薄膜cvd技術(shù)ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 Si3N4）和 SiOxNy膜 由于 Si3N4非常穩(wěn)定和雜質(zhì)掩蔽性，在 IC工藝中主要作為掩膜或外層保護(hù)膜。 1）金屬硅化物的 CVD 如 LPCVD： 2WF6+SiH4—2WSix+3SiF4+14H2 6TiCl4+NH3—6TiN+24HCl+N2 DepEtchDep Process Film deposited with PECVD creates pinchoff at the entrance to a gap resulting in a void in the gap fill. Keyhole defect Breadloaf effect Metal SiO2 The solution begins here 1) Ioninduced deposition of film precursors 2) Argon ions sputteretch excess film at gap entrance resulting in a beveled appearance in the film. 3) Etched material is redeposited. The process is repeated resulting in an equal “bottomup” profile. Cap 2）金屬膜的 CVD a）鎢 鎢插塞：多層金屬布線間的互連 覆蓋能力強(qiáng)、內(nèi)應(yīng)力小、附著力好 工藝： （閱讀） b）鋁 Al[C4H9]3—TIBA 250C176。 （？） 常用 PECVD法： 3SiH2Cl2+7NH3——Si3N4+3NH4Cl+HCl+6H2 用 SiH2Cl2比用 SiH4生長(zhǎng)的膜致密。 TEOS（ tetraethoxysilane，
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