硅光電池特性測試實驗報告(存儲版)
【正文】 。（4）按圖211所示的電路連接電路圖（5）打開電源順時針調節(jié)照度調節(jié)旋鈕，使照度值依次為下表中的光照度值，分別讀出電流表讀數，填入下表，關閉電源。光照度（Lx）01020304050100200300400500600光生電壓（mA）（4）將“光照度調節(jié)”旋鈕逆時針調節(jié)到最小值位置后關閉電源。（4）電壓表檔位調節(jié)至2V檔，電流表檔位調至200uA檔，將“光照度調節(jié)”旋鈕逆時針調節(jié)至最小值位置。（2）“光照度調節(jié)”調到最小，連接好光照度計，直流電源調至最小，打開照度計，此時照度計的讀數應為0。光譜響應度是光電探測器對單色入射輻射的響應能力。（4）按如圖212連接電路圖.（5）打開電源，緩慢調節(jié)光照度調節(jié)電位器到最大，依次將S2，S3，S4，S5，S6，S7撥上后撥下，記下照度計讀數最小時照度計的讀數E作為參考。響應度（8）根據所測試得到的數據，做出硅光電池的光譜特性曲線。（8）實驗完畢，關閉電源，拆除導線。2. 若不是心寬似海，哪有人生風平浪靜。你必須努力，當有一天驀然回首時，你的回憶里才會多一些色彩斑斕，少一些蒼白無力。4. 歲月是無情的，假如你丟給它的是一片空白，它還給你的也是一片空白。298（6）觀察示波器兩個通道信號，緩慢調節(jié)直流電源電位器直到示波器上觀察到信號清晰為止，并作出實驗記錄（描繪出兩個通道波形）。（2）“光源驅動單元”的三擲開關BM2撥到“靜態(tài)特性”，將撥位開關S1，S2，S4，S3，S5，S6，S7均撥下。硅光電池光譜特性測試當不同波長的入射光照到光電二極管上，光電二極管就有不同的靈敏度。5.（2）“光照度調節(jié)”調到最小，連接好光照度計，直流電源調至最小，打開照度計，此時照度計的讀數應為0。（3）“光源驅動單元”的三擲開關BM2撥到“靜態(tài)”，將撥位開關S1撥上，S2，S3，S4，S5，S6，S7均撥下。（2）“光照度調節(jié)”調到最小，連接好光照度計，直流電源調至最小，打開照度計，此時照度計的讀數應為0。圖29 硅光電池的光譜曲線（6）時間響應與頻率響應 實驗證明，光電器件的信號的產生和消失不能隨著光強改變而立刻變化，會有一定的惰性，這種惰性通常用時間常數表示。在內電場作用下，入射光子由于內光電效應把處于介帶中的束縛電子激發(fā)到導帶，而產生光伏電壓，在光電池兩端加一個負載就會有電流流過，當負載很小時，電流較小而電壓較大；當負載很大時，電流較大而電壓較小。從式中可以看到，當光電池處于零偏時，V=0，流過PN結的電流I=Ip；當光電池處于反偏時（在本實驗中取V=5V），流過PN結的電流I=IpIs，因此，當光電池用作光電轉換器時，光電池必須處于零偏或反偏狀態(tài)。零偏反偏正偏圖 21. 半導體PN結在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗盡區(qū) 圖21是半導體PN結在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗盡區(qū)，當P型和N型半導體材料結合時，由于P型材料空穴多電子少，而N型材料電子多空穴少，結果P型材料中的空穴向N型材料這邊擴散，N型材料中的電子向P型材料這邊擴散，擴散的結果使得結合區(qū)兩側的P型區(qū)出現負電荷，N型區(qū)帶正電荷，形成一個勢壘，由此而產生的內電場將阻止擴散運動的繼續(xù)進行，當兩者達到平衡時，在PN結兩側形成一個耗盡區(qū)，耗盡區(qū)的特點是無自由載流子，呈現高阻抗。 (2)開路電壓圖24 硅光電池開路電壓測試如圖24所示，不同的光照的作用下， 電壓表如顯示不同的電壓值。實際使用時都接有負載電阻RL，輸出電流IL隨照度（光通量）的增加而非線性緩慢地增加，并且隨負載RL的增大線性范圍也越來越小。當用一個輻射脈沖光電探測器，如果這個脈沖的上升和下降時間很短，如方波，則光電探測器的輸出由于器件的惰性而有延遲，把從10%上升到90%峰值處所需的時間稱為探測器的上升時間，而把從90%下降到10%所需的時間稱為下降時間。光照度（Lx）0100200300400500600光生電流（uA）
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