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正文內(nèi)容

電力電子降壓斬波電路課程設(shè)計(jì)(存儲(chǔ)版)

  

【正文】 路的軟關(guān)斷過程不應(yīng)隨輸入信號(hào)的消失而受到影響。但是它不能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)過流保護(hù),不能實(shí)現(xiàn)任意脈寬輸出,而且其對(duì)變壓器的繞制要求嚴(yán)格。采用的光耦是 TLP5211。如果該高電平持續(xù),軟啟動(dòng)電容將充分放電,直到關(guān)斷信號(hào)結(jié)束,才重新進(jìn)入軟啟動(dòng)過程 ,從而實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)。在主電路的負(fù)載端串接一個(gè)很小取樣電阻 ,把它接到放大器進(jìn)行放大,后再利用比較器,運(yùn)用過壓保護(hù)原理同樣能實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)。 Simulink是 MATLAB中的一種可視化仿真工具,是一種基于 MATLAB的框圖設(shè)計(jì)環(huán)境,是實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)系統(tǒng)建模、仿真和分析的一個(gè)軟件包,被廣泛應(yīng)用于線性系統(tǒng)、非線性系統(tǒng)、數(shù)字控制及數(shù)字信號(hào)處理的建模和仿真中。 Simulink 與 MATLABamp。 15 設(shè)定好元器件的參數(shù)之后 ,還需要設(shè)置仿真算法和仿真時(shí)間。從開始得到老師給定課題時(shí)的一臉茫然到老師講解后內(nèi)容的初步了解再到自己通過查資料、與同學(xué)共同探討、經(jīng)過老師指導(dǎo)后,自己設(shè)計(jì)并寫出這份課程報(bào)告,心中充滿了成就感。 19 9 參考文獻(xiàn) [1]梁延貴主編 ,現(xiàn)代集成電路實(shí)用手冊(cè)可控硅觸發(fā)電路分冊(cè) ,北京 :科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)出版社 . [2]樊立平,王忠慶,電力電子技術(shù) [M].北京:中國(guó)林業(yè)出版,北京大學(xué)出版社 ,2021:116119. [3]曲學(xué)基,曲敬鎧,于明揚(yáng),電力電子整流計(jì)算及應(yīng)用 [M].北京:電子工業(yè)出版社,2021:192196. [4]黃家善,王廷才,電力電子技術(shù) [M].北京:機(jī)械工業(yè)出版, 2021: 193. 。 此時(shí)占空比的控制從 10%~90%即可實(shí)現(xiàn)輸出 電壓從 0 到 100V的調(diào)整。先用純電阻負(fù)載,則負(fù)載理論阻值應(yīng)該為 1Ω。對(duì)各種時(shí)變系統(tǒng),包括通訊、控制、信號(hào)處理、視頻處理和圖像處理系統(tǒng), Simulink 提供了交互式圖形化環(huán)境和可定制模塊庫(kù)來(lái)對(duì)其進(jìn)行設(shè)計(jì)、仿真、執(zhí)行和測(cè)試。 Simulink 具有適應(yīng)面廣、結(jié)構(gòu)和流程清晰及仿真精細(xì)、貼近實(shí)際、效率高、靈活等優(yōu)點(diǎn),并基于以上優(yōu)點(diǎn) Simulink 已被廣泛應(yīng)用于控制理論和數(shù)字信號(hào)處理的復(fù)雜仿真和設(shè)計(jì)。 如圖 1 在主電路串接一個(gè)快速熔斷絲。與電容串聯(lián)的電阻能消耗掉部分過壓能量,同時(shí)抑制電路中的電感與電容產(chǎn)生振蕩,過電壓保護(hù)電路如圖 所示。光隔離一般采用光耦合器,光耦合器由發(fā)光二極管和光敏晶體管組成,封裝在一個(gè)外殼內(nèi)。但是它需要較多的工作電源,其對(duì)脈沖信號(hào)有 1us 的時(shí)間滯后,不適應(yīng)于某些要求比較高的場(chǎng)合。 IGBT 柵極極限電壓一般為土 20 V,驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍可能破壞柵極。因此需要信號(hào)放大的電路。電路結(jié)構(gòu)改為確保其輸出電平或者是高電平或者是低電平的一個(gè)電平狀態(tài)中。 (6)增加 PWM 鎖存器使關(guān)閉作用更可靠 比較器(脈沖寬度調(diào)制)輸出送到 PWM 鎖存器。 3524 的誤差放大器、電流控制器和關(guān)閉控制三個(gè)信號(hào)共用一個(gè)反相輸入端, 3525A 改為增加一個(gè)反相輸入端,誤差放大器與關(guān)閉電路各自送至比較器的反相端。 ( 2) 振蕩器 3525A 的振蕩器,除 CT、 RT 端外,增加了放電 同步端 3。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路檢測(cè)到過流時(shí)發(fā)出電流信號(hào),由于電阻的作用將 10 腳的電位抬高,從而 1 14 腳輸出低電平,而當(dāng)其沒有過流時(shí), 10 腳一 直處于低電平,從而正常的輸出 PWM 波。腳 1 及腳 2 分別為芯片內(nèi)部誤差放大器的反相輸入端、同相輸入端。這種電路把直流電壓“斬”成一系列脈沖,改變脈沖的占空比來(lái)獲得所需的輸出電壓。所以由歐姆定律 可得負(fù)載電阻值為 1 歐姆。 圖 降壓電路波形圖 當(dāng) 1tt? 時(shí)刻,控制 IGBT 關(guān)斷,負(fù)載電流經(jīng)二極管 DV 續(xù)流,負(fù)載電壓 0u 近似為零,負(fù)載電流指數(shù)曲線下降。 工作原理 根據(jù)所學(xué)的知識(shí),直流降壓斬波主電路如圖 所示: 圖 主電路圖 如圖, IGBT 在控制信號(hào)的作用下開通與關(guān)斷。 根據(jù) 降壓斬波電路 設(shè)計(jì)任務(wù)要求 設(shè)計(jì) 結(jié)構(gòu)框圖如圖 所示。全控型器件選擇絕緣柵雙極晶體管( IGBT)綜合了 GTR和電力 MOSFET的優(yōu)點(diǎn),具有良好的特性。電力電子技術(shù)起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件 ,其發(fā)展先后經(jīng)歷了整流器時(shí)代、逆變器時(shí)代和變頻器時(shí)代 ,并促進(jìn)了電力電子技術(shù)在許多新領(lǐng)域的應(yīng)用。 14 仿真電路及其仿真結(jié)果 4 2 方案確定 11 主電路器件保護(hù) 11 過流保護(hù)電路 18 1 緒 論 現(xiàn)代電 力電子技術(shù)的發(fā)展方向 ,是從以低頻技術(shù)處理問題為主的傳統(tǒng)電力電子學(xué) ,向以高頻技術(shù)處理問題為主的現(xiàn)代電力電子學(xué)方向轉(zhuǎn)變。直流傳動(dòng)、開關(guān)電源是斬波電路應(yīng)用的兩個(gè)重要領(lǐng)域,是電力電子領(lǐng)域的熱點(diǎn)。 直流降壓斬波電路主要分為三個(gè)部分,分別為主電路模塊,控制電路模塊和驅(qū)動(dòng)電路模塊。至于開關(guān)的選擇,選用比較熟悉的全控型的 IGBT 管,而不選半控型的晶閘管,因?yàn)?IGBT 控制較為簡(jiǎn)單,且它既具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單等特點(diǎn),又用通態(tài)壓降小、耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)。 4 降壓斬波的典型波形如下圖所示。 (2)電阻 因?yàn)楫?dāng)輸出電壓為 200V 時(shí),假輸出電流為 20A。 PWM 控制就是對(duì)脈沖寬度進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)。振蕩器還設(shè)有外同步輸入端 (
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