【正文】 、 采 用 多 組 變 流 裝 置 串 聯(lián) 供 電 、 設(shè) 置 補(bǔ) 償 電容 幾種。（電源相電壓為 U2） 3要使三相全控橋式整流電路正常工作，對(duì)晶閘管觸發(fā)方法有兩種，一是用 大于 60186。 3異步電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速時(shí)，對(duì)定子頻率的控制方式有 恒壓頻比控制 、 轉(zhuǎn)差勁頻率控制 、 矢量控 制 、 直接轉(zhuǎn)矩控制 。）區(qū)間，使輸出電壓極性與整流時(shí)相反，才能把直流能量逆變成交流能量反送到交流電網(wǎng) 。 4對(duì)三相橋式全控變流電路實(shí)施觸發(fā)時(shí)，如采用單寬脈沖觸發(fā)，單寬脈沖的寬度一般 取 90 度較合適；如采用雙窄脈沖觸發(fā)時(shí)，雙窄脈沖的間隔應(yīng)為 60 度。 5晶閘管的維持電流 IH是指在 標(biāo)準(zhǔn)室溫 溫度條件下，門極斷開時(shí)，晶閘管從較大通態(tài)電流下降到剛好能保持導(dǎo)通所必須的最小 陽極 電流。 一、 填空題： 電 力電子技術(shù)的兩個(gè)分支是電力電子器件制造技術(shù)和 變流技術(shù) 。 導(dǎo)通：正向電壓、觸發(fā)電流 （移相觸發(fā)方式） 半控橋整流帶大電感負(fù)載不加續(xù)流二極管電路中，電路可能會(huì)出現(xiàn) 失控 現(xiàn)象，為了避免單相橋式 半控整流電路的失控，可以在加入 續(xù)流二極管 來防止失控。 1 強(qiáng)迫換流 需要設(shè)置附加的換流電路，給與欲關(guān)斷的晶閘管強(qiáng)迫施加反壓或反電流而關(guān)斷。 1 PWM 控制技術(shù)的理論基礎(chǔ)是 (面積等效原理 )沖量相等而形狀不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時(shí) ,其效果基本相同 PWM調(diào)制中常用的 計(jì)算法有 特定諧波消去法 。 2 單相交流調(diào)壓電阻性負(fù)載電路的移相范圍在 0度～ 180度 內(nèi)，在阻感性負(fù)載時(shí)移相范圍在 功率因素角 ～ 180度 內(nèi)。 3 帶平衡電抗器的雙反星型可控整流電路中平衡電抗器的作用是 使兩組三相半波整流電路能夠同時(shí)導(dǎo)電 。為了給交流側(cè)向直流側(cè)反饋的無功能量提供通道 ,逆變橋各臂都并聯(lián)了反饋二極管。 電流型 壓型逆變電路的特點(diǎn) ② 流側(cè)串聯(lián)有大電感， ②交流側(cè)輸出電流為矩形波（電壓為正弦波），并且與負(fù)載阻抗角無關(guān)。 載波比 N 等于常數(shù)，并在變頻時(shí)使載波和信號(hào)波保持同步的方式稱為同步調(diào)制。 分段同步高調(diào)制是把逆變電路的輸出頻率劃分為若干段，每個(gè)頻段的載波比一定，不同頻段采用不同的載波比。三相電路中 公用一個(gè)三角波載波，且取 N為 3的整數(shù)倍，使三相輸出對(duì)稱；為使一相的 PWM波正負(fù)半周鏡對(duì)稱， N應(yīng)取奇數(shù)。 晶閘管。當(dāng) fr增高時(shí)， N減小，一周期內(nèi)的脈沖數(shù)減少， PWM脈沖不對(duì)稱的影響就變大。使開關(guān)器件難以承受。這就使得輸出 PWM 波和正弦波的差異變大。 （ 1）直流側(cè)為電壓源或并聯(lián)大電容，直流側(cè)電壓基本無脈動(dòng)； (2)輸出電壓為矩形波（電流為正弦波），輸出電流因負(fù)載阻抗不同而不同； (3)阻感負(fù)載時(shí)需提供無功。 二、 簡(jiǎn)答題： 晶閘管的觸發(fā)電路有哪些要求？ 1 觸發(fā)電路發(fā) U 的觸發(fā)信號(hào)應(yīng)具有足夠大的功率 2 不該觸發(fā)時(shí)，觸發(fā)電路因漏電流產(chǎn)生的漏電壓應(yīng)小于控制極不觸發(fā)電壓 UGT 3 觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有足夠的寬度， 4 觸發(fā)脈沖前沿要陡 5 觸發(fā)脈沖應(yīng)與主回路同步，且有足夠的移相范圍。 3 在 SCR(Silicon Controlled Rectifier)、 GTO(Gate TurnOff Thyristor)、 GTR(Giant Transistor)、MOSFET(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor)、 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有 SCR ，全控型器件有 GTO、 GTR、 MOSFET、 IGBT ，電流驅(qū)動(dòng)器件有 SCR、 GTO、 GTR 。 （光隔離（光耦）、磁隔離（變壓器）等等） 2 電力 MOSFET 和 IGBT 由于具有正溫度系數(shù)，所以在并聯(lián)使用時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn) 均流 。 1 普通晶閘管 （用正弦半波電流平均值定義） 與雙向晶閘管的額定電流定義不一樣， 雙向晶閘管 的額定電流是用電流有效值來表示的。（電源相 電壓為 U2） 為了保證三相橋式可控整流電路的可靠換相，一般采用 雙窄脈沖 或者 寬脈沖觸發(fā)。選用時(shí)，額定電壓要留有一定的裕量，一般取額定電壓為正常工作時(shí)晶閘管所承受峰值電壓的 2~3倍。 5 PWM 逆變電路的控制方式有 正弦波 、 單項(xiàng)正弦波 、 雙極性正弦波 。 5由波形系數(shù)可知，晶閘管在額定情況下的有效值電流為 ITn等于 倍 IT（ AV） ，如果 IT（ AV） =100 安培，則它允許的有效電流為 安培。 47 、 造 成 逆 變 失 敗 的 原 因 有 逆 變 橋 晶 閘 管 或 元 件 損 壞 、 供 電 電 源 缺相 、 逆變角太小 、 觸發(fā)脈沖丟失或未按時(shí)到達(dá) 等幾種。 4實(shí)現(xiàn)有源逆為的條件為 要有一個(gè)直流逆變電源，它的極性方向與晶閘管的導(dǎo)通方向一致，其幅極應(yīng)稍大于逆變橋直流側(cè)輸出的平均電壓 和 逆變橋必須工作在β 90186。180 186。 雙向晶閘管的圖形符號(hào)是 ，三個(gè)電極分別是 第一陽極 T1 ， 第二陽極T2 和 門極 G ；雙向晶閘管的的觸發(fā)方式有 I+ 、 I 、 III+ 、 III 3單相全波可控整流電路中，晶閘管承受的最大反向電壓為 22 U2 。 2在單相交流調(diào)壓電路中，負(fù)載為電阻性時(shí)移相范圍是 ??0 ，負(fù)載是阻感性時(shí)移相范 圍是 ??? 。 1為了減小變流電路的開、關(guān)損耗，通常讓元件工作在軟開關(guān)狀態(tài)，軟開關(guān)電路種類很多，但歸納起來可分為 零電壓電路 與 零電流電路 兩大類。 I 觸發(fā)：第一陽極 T1接 正 電壓，第二陽極 T2 接 負(fù) 電壓；門極 G接 負(fù) 電壓， T2 接 正 電壓。導(dǎo)電型三相橋式逆變電路，晶閘管換相是在 _ 不同橋臂 上的元件之間進(jìn)行的。 解：（ 1）參考書上簡(jiǎn)要說明。 （ 2）、說明 E與 Ud的大小關(guān)系。此外，還要定期對(duì)設(shè)備進(jìn)行維護(hù)，如清除灰塵、擰緊接觸螺釘?shù)取? （ 3）第三種調(diào)制方式為：同 時(shí)改變周期 T 與導(dǎo)通時(shí)間 ton。從而使逆變橋進(jìn)入整流狀態(tài)，造成兩電源順向聯(lián)接，形成短路。 （ 3） 觸發(fā)脈沖必須與晶閘管的陽極電壓同步，脈沖移相范圍必須滿足電路要求。 （ 2） R 的作用為：使 L、 C 形成阻尼振蕩，不會(huì)產(chǎn)生振 蕩過電壓，減小晶閘管的開通電流上升率，降低開通損耗。 從晶閘管開始承受正向電壓起到晶閘管導(dǎo)通之間的電角度稱為 控制 角，用 α 表示。 在同步電壓為鋸齒波的觸發(fā)電路中，鋸齒波底寬可達(dá) 240186。 在電力晶閘管電路中，常用的過電流保護(hù)有 快速熔斷器 ； 電路串電抗器 ； 過流時(shí)快速移相 ；和 直流快速開關(guān) 等幾種。 單結(jié)晶體管產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖是 尖脈沖 脈沖；主要用于驅(qū)動(dòng) 小 功率的晶閘管；鋸齒波同步觸發(fā)電路產(chǎn)生的脈沖為 強(qiáng)觸發(fā)脈沖 脈沖；可以觸發(fā) 大 功率的晶閘管。 型號(hào)為 KS1008 的元件表示 雙向晶閘管 晶閘管、它的額定電壓為 800V 伏、額定有效電流為 100A 。 ~90176。 Q 置于位置 2：正半周，雙向晶閘管 Ⅰ +觸發(fā)方式 導(dǎo)通。時(shí)，畫出：負(fù)載電壓 ud、晶閘管 VT1 電壓 uVT整流二極管 VD2 電壓 uVD2，在一周期內(nèi)的電壓波形圖。 逆變器必需工作在 β 90186。 ，三相全控橋電阻性負(fù)載時(shí)，電路的移相范圍 0186。 4三相半波可控整流電路，輸出到負(fù)載的平均電壓波形脈動(dòng)頻率為 150 HZ；而三相全控橋整流電路，輸出到負(fù)載的平均電壓波形脈動(dòng)頻率為 300 HZ；這說明 三相橋式全控整流橋 電路的紋波系數(shù)比 三相半波可控流電路 電路要小。 型號(hào)為 KS1008 的元件表示 雙向晶閘管 管、它的額定電壓為 800V、 伏、額定電流為 100A 安。 3帶平衡電抗器的雙反星形電路，變壓器繞組同時(shí)有 兩相 相導(dǎo)電；晶閘管每隔 60 度換一次流，每只晶閘管導(dǎo)通 120 度，變壓器同一鐵心柱上的兩個(gè)繞組同名端 相反 ，所以以兩繞組的電流方向也 相反 ，因此變壓器的鐵心不會(huì)被 磁化 。 2晶閘管的換相重疊角與電路的 觸發(fā)角α；變壓器漏抗 XB；平均電流 Id；電源相電壓 U2。 2在單相交流調(diào)壓電路中，負(fù)載為電阻性時(shí)移相范圍是 ??0 ，負(fù)載是阻感性時(shí)移相范圍是 ??? 。 1按逆變后能量饋送去向不同來分類，電力電子元件構(gòu)成的逆變器可分為 有源 、 逆變器與 無源 逆變器兩大類 。環(huán)流可在電路中加 電抗器 來限制。 。 ，哪組變流電路工作是由 _輸出電流的方向 _決定的，交流電路工作在整流還是逆變狀態(tài)是根據(jù) _輸出電流方向和輸出電壓方向是否相同 _決定的。 ，電流可逆斬波電路可看作一個(gè) _升壓 _斬波電路和一個(gè) __降壓 _斬波電路的組合；多相多重?cái)夭娐分校?3 相 3 重?cái)夭娐废喈?dāng)于 3個(gè) __基本 __斬波電路并聯(lián)。 _降壓 斬波電路 和 _升壓 斬波電路 _。 ～ 180176。 _120o _，當(dāng)它帶阻感負(fù)載時(shí)， ?的移相范圍為 __090o _。 的通態(tài)壓降在 1/2 或 1/3 額定電流以下區(qū)段具有 __負(fù) ___溫度系數(shù)， 在 1/2 或 1/3 額定電流以上區(qū)段具有 __正 ___溫度系數(shù)。 ，維持電流 IH 與擎住電流 IL 在數(shù)值大小上有 IL__大于 __IH 。電力電子技術(shù)試題 第 1 章 電力電子器件 __開關(guān) __狀態(tài)。 __正向 電壓門極 有觸發(fā)則導(dǎo)通、反向 電壓則 截止 __ 。 子器件控制端和公共端之間的性質(zhì)，可將電力電子器件分為 _電壓驅(qū)動(dòng)型 _和 _電流驅(qū)動(dòng)型 _兩類。 ，晶閘管所承受的最大正向電壓 UFm 等于 __ 22U _，晶閘管控制角 α 的最大移相范圍是 _0150o_，使負(fù)載電流連續(xù)的條件為 __ o30?? __(U2 為相電壓有效值 )。 變化時(shí)，整流輸出的電壓 ud 的諧波幅值隨 ???的增大 而 _增大 _，當(dāng) ???從 90176。 第 3 章 直流斬波電路 _直流 _的變換。 ，可使電動(dòng)機(jī)工作于第 _ 4_象限。 __交交變頻電路 _。 多個(gè)晶閘管相并聯(lián)時(shí)必須考慮 均流 的問題，解決的方法是 串專用均流電抗器。 在有環(huán)流逆變系統(tǒng)中，環(huán)流指的是只流經(jīng) 兩組變流器之間 而不流經(jīng) 負(fù)載 的電流。 1由晶閘管構(gòu)成的逆變器換流方式有 負(fù)載 換流和 強(qiáng)迫 換流。 通常變流電路實(shí)現(xiàn)換流的方式有 器件換流，電網(wǎng)換流，負(fù)載換流，強(qiáng)迫換流 四種。 2在電力晶閘管電路中，常用的過電流保護(hù)有 快速熔斷器；電路串電抗器；過流時(shí)快速移相；直流快速開關(guān)； 等幾種。的雙窄脈沖 觸發(fā)。 3交流零觸發(fā)開關(guān)電路就是利用 過零觸發(fā) 方式來控制晶閘管導(dǎo)通與關(guān)斷的。 4當(dāng)負(fù)載為大電感負(fù)載，如不加續(xù)流二極管時(shí)，在電路中出現(xiàn)觸發(fā)脈沖丟失時(shí) 單相橋式半控整流橋， 與 三相橋式半控整流橋 電路會(huì)出現(xiàn)失控現(xiàn)象。150186。、 實(shí)現(xiàn)有源逆變必須滿足哪兩個(gè)必不可少的條件？ 直流側(cè)必需外接與直流電流 Id 同方向的直流電源 E，其數(shù)值要稍大于逆變器輸出平均電壓 Ud，才能提供逆變能量。當(dāng)控制角 α =90186。 Q 置于位置 1：雙向晶閘管得不到觸發(fā)信號(hào)，不能導(dǎo)通，負(fù)載上無電壓。 （ 3）、當(dāng)α與β的最小值均為 30 度時(shí)，控制角α的移向范圍為多少？ 整流電動(dòng)機(jī)狀態(tài)