【正文】 而構(gòu)成MOS的電容式轉(zhuǎn)移器 。 見圖 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 (a) Ф1 Ф2 Ф3 t0 t1 t2 t3 t Ф (b) 電荷轉(zhuǎn)移過程 t=t0 t=t1 t=t2 t=t3 0 三相控制是在線陣列的每一個像素上有三個金屬電極 P1,P2,P3,依次在其上施加三個相位不同的控制脈沖 Φ1，Φ2， Φ3， 見圖 （ b） 。 在每一個光敏元件上都有一個梳狀公共電極 ,由一個 P型溝阻使其在電氣上隔開 。 單 、 雙數(shù)光敏元件中的信號電荷分別轉(zhuǎn)移到上 、 下方的移位寄存器中 ， 然后 ， 在控制脈沖的作用下 ， 自左向右移動 ， 在輸出端交替合并輸出 ， 這樣就形成了原來光敏信號電荷的順序 。 在垂直回掃結(jié)束后 ， 感光區(qū)回復到積光狀態(tài) 。隨后，在每個水平回掃周期內(nèi)，存儲區(qū)中整個電荷圖像一次一行地向上移到水平讀出移位寄存器中。 管心先裝于管腳上 ， 中間再用透明樹脂固定 ， 具有集光作用， 故此種結(jié)構(gòu)靈敏度較高 。 煙道里的煙塵濁度是用通過光在煙道里傳輸過程中的變化大小來檢測的 。 太陽能電池已在宇宙開發(fā) 、 航空 、 通信設(shè)施 、 太陽電池地面發(fā)電站 、日常生活和交通事業(yè)中得到廣泛應(yīng)用 。 (a) 光電追蹤電路 +12V R4 R3 R6 R5 R2 R1 W BG1 BG2 圖 (a)為光電地構(gòu)成的光電跟蹤電路 ， 用兩只性能相似的同類光電池作為光電接收器件 。 +12V 5G23 (d) 光電池放大電路 C3 12V W R1 R2 R3 R4 R5 C1 C2 1 8 7 6 5 4 3 2 圖 (d)為光電池放大電路 。 (c) 光電池觸發(fā)電路 R1 R2 R3 R4 R5 R6 BG1 BG2 BG3 BG4 C1 C2 C3 +12V W 圖 (c)為光電池觸發(fā)電路 。 調(diào)節(jié)控制器 逆變器 交流負載 太陽 電池 方陣 直流負載 太陽能電池電源系統(tǒng) 阻塞二極管 2．光電池在光電檢測和自動控制方面的應(yīng)用 光電池作為光電探測使用時 ， 其基本原理與光敏二極管相同 ， 但它們的基本結(jié)構(gòu)和制造工藝不完全相同 。 三、光電池應(yīng)用 光電池主要有兩大類型的應(yīng)用： ?將光電池作光伏器件使用 ， 利用光伏作用直接將大陽能轉(zhuǎn)換成電能 ， 即太陽能電池 。 一、煙塵濁度監(jiān)測儀 防止工業(yè)煙塵污染是環(huán)保的重要任務(wù)之一 。 絕緣玻璃 發(fā)光二極管 透明絕緣體 光敏三極管 塑料 發(fā)光二極管 光敏三極管 透明樹脂 1. 光電耦合器的結(jié)構(gòu) 采用金屬外殼和玻璃絕緣的結(jié)構(gòu) ， 在其中部對接 ， 采用環(huán)焊以保證發(fā)光二極管和光敏二極管對準 ， 以此來提高靈敏度 。即一列感光單元，一列不透光的存儲單元交替排列。 二相驅(qū)動 視頻輸出 行 掃 描 發(fā) 生 器 輸出寄存器 檢波二極管 二相驅(qū)動 感光區(qū) 溝阻 P1 P2 P3 P1 P2 P3 P1 P2 P3 感光區(qū) 存儲區(qū) 析像單元 視頻輸出 輸出柵 串行讀出 面型 CCD圖像傳感器結(jié)構(gòu) (a) (b) 圖 （ b） 所示結(jié)構(gòu)增加了具有公共水平方向電極的不透光的信息存儲區(qū) 。 這個過程重復地進行就得到相繼的行輸出 ,從而讀出電荷圖形 。 終端的輸出二極管搜集了少數(shù)載流子 ，送入放大器處理 ， 便實現(xiàn) 電荷移動 。 也有二相 、 三相等控制方式之分 。 CCD自 1970年問世以后 ， 由于它的低噪聲等特點 ， CCD圖象傳感器廣泛的被應(yīng)用在微光電視攝像 、 信息存儲和信息處理等方面 。 透射式光電轉(zhuǎn)速表。硅管的頻率響應(yīng)要比鍺管好 。 暗電流 /mA 光電流 /mA 10 20 30 40 50 60 70 T /186。 0 500lx 1000lx 1500lx 2022lx 2500lx I/mA 2 4 6 20 40 60 80 光敏晶體管的伏安特性 （ 2）伏安特性 光敏三極管的伏安特性曲線如圖所示 。 當入射光的波長增加時 ， 相對靈敏度要下降 。當光不照射時，光敏二極管處于載止狀態(tài)，這時只有少數(shù)載流子在反向偏壓的作用下，渡越阻擋層形成微小的反向電流即暗電流； 受光照射時， PN結(jié)附近受光子轟擊，吸收其能量而產(chǎn)生電子 空穴對，從而使 P區(qū)和 N區(qū)的少數(shù)載流子濃度大大增加，因此在外加反向偏壓和內(nèi)電場的作用下， P區(qū)的少數(shù)載流子渡越阻擋層進入 N區(qū)， N區(qū)的少數(shù)載流子渡越阻擋層進入 P區(qū)，從而使通過 PN結(jié)的反向電流大為增加，這就形成了光電流 。 2CU系列以 NSi為襯底， 2DU系列以 PSi為襯底。 1. 光電池的結(jié)構(gòu)和工作原理 + 光 P N － SiO2 RL (a) 光電池的結(jié)構(gòu)圖 I 光 (b) 光電池的工作原理示意圖 P N 光電池的表示符號 、 基本電路及等效電路如圖所示 。 ?砷化鎵光電池轉(zhuǎn)換效率比硅光電池稍高 ， 光譜響應(yīng)特性則與太陽光譜最吻合 。 由于它可把太陽能直接變電能 ， 因此又稱為太陽能電池 。 隨著溫度的升高 ， 其暗電阻和靈敏度下降 ， 光譜特性曲線的峰值向波長短的方向移動 。 硫化鉛 的使用頻率比 硫化鎘 高得多，但多數(shù)光敏電阻的 時延都比較大，所以，它不能用在要求快速響應(yīng)的場合。 20 40 60 80 100 40 80 120 160 200 240 λ/μm 3 1 2 相對靈敏度 1—— 硫化鎘 2—— 硒化鎘 3—— 硫化鉛 （ 4） 伏安特性 在一定照度下 ， 加在光敏電阻兩端的電壓與電流之間的關(guān)系稱為伏安特性 。 （ 2）光照特性 下圖表示 CdS光敏電阻的光照特性 。 RG RL E I 2. 光敏電阻的主要參數(shù)和基本特性 （ 1）暗電阻、亮電阻、光電流 暗電流： 光敏電阻在室溫條件下 ， 全暗 （ 無光照射 ）后經(jīng)過一定時間測量的電阻值 ， 稱為暗電阻 。 7電阻引線 。 光導體吸收光子而產(chǎn)生的光電效應(yīng) ， 只限于光照的表面薄層 ， 雖然產(chǎn)生的載流子也有少數(shù)擴散到內(nèi)部去 ， 但擴散深度有 A 金屬封裝的硫化鎘光敏電阻結(jié)構(gòu)圖 光導電材料 絕緣襯低 引線 電極 引線 光電導體 限 ， 因此光電導體一般都做成薄層 。 一、光敏電阻 光敏電阻又稱光導管，為純電