【正文】 //第二行第六個(gè)顯示小數(shù)點(diǎn)后一位 } void main()//主程序 {lcd_display()。//第二行第二個(gè)顯示溫度百位 write_(0xc2)。//小數(shù)點(diǎn)后一位 if(tflag==0) flagdat=0x20。//如果溫度小于 0，取反加一 沈陽理工大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 XX tflag=1。//忽略 ROM 指令 ds_write(0xbe)。//CPU 將總線拉高延時(shí) 60微妙 if(dq==0) delayus(240)。//第二行第一個(gè)字符開始顯示 display(str2)。 write_(0x0c)。 接口和連接方式 （ 1）液晶 LCD1602 的數(shù)據(jù)和指令選擇控制端 RS 接到單片機(jī)的 ,讀寫控制 —W/R 接到單片節(jié)的 ，數(shù)據(jù)讀寫控制位 E接到單片機(jī)的 ， 8 位數(shù)據(jù)線 DB0～ DB7 接到單片機(jī)的 P0 口。光標(biāo)加 1)， N=0(讀或?qū)懸粋€(gè)字符后地址指針減 1amp。 15腳背光正極， 16腳背光負(fù)極。它是一種專門用來顯示字母、數(shù)字、符號等的點(diǎn)陣型液晶模塊。 DS18B20 有嚴(yán)格的通信協(xié)議來保 證各位數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼_性和完整性。器件中還有一個(gè)計(jì)數(shù)門，當(dāng)計(jì)數(shù)門打開時(shí)， DS18B20 就對低溫度系數(shù)振蕩器產(chǎn)生的時(shí)鐘脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)I/O C 64 位ROM 和 單線接口 高速緩存 存儲(chǔ)器與控制邏輯 溫度傳感器 高溫觸發(fā)器 TH 低溫觸發(fā)器 TL 配置寄存器 8 位 CRC 發(fā)生器 Vdd 沈陽理工大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 XII 進(jìn)而完成溫度測量。 沈陽理工大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 XI DS18B20 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示。它具有獨(dú)特的單線接口僅需要一個(gè)端口引腳進(jìn)行通信，并可通過數(shù)據(jù)線供電，電壓范圍為 ～ Ｖ。這就意味著 WDT 應(yīng)該在 中斷服務(wù)程序 中復(fù)位。 掉電和空閑方式下的 WDT 在掉電模式下，晶振停止工作，這意味這 WDT 也停止了工作。 WDT 的使用為了激活 WDT，用戶必須向 WDTRST 寄存器 （地址為 0A6H 的 SFR）依次寫入01EH 和 0E1H。因此，高 128 字節(jié)數(shù)據(jù) RAM 也可用于 堆棧 空間。 數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器 ： AT89S52 有 256 字節(jié)片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 沈陽理工大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 VIII 復(fù)位輸入。 在訪問外部 程序存儲(chǔ)器 或用 16 位地址讀取 外部數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器 （例如執(zhí)行 MOVX DPTR） 時(shí)， P2 口送出高八位地址。 在 flash編程 時(shí)， P0 口也用來接收指令 字節(jié) ；在 程序 校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)。另外，AT89S52 可降至 0Hz 靜態(tài)邏 輯操作，支持 2種 軟件 可選擇節(jié)電模式。片上 Flash 允許 程序存儲(chǔ)器 在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程器。 設(shè)計(jì)內(nèi)容及要求 采用 STC 89C52 單片機(jī)作為處理器。如何設(shè)計(jì)一款成本低廉、 報(bào)警準(zhǔn)確 、操作簡單的智能溫度報(bào)警系統(tǒng)成為一個(gè)重要問題。著重介紹軟硬件系統(tǒng)的各部分電路，介紹了集成溫度傳感器 DS18B20 的原理， STC89C52單片機(jī)功能和應(yīng)用。傳統(tǒng)的測溫元件有熱電偶和二電阻。C。 C. DS18B20 can be directly read out the temperature on the north side, and threewire system with singlechip connected to a decrease of the external hardware circuit, with lowcost and easy use. The introduction of a costbased STC89C52 MCU a temperature measurement circuits, the circuits used DS18B20 highprecision temperature sensor, measuring scope 0 186?，F(xiàn)代自動(dòng)控制越來越朝著智能化發(fā)展 ， 在很多的小型系統(tǒng)中，處理機(jī)的成本占系統(tǒng)成本的比例高達(dá) 20%，而對于這些小型的系統(tǒng)來說，配置一個(gè)如此高速的處理機(jī)沒有任何必要，因?yàn)檫@些小系統(tǒng)追求經(jīng)濟(jì)效益，而不是最在乎系統(tǒng)的快速性，所以用成本低廉的單片機(jī)控制小型的，而又不是很復(fù)雜，不需要大量復(fù)雜運(yùn)算的系統(tǒng)中是非常適合的。該控制系統(tǒng)的硬件部分，包括：溫度檢測電路、溫度控制電路、 PC機(jī) 與 單片機(jī)串口通訊電路和一 些接口電路 。片上 Flash 允許 程序存儲(chǔ)器 在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程器。對 P0 端口寫 “1” 時(shí)， 引腳 用作高阻抗輸入。 P2 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P2 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) TTL 邏輯電平。 P3口亦作為 AT89S52 特殊功能（第二功能）使用，如下表所示。外部 程序 存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器都可以64K 尋址。 例如，下面的 直接尋址 指令訪問 0A0H（ P2口） 存儲(chǔ)單元 MOV 0A0H , data 使用間接 尋址方式 訪問高 128 字節(jié) RAM。 WDT 計(jì)時(shí) 周期 依賴于外部時(shí)鐘頻率。 WDT 計(jì)數(shù)器 不能讀或?qū)憽Ｖ袛鄳?yīng)持續(xù)拉低很長一段時(shí)間，使得晶振穩(wěn)定 。 DS18B20 的介紹 DS18B20 的主要特點(diǎn) 溫度傳感器的種類眾多，在高精度、高可靠性的應(yīng)用場合時(shí) DALLAS（達(dá)拉斯）公司生產(chǎn)的 DS18B20 溫度傳感器比較理想。當(dāng)被用著在寄生電源下，也可以向 器件提供電源。第 01 個(gè)字節(jié)是溫度的顯示位；第 2 和第 3個(gè)字節(jié)是 TH 和 TL，同時(shí)第 2和第 3 個(gè)字節(jié)的數(shù)字可以更新；第 4 個(gè)字節(jié)是配置寄存器，同時(shí)第 4個(gè)字節(jié)的數(shù)字也可以更新；第 7三個(gè)字節(jié)是保留的。采用寄生電源供電方式時(shí) VDD 端接地。 （ 1） DS18B20 的初始化時(shí)序 1） 先將數(shù)據(jù)線 置高電平 1 沈陽理工大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 XIII 2） 延時(shí)（該時(shí)間要求不是很嚴(yán)格，但盡可能短一點(diǎn)） 3） 數(shù)據(jù)線拉到低電平 0 4） 延時(shí) 750us（該時(shí)間范圍可以設(shè)定為 480960us 范圍內(nèi)） 5） 數(shù)據(jù)線拉到高電平 1 6） 延時(shí)等待。 第 6腳： E(或 EN)端為使能 (enable)端。A’。、 E分別接到單片機(jī)的 ～ 來實(shí)現(xiàn)單片機(jī)控制液晶的讀寫命令和數(shù)據(jù)的顯示控制。//兩行顯示， 5*7 點(diǎn)陣 delayms(5)。//1602 初始化 write_(0x80)。 delayus(480)。//忽略 ROM 指令 ds_write(0x44)。// tvalue=tvalue|a。//溫度百位 disdata[1]=tvalue%1000/100+0x30。 write_date(flagdat)。// write_date(0x2e)。//1602 顯示溫度 } } 。 write_date(disdata[2])。//百位為 0不顯示 if(disdata[1]==0x30) {disdata[1]=0x20。// } void ds_dis()//把溫度值送入 1602 中顯示 {uchar flagdat。//讀取高八位 tvalue=b