20xx木瀆高級(jí)中學(xué)高三物理第十九次階段性考試(存儲(chǔ)版)
【正文】 動(dòng)的最大位移為 4R，打到 N 點(diǎn)． 設(shè)能夠落到 N 點(diǎn)的水平速度為 v2，根據(jù)平拋運(yùn)動(dòng)求得： gRtRv 842 ?? 設(shè)小球下降的最 大高度為 H，根據(jù)機(jī)械能守恒定律可知， 2221)( mvRHmg ?? RRgvH 52 22 ??? 15． 解： (1) ① 設(shè)離子帶電量為 q,質(zhì)量為 m,經(jīng)電場(chǎng)加速后的速度為 v,則 12qU mv?2 (1)，離子飛越真空管， AB 做勻速直線運(yùn)動(dòng)，則 L=vt1 (2) 由 (1)、（ 2）兩式得離子荷質(zhì)比 2122UtLmq ? (3) ② 離子在勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域 BC 中做往返運(yùn)動(dòng)，設(shè)加速度為 a,則 qE=ma (4) L2= avvL 2? (5) 由 (1)、 (4)、（ 5）式得離子荷質(zhì)比 2221 4 12qULm U E t????????或 222 2 12q L Um E LU???????? (6) (2)兩離子初速度分別為 v、 v′,則 2qEmLvL n?? (7) ,l′=Lv?+2qEmv? (8) Δt=tt′= )(2 vvqEmvvL ???????? ?? (9),要使 Δt＝ 0,則須 02 ??? qEmvvL (10) 所以 E=qLvmv?2 (11) 16． ⑴ 從 A 點(diǎn)射出的粒子，由 A 到 A′的運(yùn)動(dòng)時(shí)間為 T，根據(jù)運(yùn)動(dòng)軌跡和對(duì)稱性可得 x 軸方向 002l vT? , y 軸方向 2)2(212 20 ?? TmqEl 得： 002mvE ql? ⑵ 設(shè)到 C點(diǎn)距離為 △ y 處射出的粒子通過電場(chǎng)后也沿 x 軸正方向，粒子第一次達(dá) x軸用時(shí)第 9 頁(yè) 共 10 頁(yè) △ t，水平位移為 △ x，則 0x v t? ? ? 21 ()2 qEytm? ? ? 若滿足 022l n x? ? ? ，則從電場(chǎng)射出時(shí)的速度方向也將沿 x 軸正方向 解之得： 20 02201 1 1()2 lqEyln m v n? ? ? 即 AC 間 y 坐標(biāo)為 021yln?? （ n = 1， 2， 3， …… ） ⑶ 當(dāng) n=1 時(shí)，粒子射出的坐標(biāo)為 10yl? ,當(dāng)n=2 時(shí)，粒子射出的坐標(biāo)為 2020yl?? 當(dāng) n≥3時(shí)，沿 x 軸正方向射出的粒子分布在y1到 y2之間（如圖） y1到 y2之間的距離為 L= y1－ y2= 054l 則磁場(chǎng)的最小半徑為 0528lLR?? 若使粒子經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后匯聚于一點(diǎn) ，粒子的運(yùn)動(dòng)半徑與磁場(chǎng)圓的半徑相等（如圖）， (軌跡圓與磁場(chǎng)圓相交，四邊形 PO1QO2為棱形 ) 由 200 mvqvB R? 得：0085mvB ql? O A O A x y v0 E E C′ A′ x=－ 2l0 C x=2l0 O1 O2 P Q 第 10 頁(yè) 共 10 頁(yè) 一個(gè)自編的題目： 選擇題（必考范圍）命題人：沈祖榮，單位：江蘇省木瀆高級(jí)中學(xué) 如圖所示， ABC 曲面上表面的粗糙程度處處相同， AB 兩位置處于同一水平面上。 ⑵ 離子源中相同荷質(zhì)比離子的初速度不盡相同，設(shè)兩個(gè)荷質(zhì)比都為 q/m 的離子在 A端的速度分別為 v 和 v180。第 1 頁(yè) 共 10 頁(yè) 江蘇省木瀆高級(jí)中學(xué) 0
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