[工學(xué)]第5章光探測(cè)及光接收機(jī)(存儲(chǔ)版)
【正文】 碼率 比特誤碼率（ BER）： 最重要指標(biāo)之一。 時(shí)，靈敏度變化敏感最佳?M M?比特率對(duì)靈敏度影響：比特率越大，靈敏度下降越多。 （ 3 ） 總 的 噪 聲 電 流 ：＋ ＝?PIN光接收機(jī)：只對(duì)信號(hào)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，而無(wú)放大功能。 (2) 能承受高的反向偏壓，從而在 PN結(jié)內(nèi)部形成一個(gè)高電場(chǎng)區(qū)，電子－空穴對(duì)經(jīng)過(guò)電場(chǎng)區(qū)時(shí)被加速，又可能碰到其他原子，多次碰撞電離的結(jié)構(gòu)，使載流子迅速增加，反向電流迅速增大，形成雪崩倍增效應(yīng)。（ 圖示） 光電效應(yīng)必須滿足條件： hfEg 入射光 ?n?e耗盡層 Ip RL ：電子空穴－e:?hw U 電極 P＋ N－ 1. 光電二極管： PIN PIN二極管： ? 在 P+和 N之間加入一個(gè) Si中摻雜較少的 I層 ，作為耗盡層 ， I層較寬 ， 約有 5um～ 50um，可吸收絕大部分光子 。 （ 2）帶寬與均衡濾波：均衡濾波技術(shù)消除碼間干擾，擴(kuò)大帶寬。 5. 判決器 /時(shí)鐘恢復(fù)：對(duì)信號(hào)進(jìn)行再生，包括調(diào)諧放大、限幅、整形、移相。 增大外加電壓升高，壓影響：漂移速度，受外加電dd ??? dtrWt ??響應(yīng)波長(zhǎng) ——（截止波長(zhǎng)） 任何一種材料制作的光電二極管，都有 1 . 6 u m1 . 1I n G a A sG～圍為：光電二極管波長(zhǎng)響應(yīng)范和～范圍為：光電二極管的波長(zhǎng)響應(yīng)eSEEhiggCC???? 性能參數(shù) ?量子效率 η η =(hf/q)R ? q:電荷 ?響應(yīng)度 R 光電檢測(cè)器的響應(yīng)度。 ? (3) 多量子阱 MQWAPD： Multiple Quantum Well, 利用 InCaAs、 InP交替變化的結(jié)構(gòu)，從而形成高低帶隙交替變化的半導(dǎo)體層 . 4. MSM光探測(cè)器：金屬－半導(dǎo)體－金屬光探測(cè)器（ Metal－ Semiconductor－Metal）， 基本原理一樣，入射光子產(chǎn)生電子－空穴對(duì)，電子－空穴對(duì)的波動(dòng)產(chǎn)生光電流 5. 集成光學(xué)光電探測(cè)器 為適應(yīng)光電子集成電路（ OEIC） 的要求，研究適用于單片集成的各種光波探測(cè)器，光波導(dǎo)探測(cè)器，不采用光壓電方式，采用光電導(dǎo)和雪崩方式 (1) 外延生長(zhǎng) InGaAs探測(cè)器 采用外延生長(zhǎng)的方式制作，通過(guò)控制材料 中 In的含量，可使器件在 ～ 內(nèi)工作 。 Ps越小越好，受噪聲限制。定義為碼元在傳輸過(guò)程中出現(xiàn)差錯(cuò)的概率，出錯(cuò)碼元數(shù)、傳輸總碼元數(shù)。 ?接收機(jī)總電容 C〔 包括探測(cè)器電容、前置放大器輸入電容〕， C增大一倍，靈敏度下降一倍。 2n2 2 2()( 4 / ) 4 [ 2 ( ) ]?? ? ?? ? ?? ? ? ? ?? ? ? ?TT B L nLBP s TBs T p d nLitK T R f FFRTKI I I i iKTq I I F fR— — 熱 噪 聲 電 流 ；；： 放 大 器 的 熱 噪 聲 倍 數(shù) ； ： 負(fù) 載 電 阻 ；
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