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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題(存儲版)

2024-12-08 08:43上一頁面

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【正文】 (3)、求 Av、 Ri 和 Ro 。 電路如圖 8( a)所示,其中電容 C C2 的容量視為無限大。 2圖 24所示,假設(shè)運放是理想的,其中 vs1?,vs2?, R1?50k?, R3?33k?,試寫出電路輸出電壓 vo的值。 ② 放大電路的微變等效電路如圖 8( b)所示。 7. 共射-共基組合電路中,由于共射電路的上限頻率共基電路的上限頻率,故此組合電路的上限頻率主要取決于 共射 電路。( 3 分) 解:( 1)當(dāng) ?12V?vi?10V 時, D D2 均截止, vo?vi( 2 分) 當(dāng) vi?10V 時, D1 導(dǎo)通、 D2 截止 ( 2 分) v2 o?10?(vi?10)?R R?R?10?(v10)?5?1 i?vi?5 125?52 當(dāng) vi??12V 時, D1 截止、 D2 導(dǎo)通 ( 2 分) vo?(vi?12)?R310 R?12?(v??12?2 i?12)vi?4 1?R310?53 vo~ vi波形如圖( a)所示 ( 1 分) ( 2) vo波形如圖( b)所示 ( 3 分) 2. 基本放大器如圖 5 所示,已知晶體管的 ??100, VBE(on)?,rbb??300?, RE?, I1?I2?10IBQ, C1, C2 和 Ce均可視為中頻交流短路( 15分) ( 1)欲使 ICQ?1mA, VCEQ?6V,試確定 RB1, RB2 和 RC的值;( 6 分) ( 2)設(shè) R?,計算該放大器的中頻增益 Av Lv?o??;( 4 分) i ( 3)試求電容 C1確定的下限截止頻率 fL1(設(shè) C1?10μ F)。 6. 如圖所示的功率放大電路處于 類工作狀態(tài);其靜態(tài)損耗為 ;電路的最大輸出功率 為 ;每個晶體管的管耗為最大輸出功率的 倍。 ( 9 分) 五、電路如圖所示。 Aod A4.差模、共模、 oc。 3.直接耦合放大電路存在 ____________ 現(xiàn)象。 四、 1. ff)(1?j5)1010 ?U?gm(Rg3//Ri2)U??Rc??Rco?Aui??o1???1?gm(Rg3//Ri2)rbe?(1??)Rerbe?(1??)Re Uo1UI Ri?Rg1//Rg2Ro?Rc ??U??UUUooI????RiAus????Au?I?AuURs?Ri UUUsIss 五、 uo??Rf R1uI1?RfR2uI2??1??t 六、 1. U0? 2. R1?R2?R3R?R2?R3UZ~1UZ?12~24VR3?R2R3 U2?UI? UI?UCEmin?Uomax?27V 3. Uomin?? UominIEmax?Iomax??Iomax??R2?R3 PTmax?IEmax(UImax?Uomin)? Iomax? 模擬電子技術(shù)試卷(第 3 套) 一 . 一 . 填空題 (每空 1 分 ,共 20分 ) (注:同一題中可能只給出部分“空”的選項) 1. 1. UGS = 0 時,能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有: A. JFET; MOSFET; MOSFET; 2. 測得放大電路中某 BJT各極直流電位 V1=12V, V2 =, V3 =0V,則該 BJT的基極電位等于,由 材料制成,管型為 。設(shè) UBEQ=UCES = 。 2. 在 OCL乙類功放中,若其最大輸出功率為 1W,則電路中功放管(單管)的集電極最大功耗約為 。 8. 通用型集成運放通常采用 耦合方式。 參考答案 一、 1. A、 C; 2. 、 Si、 PNP; 3. C、 F; 4. A、 C; 5.共集、 A、不同; 6.直接、低頻、差動、抑制共模信號; 7.穩(wěn)定的直流偏置、電壓放大倍數(shù); 8.帶阻、低通; 9.共射。 9. 由 FET 構(gòu)成的放大電路也有三種接法,與 BJT的三種接法相比,共源放大器相當(dāng)于放大器。 1.計算輸出電壓 Uo 的范圍為多少? ( 12分) 2.若 T1 管的最低管壓降為 3V,則 變壓器副邊電壓有效值 U2應(yīng)為多少伏? 3.在( 1)和( 2)的條件下,若 RL變化范圍為 100~ 300Ω,試說明三極管 T1 在什么時候功耗最大其值 如何? ` 一、 1. 1. 反向擊穿; 2. 2. 甲類、甲乙類、乙類、甲乙類; 3. 3. 零點漂移; 4. 4. (串聯(lián)負(fù)反饋)從 C到 F;(電壓負(fù)反饋)從 A 到 E; 5. 5. 差放輸入級、壓放中間級、互補輸出級、偏置電路; 6. 6. ( 1) ; ( 2) 5; ( 3) 20; 二、 1. VPomax?CC?9W2RL UoM1?IC(AV)?ISinωinωt?oM2??0?RL 22VCCPV?2VCCIC(AV)???RL P??omax?%PV 1PT1?PT2?(PV?Pomax)? W Tmax??. P 三、 1. 2 ??10Aum 2. j ?(j?)?A?AuumffL10?j? (1?jfff(1?j)(1?j)fLfH 3.輸出電壓會失真。 更正:將變壓器副邊的同名端標(biāo)在“地”的位置即可。 2.線性、非線性。 4.如圖所示電路中,反饋元件 R7 構(gòu)成級間負(fù)反饋,其組態(tài)為 ; 其作用是使輸入電阻、放大電路的通頻帶變。差動放大器的共模抑制比KCMR= 。(組成部分 3 分,功能 2 分) 三、分析計算題(共 5 小題,共 65分) 1. 二極管電路如圖 4( a)所示,設(shè)二極管為 理想的。 5. 圖 1 所示兩級放大電路,圖中級間采用 T1 接成 T2 接成集 組態(tài),R1 和 R2 的作用是。 ( 4) T截止, VC= 12V。 圖 20(a)、 (b)所示電路中,運放均為理想器件,求各電路輸出電壓 VO與輸入電壓 Vi或 Vi1, Vi2 的關(guān)系。 電路如圖 7 所示,已知晶體管 ?= 50,在下列情況下,用直流電壓表測晶體管的集電極電位,應(yīng)分別為多少?設(shè) VCC= 12V,晶體管飽和管壓降 VCES= 。 A、 3 價元素 B、 4 價元素 C、 5 價元素 D、 6 價元素 PN結(jié) V— I特性的表達示為( A ) vD/VT?1) B、 iD?IS(e?1)vD A、 iD?IS(e vD/VTvD/VTi?Ie?1i?eDSDC、 D、 多級放大電路與組成它的各個單級放大電路相比,其通頻帶( B ) A、變寬 B、變窄 C、不變 D、與各單級放大電路無關(guān) 某放大電路在負(fù)載開路時的輸出電壓為 4V,接入 12kΩ的負(fù)載電阻后,輸出電壓降為 3V,這說明放大電路的輸出電阻為( C ) A、 10kΩ B、 2kΩ C、 4kΩ D、 3kΩ 三極管工作于放大狀態(tài)的條件是( A) A、發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏 B、發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏 C、發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏 D、發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏 三極管電流源電路的特點是( ) A、輸出電流恒定,直流等效電阻大,交流等效電阻小 B、輸出電流恒定,直流等效電阻小,交流等效電阻大 C、輸出電流恒定,直流等效電阻小,交流等效電阻小 D、輸出電流恒定,直流等效電阻大,交流等效電阻大 畫三極管放大電路的小信號等效電路時,直流電壓源 VCC 應(yīng)當(dāng)( A ) A、短路 B、開路 C、保留不變 D、電流源 1帶射極電阻 Re的共射放大電路,在并聯(lián)交流旁路電容 Ce后,其電壓放大倍數(shù)將( ) A、減小 B、增大 C、不變 D、變?yōu)榱? 1有兩個放大倍數(shù)相同,輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路 A和B,對同一個具有內(nèi)阻的信號源電壓進行放大。 9將交流電變換成脈動直流電的電路稱為整流電路;半波整流電路輸出的直流電壓平均值等于輸入的交流電壓(即變壓器副邊電壓)有效值的 倍;全波整流電路輸出的直流電壓平均值等于輸入的交流電壓(即變壓器副邊電壓)有效值的 倍。 8正弦波振蕩電路起振的條件是A 8有用信號頻率高于 1000Hz, 可選用 高通 濾波器。 8信號發(fā)生器原理是在電路負(fù)反饋時 AF例如電路。 7如果有用信號頻率高于 1000Hz, 可選用 高通 濾波器;如果希望 500 Hz 以下的有用信號,可選用 低通 濾波器。 6為穩(wěn)定電路的輸出信號,電路應(yīng)采用 負(fù) 反饋。 60、負(fù)反饋對放大電路性能的改善體現(xiàn)在:提高 增益的穩(wěn)定性 、減小 非線性失真 、抑制 反饋環(huán)內(nèi)噪聲 、擴展 頻帶 、改變輸入電阻和輸出電阻。 5已知某差動放大電路 Ad=100、 KCMR=60dB,則其 AC= 。 4 FET是 電壓控制 器件, BJT是 電流控制 器件。 3三極管工作在放大區(qū)時,它的發(fā)射結(jié)保持 正向 偏置,集電結(jié)保持 反向 偏置。 2在三極管組成的三種不同組態(tài)的放大電路中,共射和共基組態(tài)有電壓放大作用,共射 組態(tài)有電流放大作用, 共射和共集 組態(tài)有倒相作用; 共集 組態(tài)帶負(fù)載能力強, 共集 組態(tài)向信號 源索取的電流小, 共基 組態(tài)的頻率響應(yīng)好。某放大電路中的三極管,測得管腳電壓 Va = 1V, Vb =, Vc =, 這是 硅 管(硅、鍺), NPN 型,集電極管腳是 a 。 1按一個周期內(nèi)一只三極管的導(dǎo)通角區(qū)分,功率放大電路可分為 甲類 、 乙類 、 甲乙類 三種基本類型。 硅二極管導(dǎo)通后,其管壓降是恒定的,且不隨電流而改變,典型值為 伏;其門坎電壓 Vth約為 伏。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題 填空題 1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為 ,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為 ;鍺二極管的門檻電壓約為 ,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為 。 PN具有 具有單向?qū)щ? 特性。 1 N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是 電子 ,少數(shù)載流子是 空穴 。 2 三極管實現(xiàn)放大作用的外部條件是: 發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏 。 2放大器級間耦合方式主要有阻容( RC)耦合、直接耦合和 變壓器 耦合三大類。 3場效應(yīng)管同雙極型三極管相比,其輸入電阻 大 ,熱穩(wěn)定性 好 3影響放大電路通頻帶下限頻率 fL 的是 隔直 電容 和 極間 電容。 4當(dāng)柵源電壓等于零時,增強型 FET 無 導(dǎo)電溝道,結(jié)型 FET的溝道電阻 最小 。 5差動放大電路中的長尾電阻R e或恒流管的作用是引人一個
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