紙張、塑料、鋼材等的厚度檢測，可以通過包括放射源、光電倍增管和閃爍體的設(shè)備來實現(xiàn)。 液體閃爍計數(shù) 液體閃爍計數(shù)應(yīng)用于年代分析和生物化學等領(lǐng)域。它利用了塵埃粒子對光的散亂或 β射線的吸收原理 。用光電倍增管檢測熒光的強度及光譜特性，可以定性或定量地分析樣品成份。這種方法可以迅速地定性或定量地檢查出樣品中的元素。 1)使用前應(yīng)了解器件的特性。 4．光電倍增管工作電路：高壓供電電路和信號輸出 電路。用運算放大器作倍增管輸出的電流 電壓轉(zhuǎn)換，可以獲得較好的頻率響應(yīng)和線性。 優(yōu)點 ：屏蔽罩靠近陰極，效果好；暗電流小，噪聲低 陽極接地（負高壓接法 ） 陰極接地 (正高壓接法 ) 優(yōu)點 ：便于與后面放大器相連，操作安全 缺點 ：高壓不利于安全操作；接耐壓很高的隔直電容器。 光電倍增管分類 ? ： A側(cè)窗式 B端窗式； ? ： A透射式 B反射式； ? ： A單極 B多極； ? ： A盒狀 B圓籠式 C百葉窗式 D直線瓦片式 ? ： CsSb、 AgOCs、多堿 光電倍增管分類 光電倍增管的主要特性參數(shù) 1．靈敏度 2．電流增益 3．光電特性 4．光譜特性 5．伏安特性 6．時間特性 7．暗電流 8．疲勞特性 9．噪聲 1．靈敏度 光電倍增管的靈敏度： SK( ? )= IK ?/ ???? ΦIS /)( K λK ?單位： 陰極靈敏度 －－ μA/lm或 μA/W 陽極靈敏度 －－ A/lm 或 A/W 靈敏度是衡量光電倍增管探測光信號能力的一個重要參數(shù)。 盒柵式 收集率較高（可達 95%），結(jié)構(gòu)緊湊，但極間電子渡越時間零散較大。 4） . 電子倍增極 （ 2）實用的倍增極材料 靈敏的光電發(fā)射體，也是良好的二次電子發(fā)射體 a 復雜的半導體型：銻銫和銻銫鉀等堿金屬化合物化合物， b 氧化物型，主要是氧化鎂。 以 SiCs2O光電陰極為例 P型 Si的電子親和勢 : N型 Cs2O電子親和勢 : EA1=E0EC10 EA2=E0EC20 體內(nèi)： P型 表面： N型 ?從 Si的導帶底部漂移到表面 Cs2O的導帶底部。 C； ?暗電流大。 金屬： 半導體： 0?AE 0?AE常規(guī)光電陰極 負電子親和勢陰極 半導體材料廣泛用作光電陰極 （ 1）、銀氧銫 (AgOCs)光電陰極 常規(guī)光電陰極 ?峰值波長：350nm, 800nm ?光譜響應(yīng)范圍約 3001000nm； ?量子效率約 ％； ?使用溫度 100176。 響應(yīng)范圍 (100— 280nm) 2. 負電子親和勢陰極 負電子親和勢材料結(jié)構(gòu)、原理 重摻雜的 P型硅表面涂極薄的金屬 Cs，經(jīng)過處理形成 N型的 Cs2O。 窗口材料 合成石英 紫外光波長 延伸至 160nm 氟化鎂（鎂氟化物） 極好的紫外線透過性， 接近 115nm， 藍寶石 紫外光波長 延伸至 150nm 2）光電陰極 作用 : 1) 光電轉(zhuǎn)換能力 2) 長波波長閾值 3) 決定整管靈敏度 3）電子光學系統(tǒng) 作用 : 1）收集率接近于 1 2）渡越時間零散最小 4） .電子倍增極 －－由許多倍增極組成，決定整管靈敏度最關(guān)鍵部分 作用－－倍增 1015級倍增極 4） .電子倍增極 1）二次電子發(fā)射 材 料 一次電子 二次電子 二次電子發(fā)射系數(shù)： 12nn??（ 1）二次電子發(fā)射 二次電子發(fā)射系數(shù)： 12nn??二次發(fā)射系數(shù) 與一次電子能量關(guān)系 增大 Ep， δ值反而下降 不同材料 δmax 金屬： ～ 半導體和介質(zhì)： 5～ 6 負電子親和勢材料： 500~ δ隨 Ep增大而增大 Epmax約為 100～ 1800eV ~,kd ?? kCU?內(nèi)增益極高－－倍增原理 （ 1）二次電子發(fā)射 入射光
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