東華理工大學(xué)20xx_—_20xx__學(xué)年第二_學(xué)期傳感器與檢測技術(shù)試卷及答案(存儲版)
【正文】 U0iU 答： （ 1）由 ?0KRR?? , SEF?? 及已知條件可解得 ??R Ω （ 2）))(( 4321 32410 RRRR RRRRUU ?? ?? 轉(zhuǎn)化為 )(4 43210 RRRRRRRRUU ???????? 全橋差動中 4321 RRRR ????????? 得RUU ??0 因此輸出電壓 ?0U 410?? V 用鎳鉻 鎳硅勢電偶測量某低溫箱溫度。 （ 3） 霍爾片的不等位電勢 U0 由不等位電阻 r0 引起，發(fā)生在（ 霍爾 ）電極上；當(dāng)磁場 B=0，激流為交流供電時，除了交流不等位電勢外，還將產(chǎn)生（ 寄生直流 ）電勢，該量是由于霍爾電極與霍爾片連接時產(chǎn)生（ 非完全歐姆 ）接觸所引起的。 半導(dǎo)體材料在受到外力時，其電阻率將發(fā)生顯著變化，這種現(xiàn)象稱為（ 2 ）； 某些鐵磁性物質(zhì)在機械外力作用下，將引起其磁導(dǎo)率的改變，這種現(xiàn)象稱為（ 1 ）；晶體沿一定方向受力時，其表面會產(chǎn)生電荷，外力去掉時，晶體將恢復(fù) 不帶電狀態(tài)，這種現(xiàn)象稱為（ 3 ）。發(fā)生橫向效應(yīng)時，橫向應(yīng)變使其電阻值減小，因此，應(yīng)變片的橫柵部分將縱向絲柵部分的電阻變化抵消了一部分，從而降低了整個電阻應(yīng)變片的靈敏度。（ 5 分） 答： 應(yīng)變片的橫柵處會產(chǎn)生橫向效應(yīng)。 敏感 元件 轉(zhuǎn)換 元件
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