【摘要】模擬電子技術(shù)模擬電子技術(shù)講解提綱?半導(dǎo)體技術(shù)?晶體管放大電路?集成運(yùn)放?反饋?穩(wěn)壓電源模擬電子技術(shù)第第1章章半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體二極管 二極管電路的分析方法 特殊二極管 小 結(jié) 雙極型半導(dǎo)體三極管模擬電子技
2025-01-05 04:13
【摘要】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(
2025-01-07 21:39
【摘要】模擬電子技術(shù)模擬試題卷庫(kù)試卷一一、單項(xiàng)選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號(hào)內(nèi)(本大題共13小題,總計(jì)34分)2、(本小題2分)若用萬(wàn)用表測(cè)二極管的正、反向電阻的方法來(lái)判斷二極管的好壞,好的管子應(yīng)為()。(a)正、反向電阻相等(b)正向電阻大,反向電阻小(c)反向電阻比正向電
2024-10-27 08:12
【摘要】中國(guó)地質(zhì)大學(xué)(北京)繼續(xù)教育學(xué)院2014年03課程考試《模擬電子技術(shù)》模擬題(補(bǔ))一.填空題1.完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。2.在本征半導(dǎo)體中摻入少量的五價(jià)元素,可以形成N型半導(dǎo)體,常用摻雜的五價(jià)元素有磷、砷和鎢。3.半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)電特性是單向?qū)щ娦?,即所謂的
2025-03-25 04:55
2024-10-29 08:43
【摘要】電路電子技術(shù)習(xí)題(電路分析部分)一、單項(xiàng)選擇題(選擇正確的答案,將相應(yīng)的字母填入題內(nèi)的括號(hào)中。)1、歐姆定律適合于()A、非線性電路B、線性電路、C、任何電路答案:B題型:?jiǎn)芜x2、基爾霍夫定律包括()個(gè)定律。A、1B、2C、3答案:B題型:?jiǎn)芜x3、支路電流法是以()為求解對(duì)象。A、
2025-08-05 10:30
【摘要】第一章習(xí)題答案一、填空題1.增大、增大、下2.濃度差異、電場(chǎng)3.五、三4.自由電子、空穴、空穴、自由電子5.N、自由電子、空穴6.本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體7.高于8.正偏、反偏、單向?qū)щ娦?.電擊穿、熱擊穿10.高、低、單向?qū)щ?1.限流電阻12.點(diǎn)接觸、面接觸13.減小、增大14.大、小1
2025-06-24 23:32
【摘要】電工電子技術(shù)(二)和電子技術(shù)模擬試卷A1電子技術(shù)試題班級(jí)測(cè)04姓名學(xué)號(hào)第1頁(yè)題目一二三四五六七八總分?jǐn)?shù)分?jǐn)?shù)評(píng)卷人一,單項(xiàng)選擇題(從下列各題備選答案中選出一個(gè)正確答案,每小題2分
2024-10-19 17:20
【摘要】模擬電子技術(shù)試卷二(答案)一、選擇題。(20分)1.晶體三極管工作在飽和區(qū)時(shí)發(fā)射結(jié)、集電結(jié)的偏置是(B)A.發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置B.發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)正向偏置C.發(fā)射結(jié)反向偏置,集電結(jié)反向偏置D.發(fā)射結(jié)反向偏置,集電結(jié)正向偏置2.圖示電路中,設(shè)變壓器副邊電壓有效值為U2,則輸出電壓平均值UO
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》主編:黃瑞祥副主編:周選昌、查麗斌、鄭利君楊慧梅、肖鐸、趙勝穎目錄緒論第1章集成運(yùn)算放大器理想運(yùn)算放大器的功能與特性理想運(yùn)算放大器的電路符號(hào)與端口理想運(yùn)算放大器的功能與特性運(yùn)算放大器的反相輸入分析閉環(huán)增益輸入、輸出阻抗有限開(kāi)環(huán)增益的影響加權(quán)加法器運(yùn)算放大器的同
2025-06-25 22:30
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 07:58
【摘要】WORD格式整理電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第1章緒論1、寫(xiě)出下列正弦電壓信號(hào)的表達(dá)式(設(shè)初始相角為零):(1)峰-峰值10V,頻率10kHz;(2)有效值220V,頻率50Hz;(3)峰-峰值100mV,周期1ms;(4)V,角頻率1000rad/s;解:正
2025-08-05 09:23
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【摘要】專(zhuān)業(yè)班號(hào)姓名學(xué)號(hào)題號(hào)一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號(hào)波形中任一點(diǎn)的幅值沒(méi)有得到
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)模擬試題(1)一、填空題(每空1分,共20分)1、邏輯函數(shù)的化簡(jiǎn)方法有_________和____________。2、()10=()2=()8421BCD。3、表示邏輯函數(shù)功能的常用方法有_________、_________卡諾圖等。4、組合電路由________________構(gòu)成,它的輸出只
2025-07-25 22:21