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ds18b20溫度檢測畢業(yè)設(shè)計-免費閱讀

2025-08-24 16:07 上一頁面

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【正文】 畢業(yè)設(shè)計不僅是對前面所學(xué)知識的一種檢驗,而且也是對自己能力的一種提高。在論文快要付梓之際,感慨萬千。 ACC_5=Temperature_High^1。 ACC_6=Temperature_High^2。 write_DS18B20(Command)。 Command=0x44。 WATCH_Dog()。 //預(yù)設(shè)高溫報警點 unsigned char TL。i8。 Delay(120)。 } else { write_1()。 Delay(120)。 NOP()。 NOP()。 } return。 void NOP(void) { } void DS18B20_RESET(void) { DQ=0。 24 } // //ACC 位定義 // sbit ACC_0 =ACC^0。 //TX0 和 RX0 連到 和 XBR1 = 0x00。 i 256。 long int j。 } 21 總 結(jié) 經(jīng)過了兩個多月的學(xué)習(xí)和工作,我終于完成了《基于 80C51 單片機(jī)與 DS18B20 的溫度檢測 軟件設(shè)計 》的論文。 ACC_1=Temperature_Low^5。 write_DS18B20(Command)。這些命令允許總線控制器讀寫 DS18B20 的暫存器,發(fā)起溫度轉(zhuǎn)換和識別電源模式。 //右移 Read_Byte=Read_Byte|Temp_Byte。 unsigned int i=0。 //讀時隙由主機(jī)拉低總線開始,持續(xù)至少 1us 并釋放,然后在在之后的 (151)us內(nèi)讀 DS18B20 的值 Delay(2)。讀時隙是從主機(jī)把單總線拉低之后,在 1 微秒之后就得釋放單總線為高電平,以讓 DS18B20 把數(shù)據(jù)傳輸?shù)絾慰偩€上。 unsigned int i=0。 NOP()。 NOP()。 //維持 60us 15 DQ=1。因此首先要搞清主機(jī)是如何進(jìn)行寫 0、寫 讀 0 和讀 1 的。 //發(fā)送完 RESET 脈沖后,主機(jī)等待 15us 至 60us 的時間以等待 DS18B20 回復(fù) PRESENCE信號。 12 第三章 DS18B20 代碼指令介紹及程序設(shè)計 通過單線總線端口訪問 DS18B20 的協(xié)議如下: 步驟 1. 初始化 步驟 2. ROM 操作指令 步驟 3. DS18B20 功能指令 每一次 DS18B20 的操作都必須滿足以上步驟,若是缺少步驟或是順序混亂,器件將不會返回值。暫存器的 位 7 和位 04 被器件保留,禁止寫 入;在讀回數(shù)據(jù)時,它們?nèi)勘憩F(xiàn)為邏輯 1??偩€控制器傳遞從暫存器到 EEPROMTH,TL 和配置數(shù)據(jù)必須發(fā)出拷貝暫存器指令 [48h]。這兩個字節(jié)是只讀的。 圖 DS18B20 硬件構(gòu)造圖 “ [7]” 9 DS18B20 引腳排列 圖 DS18B20 引腳排列圖“ [8]” 1. GND 為電源 地; 2. DQ 為數(shù)字信號輸入/輸出端; 3. VDD 為外接供電電源輸入口 ; DS18B20 芯片各部分介紹 (1) 64BIT ROM AND 1wire PORT 每個 DS18B20 都有一個唯一儲存在 ROM 中的 64 位編碼。 ROM 的作用是使每一個 DS18B20 都各不相同,這樣就可以實現(xiàn)一根總線上掛接多個 DS18B20 的目的。 ( 7 )負(fù)壓特性電源極性接反時, 溫度計不會因發(fā)熱而燒毀,但不能正常工作。 C 范圍內(nèi),精度為 177。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_7 =ACC^7。 return。 } 單片機(jī) I/O 口初始化設(shè)置: // //單片機(jī) I/O 口初始化設(shè)置 // void PORT_Init () { XBR0 = 0x04。 // start external oscillator with crystal for (i=0。 5 設(shè)計中所編譯的相關(guān)程序 及系統(tǒng)框圖 延時子程序: // //延時子程序 (Delay(2)約為延時 1us) // void Delay(long int milliseconds) { long int i。如采用外部時鐘源驅(qū)動器件, XTAL2 應(yīng)不接。 EA/VPP:當(dāng) /EA 保持低電平時,則在此期間外部程序存儲器( 0000HFFFFH),不管是否有內(nèi)部程序存儲器。然而要注意的是:每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲器時,將跳過一個 ALE 脈沖。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時,要保持 RST 腳兩個機(jī)器周期的高電平時當(dāng) 8051通電,時鐘電路開始工作,在 RESET 引腳上出現(xiàn) 24 個時鐘周期以上的高電平,系統(tǒng)即初始復(fù)位。并因此作為輸入時, P2 口的管腳被外部拉低,將輸出電流。 80C51 引腳介紹 圖 80C51 引腳圖“ [3]” VCC:供電電壓 GND:接地 P0 口: P0 口為一個 8 位漏級開路雙向 I/O 口,每腳可吸收 8TTL 門電流。它具有兩個相互獨立的接收、發(fā)送數(shù)據(jù)緩沖器,兩個緩沖器共用一個地址( 99H),發(fā)送緩沖器只能寫入,不能讀出,接收緩沖器只能讀出,不能寫入。 1. 定時器 /計數(shù)器 80C51 單片機(jī)片內(nèi)有兩個 16 位的定時 /計數(shù)器,即定時器 0 和定時器 1。 2 80C51 單片機(jī)內(nèi)部結(jié) 構(gòu) 圖 80C51 內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖“ [2]” 1. CPU CPU 即中央處理器的簡稱,是單片機(jī)的核心部件,它完成各種運算和控制操作, CPU由運算器和控制器兩部分電路組成。 我們的 畢業(yè) 設(shè)計目的是 通過 80C51 單片機(jī)對 DS18B20 進(jìn)行編程, 同時 了解 DS18B20的 性能特點,通過所學(xué)的 C 語言知識和相關(guān)資料提供的指令代碼完成基于 80C51 單片機(jī)與DS18B20 的溫度檢測 軟件設(shè)計 。因此用它來組成一個測溫系統(tǒng),具 有線路簡單,在一根通信線,可以連接很多這樣設(shè)備實現(xiàn)多路溫度測量和溫度報警。 基于 80C51 單片機(jī)與 DS18B20 的溫度檢測 軟件設(shè)計 龐京京 云南民族大學(xué) 08 通信工程 摘要: 本次畢業(yè)設(shè)計是基于 80C51 單片機(jī)與 DS18B20 的溫度檢測軟件設(shè)計。本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。 使用 DS18B20 可使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更趨簡單,可靠性更高 。所有 時序都是將 80C51 單片機(jī) 作為主設(shè)備,單總線器件 DS18B20 作為從設(shè)備。 1. 1 80C51 單片機(jī)的邏輯原理結(jié)構(gòu) 80C51 單片機(jī)采用的是馮 .諾伊曼提出的經(jīng)典計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)框架,即一臺計算機(jī)是由運算器、控制器、存儲器、輸入設(shè)備和輸出設(shè)備共五個基本部分組成。程序計數(shù)器 PC 用來存放即將要執(zhí)行的指令地址,它可以完成 64K 的外部存儲器尋址,執(zhí)行指令時, PC 內(nèi)容的高 8 位經(jīng) P2 口輸出,低 8 位經(jīng) P0 口輸出。 3. 并行 I/O 口 80C51 單片機(jī)共有 4 個 8 位的 I/O 口( P0、 P P2 和 P3),每一條 I/O 線都能獨立地用作輸入或輸出。時鐘電路為單片機(jī)產(chǎn)生時鐘脈沖序列,振蕩器的頻率范圍為 ~ 12MHz,典型取值為 6MHz。 P1 口管腳寫入 1 后,被內(nèi)部上拉為高,可用作輸入, P1 口被外部下拉為低電平時,將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。當(dāng) P3 口寫入“ 1”后,它們被內(nèi)部上拉為高電平,并用作輸入。在編程期間,此引腳用于輸入編程脈沖。 PSEN:外部程序存儲器的選通信號。 振蕩器特性: XTAL1 和 XTAL2 分別為反向放大器的輸入 和輸出。在閑置模式下, CPU 停止工作。 i ++) { } return。 } // //看門狗初始化設(shè)置 // void WATCH_Dog () { WDTCN = 0xde。 //設(shè)置 為輸入 P2MDOUT|=0xff。 //數(shù)據(jù)位 sbit ACC_4 =ACC^4。 DS18B20 芯片特征 DS18B20 單線數(shù)字溫度傳感器,即“一線器件”,其具有獨特的優(yōu)點: ( 1 )采用單總線的接口方式 與微處理器連接時 僅需要一條口線即可實現(xiàn)微處理器與 DS18B20 的雙向通訊。 ( 5 )供電方式靈活 DS18B20 可以通過內(nèi)部寄生電路從數(shù)據(jù)線上獲取電源。 DS18B20 內(nèi)部結(jié)構(gòu) 主要由 4 部分組成: 64 位 ROM、溫度寄存器、溫度報警觸發(fā)器 TH 和 TL、配置寄存器。無論任何理由需要暫停某一執(zhí)行過程時,如果還想恢復(fù)執(zhí)行的畫,總線必須停留在空閑狀態(tài)。 64BIT ROM AND 1wire PORT 8 位 CRC 48 位序列號 8 位系列碼 (2) SCRATCHPAD SCRATCHPAD 有一個溫度寄存器,高低溫報警觸發(fā)器以及配置寄存器組成。數(shù)據(jù)通過寫暫存器指令 [4Eh]寫入高速暫 10 存器的 2, 3 和 4 位;數(shù)據(jù)必須以位 2 為最低有效位開始傳送。用戶可以通過按 下圖 所示設(shè)置 R0 和 R1 位來設(shè)定DS18B20 的精度。為校驗數(shù)據(jù)是否被正確讀取,總線控制器必須用接受到的數(shù)據(jù)計算出一個CRC 值,和存儲在 DS18B20 的 64 位 ROM 中的值(讀 ROM 時)或 DS18B20 內(nèi)部計算出的 8 位 CRC 值(讀存儲器時)進(jìn)行比較。 // void DS18B20_RESET(void) { DQ=0。 } while(DQ==0)//DS18B20 發(fā)送了 PRESENCE 信號,該信號持續(xù) 60us~240us { NOP()。而做為從機(jī)的 DS18B20 則在檢測到總線被拉底后等待 15微秒然后從 15us 到 45us 開始對總線采樣,在采樣期內(nèi)總線為高電平則為 1,若采樣期內(nèi)總線為低電平則為 0“ [11]”。 NOP()。 NOP()。 Delay(120)。 } else { write_1()。完成一個讀時序過程,至少需要 60us 才能完成“ [13]”。//延時 60us。i++) { Read_Bit=read_DS18B20_bit()。 ROM 指令有 5 條,都是 8 位長度。 //發(fā)送 ROM 指令: CCh: Skip ROM Command. Command=0xcc。//讀出的為數(shù)字溫度的低字節(jié)內(nèi)容 //存儲低字節(jié)的內(nèi)容 Temperature_High=read_DS18B20()。 ACC_6=Temperature_High^2。 這次 寫 論文的經(jīng)歷也會使我終身受益,我感受到做論文是要真真正正用心去做的一件事情
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