[高等教育]ic工藝技術(shù)6-外延(存儲版)
【正文】 儀測試結(jié)果 表面呈乳凸狀小丘：產(chǎn)生原因與襯底取向有關(guān)，與(111)取向偏離小于 1186。 中低頻加熱 ：基座溫度高于硅片硅片和基座 溫差大25186。 ， 6”片產(chǎn)能小 ,為了提高產(chǎn)能采用高的生長速率 5181。 3% 177。 8% 單片爐外延前后的顆粒數(shù) 外延前 個 / C M2 外延后 個 / C M2 外延工藝及設(shè)備的展望 ? 向超薄外延層發(fā)展：淺結(jié)薄外延，低溫低壓外延。 4% ρ 3 177。 各爐子性能比較 爐子 4 ” 5 ” 6 ” 8 ” 反應室 A M C 7 810 24 12 10 4 單 A M C 7 700 28 18 15 8 單 L P E 20 61S 24 18 10/ 14 8 雙 PR O 5000 35 24 18 8 雙 MT C 77 00K 32 18 15 8 單 片內(nèi)的厚度均勻性 爐內(nèi)的厚度均勻性 爐與爐間的厚度均勻性 0. 1 1 10 10 100 7810 4 % 6% 6% % 6% 15 20% 7700 4 % 6% 6% % 6% 15% 20 61S 3 4% % 1% 2% % 5% PR O 5000 3 4% 2 3% 2 3% 3 5 % 4 6% 5 7% MT C 77 00K 2 3% % 3% 大直徑硅片外延爐 典型代表 ： ASMEpsilon AMC Centrura LPE 3061 MTC308 工藝特點： 、自摻雜小、過渡區(qū)小、明顯地優(yōu)于多片式爐子。C , 易產(chǎn)生滑移線， 但自摻雜少。C 95 1200 85 1180 65 75 36 1060186。 ? 畸變原因： 主要是 HCL腐蝕硅片表面，在臺階處，由于取向不同使各方向腐蝕速率不同結(jié)果產(chǎn)生畸變。) ? HCL腐蝕 ? 趕氣 ? 外延沉積 ? 趕氣并降溫 ? N2趕氣 (3’) ? 取片 10 20 30 40 50 60 70 80020040060080010001200溫溫溫溫(溫)腐腐腐腐腐 腐 ? 清潔表面減少缺陷 ? 減少前工藝所引入的損傷，降低和消除晶體缺陷 ? HCL的腐蝕量約 ，我們選用腐蝕速率為 ’約去除 。集成電路工藝技術(shù)講座 第六講 外延工藝 Epitaxy 外延技術(shù)講座提要 ? 外延工藝簡述 ? 外延的某些關(guān)鍵工藝 ? 幾種常見外延爐性能比較 ? 外延工藝及設(shè)備的展望 一、外延工藝簡述 ? Epi— taxy是由希臘詞來的表示在上面排列 upon to arrange。 199。 ? 圖形邊緣不再銳利。 所以紅外加熱要比感應加熱自摻雜要嚴重，過渡區(qū)也差一些 T2 T3 T4 基座溫度 T1 T1T2T3T4 感應加熱
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