【摘要】電工電子技術(shù)試題庫(電路分析部分)一、單項(xiàng)選擇題(選擇正確的答案,將相應(yīng)的字母填入題內(nèi)的括號中。)1、歐姆定律適合于()A、非線性電路B、線性電路、C、任何電路答案:B題型:單選2、基爾霍夫定律包括()個(gè)定律。A、1B、2C、3答案:B題型:單選3、支路電流法是以()為求解對象。A、
2025-08-11 05:58
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)A第1次作業(yè)本次作業(yè)是本門課程本學(xué)期的第1次作業(yè),注釋如下:一、單項(xiàng)選擇題(只有一個(gè)選項(xiàng)正確,共9道小題)1.?(???????)??(A)????(B)????
2025-06-26 07:29
【摘要】專業(yè)班號姓名學(xué)號題號一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號波形中任一點(diǎn)的幅值沒有得到
2025-03-25 04:55
【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(六)一.填空題:(每題3分,共30分)1、半導(dǎo)體是一種電能力介于_______與_______之間的物體。2、2CP系列晶體二極管是_____半導(dǎo)體材料制成的。3、表征放大器中晶體三極管靜態(tài)工作點(diǎn)的參數(shù)有______、______和______。4、對于一個(gè)晶體管放大器來說,一般希望其輸入電阻要_____些,以減輕信號源的負(fù)擔(dān),輸出電阻要______些,以增
2025-08-05 10:39
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題一、填空題:(每空1分,共10分)1.八進(jìn)制數(shù)()8的等值二進(jìn)制數(shù)為()2;十進(jìn)制數(shù)98的8421BCD碼為()8421BCD。2.TTL與非門的多余輸入端懸空時(shí),相當(dāng)于輸入電平。3.下圖所示電路中的最簡邏輯表達(dá)式為。4.一個(gè)JK觸發(fā)器有個(gè)穩(wěn)態(tài),它可存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。
2025-05-31 12:19
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【摘要】....第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組
2025-06-23 15:22
【摘要】第1章檢測題()一、填空題:()1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2025-08-05 09:36
【摘要】....第一組:計(jì)算題一、(本題20分)試寫出圖示邏輯電路的邏輯表達(dá)式,并化為最簡與或式。解:二、(本題25分)時(shí)序邏輯電路如圖所示,已知初始狀態(tài)Q1Q0=00。(1)試寫出各觸發(fā)器的驅(qū)動(dòng)方程
2025-06-20 00:35
【摘要】信息技術(shù)基礎(chǔ)測試題信息技術(shù)概述測試題1.在下列信息系統(tǒng)的敘述中,錯(cuò)誤的是C。A.電話是一種雙向的、點(diǎn)對點(diǎn)的、以信息交互為主要目的的系統(tǒng)B.網(wǎng)絡(luò)聊天是一種雙向的、以信息交互為目的的系統(tǒng)C.廣播是一種雙向的、點(diǎn)到多的信息交互系統(tǒng)D.Inter是一種跨越全球的多功能信息系統(tǒng)2.信息技術(shù)指的是用來擴(kuò)展人的信息
2025-10-13 18:58
【摘要】中南大學(xué)現(xiàn)代遠(yuǎn)程教育課程考試復(fù)習(xí)題及參考答案《電子技術(shù)基礎(chǔ)》模擬電子技術(shù)部份第1章 半導(dǎo)體二極管習(xí)題選解第2章半導(dǎo)體三極管習(xí)題選解第3章放大電路基礎(chǔ)習(xí)題選解
2025-06-23 22:35
【摘要】《電工電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導(dǎo)體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級放大電路的帶負(fù)載能力,常選用(5)電路作為輸出級。4、三極管的輸出特性
2025-10-27 05:29
【摘要】電力電子技術(shù)試題1、請?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率
2025-10-29 18:17
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進(jìn)制數(shù)97,對應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)為151。2、“至少有一個(gè)輸入為0時(shí),輸出為0”描述的是與運(yùn)算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個(gè)最小項(xiàng)。4、基本邏輯運(yùn)算有:與、或和非運(yùn)算。5、兩二進(jìn)制數(shù)相加時(shí),不考慮低位的進(jìn)位信號是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入
2025-06-22 14:53