【正文】 司建設項目環(huán)境影響報告書 30 仍具有優(yōu)美姿態(tài)。 綠化 綠化在防治污染保護環(huán)境方面起著特殊作用。具體方案如下： （ 1）危險廢物 :對屬于國家規(guī)定危險廢物之列的固體廢物，必須委托有資質(zhì)的處置單位進行妥善處理。 進 水 圖 44 真州污水處理廠廢水處理工藝流程圖 改良 A2/O 曝氣池 泥餅外運 回 流 鼓風機房 紫外線殺毒 沉渣外運 粗 格 柵 進 水 泵 房 沉 砂 池 細 格 柵 二 沉 池 接 觸 消 毒 池 出水至長江儀征段 排 江 泵 房 污泥泵房 儲泥 濃縮脫水間 剩余 污泥 銀笛（揚州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書 28 因此從接收水量、接管標準、時間和管網(wǎng)布設等方面綜合考慮，本項目廢水排入真州污水處理廠是可行的。工藝流程見圖 44。 具體廢水工藝流程見圖 43。由于酸堿廢水中主要成分是無機酸、堿，故采用化學中和法處理。擬建工程所排總量為 ，廢水中的主要污染因子為： COD、 SS、氟化物、 NH3N、 TP。 （ 3） 特種 廢氣 對外延生產(chǎn)工序產(chǎn)生的特種廢氣 HCl、 SiHCl3以及微量的 PH3 和 B2H6經(jīng)過收集后進入 濕式外延清洗器 ， 采用 5 段水噴淋和水洗方式對外延尾氣進行充分的水洗和稀釋， 將其中絕大 部分的 HCl、 SiHCl B2H6 和微量的 PH3 溶解于水， 經(jīng)過水洗后的尾氣在設備中被大量的空氣稀釋，再通過管道向室外高空排放；廢氣洗滌水進入廢水處理設施處理。 具體工藝流程見圖 41。主要設備噪聲源產(chǎn)生情況 311。 擬建 工程大氣污染物三本帳情況見表 37。 生產(chǎn)廢水經(jīng)過有效預處理達到接管標準后與生活污水通過開發(fā)區(qū)管網(wǎng)排入真州污水處理廠集中處理，達標后排入長江儀征段。 表 33 主要原輔料及能源消耗 類別 名稱 重要組份、 規(guī)格、指標 年耗量 存貯量 來源及運輸 單晶硅拋光片和硅外延片 單晶硅棒 %Si 2021t 167t 主要原輔料進口，部分于國內(nèi)購買。 具體反應 如下： 純水洗 硅襯底材料 檢測 外延生長 測試檢驗 真空包裝 外延爐石 英管清洗 HCl+N H SiHCl PHB2H N石英、石墨 G14 S S21 混酸 G17~18 S23 水洗 純水 W26 圖 33 硅外延生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污節(jié)點圖 圖 34 外延爐石英管清洗工序 及產(chǎn)污節(jié)點圖 S24 水 SPM 清洗 純水洗 堿清洗 純水洗 硫酸、雙氧水 水 水 氨水 G15 S22 W23 W24 G16 S23 W25 銀笛（揚州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書 13 ??????? ??? 3 H C lSiHS i H C l 1 2 00~1 1 0023 ℃ ??????? ?? 21 2 00~1 1 003 3H2P2 P H ℃ ??????? ?? 21 2 00~1 1 0062 3H2BHB ℃ SPM 清洗：去除硅片表面 的雜質(zhì)。產(chǎn)生精拋廢液。 磨片檢測：檢測經(jīng)過研磨、 RCA 清洗后的硅片的質(zhì)量，不符合要求的則從新進行 研磨和 RCA 清洗。此工序會產(chǎn)生 硫酸霧和廢 硫酸。此處會產(chǎn)生廢品。 工作制度： 預計年工作日 355 天，每天工作 24 小時 ，年 工作時數(shù)為 8520小時。租用廠房面積約 48680㎡，包括外延片生產(chǎn)廠房、拋光片生產(chǎn)廠房、綜合動力站、化學品庫、辦公樓、門衛(wèi)等。 銀笛（揚州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書 4 1 總論 任 務 由來 新加坡銀笛科技（控股）私人股份有限公司，經(jīng)過多年的攻關，攻克了功率場控器件用高阻厚外延和亞微米、深亞微米 CMOS 器件薄層外延制造技術，該成果得到了國家相關部委及高科技產(chǎn)品認定中心的認定。 環(huán)境效益分析 ......................................................................... 錯誤 !未定義書簽。 源項分析 ................................................................................. 錯誤 !未定義書簽。 本項目概況 ............................................................................................................. 6 生產(chǎn)工藝流程及原輔料能源消耗 ......................................................................... 9 主要生產(chǎn)、公用及貯運設備 ............................................................................... 14 公用工程 ............................................................................................................... 15 污染源分析 ............................................................................. 錯誤 !未定義書簽。 2 建設項目周圍地區(qū)環(huán)境概況 ................................. 錯誤 !未定義書簽。本報告由 環(huán)保資料網(wǎng) 銀笛 （揚州）微電子有限公司 年產(chǎn) 300萬 單晶硅 拋光 片、 60萬 硅外延片 項目 環(huán)境影響報告書 （ 簡本 ） 銀笛 （揚州）微電子有限公司 2021 年 9 月 本報告由 環(huán)保資料網(wǎng) 目錄 1 總論 ...................................................................................................... 4 任務由來 ................................................................................................................. 4 評價目的 ................................................................................. 錯誤 !未定義書簽。 評價工作技術路線 ................................................................. 錯誤 !未定義書簽。 3 工程分析 ................................................................ 錯誤 !未定義書簽。 風險識別 ................................................................................. 錯誤 !未定義書簽。 社會效益分析 ......................................................................... 錯誤 !未定義書簽。 建議 ......................................................................................... 錯誤 !未定義書簽。 銀笛（揚州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書 5 2 主要環(huán)境保護目標 表 21 環(huán)境保護目標 環(huán)境要素 環(huán)境保護對象 方位 距離（ m） 規(guī)模 環(huán)境功能 大氣環(huán)境 蒲新村（待拆遷） 南 100 100 戶 二類區(qū) 水環(huán)境 長江 南 2021 — Ⅲ類水體 儀征 與儀化 水源 取水口 東 12021 50 萬噸 /天 揚州水廠取水口 西 8000 聲環(huán)境 廠界 周圍 廠界 3 類 區(qū) 銀笛（揚州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書 6 3 本 項目概況 本 項目名稱、建設地點、建設性質(zhì)、投資總額、環(huán)保投資 項目名稱： 銀笛 （ 揚州 ） 微電子 有限公司年產(chǎn) 300 萬單晶硅 拋光 片、60 萬硅外延片項目 建設地點： 江蘇省儀征經(jīng)濟開發(fā)區(qū) 新區(qū) 建設性質(zhì)： 外商投資 新 建 投資總額： 新 建項目 投資總額 8000 萬美 元，其中環(huán)保投資 576 萬元 本 項目建設內(nèi)容 銀笛（揚州）微電子有限公司向儀征市高新技術開發(fā)區(qū)提出生產(chǎn)、辦公用房及生產(chǎn)設施的建設要求，儀征市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)按要求建造廠房及相應的設施，然后租賃給銀笛 (揚州 )微電子有限公司使用。 廠區(qū)布置： 廠區(qū)包括生產(chǎn)用房、辦公樓、輔助生活設施、甲類化學品倉庫、倉庫、成品倉庫、氣體供應站、綜合動力站及發(fā)展預留用地等 職工人數(shù)、工作制度 職工人數(shù)： 公司職工總人數(shù) 220 人， 其中技術人員 160 人 。 分檔檢測：為保證 硅片 的 規(guī)格和質(zhì)量，對其進行檢測。 用 SPM 清洗 硅片 可去除 硅片 表面的有機 污物 和 部分 金屬。 DHF 清洗：去除上一道工序在硅表面產(chǎn)生的氧化膜。 精拋光：使用精磨劑改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量 1 um 以下，從而的到高平坦度 硅片。此工序產(chǎn)生的廢氣主要是氯化氫，還有一些沒有反應的 PH B2H6 和 SiHCl3；外延爐的石墨基座和石英夾套需要 定期更換，產(chǎn)生廢石英和廢石墨。 主要原輔料及能源消耗主要原輔料、能源消耗見表 33。廢水包括生產(chǎn)廢水 、生活污水 49t/d 和清潔排水 648t/d。 表 36 項目有組織排放廢氣的種類與產(chǎn)生環(huán)節(jié) 排氣筒 廢氣類別 廢氣編號 污染物名稱 產(chǎn)生環(huán)節(jié) 1 有機廢氣 G1 甲苯、異丙醇 清洗 2 酸性廢氣 G G G15 H2SO4 RCA 清洗 G G G GG1 G17 HF RCA 清洗、腐蝕 A、外延爐石英管清洗 G G12 HCl RCA 清洗 G G18 NOx 腐蝕 A、外延爐石英管清洗 3 堿性廢氣 G G1 G16 NH3 RCA 清洗、堿清洗 4 特種廢氣 G14 HCl、 SiHCl FH B2H6 外延生長 銀笛（揚州）微電子有限公司對生產(chǎn)中的工藝廢氣采取的治理措施為：甲苯廢氣采用活性碳 吸附，去除效率達到 80%；酸性廢氣用堿液進行噴淋吸收，去除率為≥ 90%；對堿性廢氣采用 酸液 進行噴淋吸收，去除效率為95%以上；對特種廢氣 HCl、 SiHCl PH B2H6 廢氣采用濕式外延氣體清洗器去除， SiHCl HCl、 B2H6 的去除效率≥ 99%。 銀笛（揚州）微電子有限公司建設項目環(huán)境影響報告書 20 表 310 擬建項目水污物三本帳一覽表 單位 t/a 種類 污染物名稱 產(chǎn)生量 廠內(nèi)削減量 廠內(nèi)排放量 進入環(huán)境的量 廢水 COD SS 氟化物 NH3N TP 清潔排水 COD 0 （ 3）噪聲污染產(chǎn)生及排放情況 本項目噪聲主要來源于各類機械設備 ， 如 冷凍機、廢氣塔、空壓機、鍋爐風機、真空泵 等。 甲苯和異丙醇的去除率可達 80%以上。 酸性廢氣（ HF、 HCl、 NOx、硫酸霧）的去除效率達到 90%，堿性廢氣（ NH3） 的去除效率 達到 95%以上。其中 生產(chǎn)工藝廢水產(chǎn)生量為 ，廢氣洗滌水為 30t/d，生活污水 49t/d。 ② 酸堿廢水 酸堿廢水主要來自于 各 清洗 工序 、 廢氣洗滌水，此類廢 水 排至生產(chǎn)廢水處理站的廢水 調(diào)節(jié) 池中。 表 41 地表水水質(zhì)標準及廢 水 排放標準 項目 真州污水處理廠的接管標準 mg/L 自建廢水站排放 標準值 mg/L 真州污水處理廠排放標 準限值 mg/L PH(無量綱 ) 6—9 69 69 COD 500 ≤ 200 60 SS 400 ≤ 200 20 TP ≤ 5 NH3N 35 ≤ 35 15 氟化物 20 ≤ 10 10 廢水處理設施總排出口設有 氟化物 、 PH 值的自動監(jiān)控儀表，并設有常規(guī)化學分析儀器，定時