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ic封裝工藝簡介(ppt45頁)3-免費閱讀

2025-03-09 18:27 上一頁面

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【正文】 :26:1818:26:18March 12, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 3月 下午 6時 26分 :26March 12, 2023 ? 1少年十五二十時,步行奪得胡馬騎。 下午 6時 26分 18秒 下午 6時 26分 18:26: ? 沒有失敗,只有暫時停止成功!。 18:26:1818:26:1818:263/12/2023 6:26:18 PM ? 1以我獨沈久,愧君相見頻。并且使元器件在 PCB板上容易焊接及 提高導電性。指金線在 Cap的作用下,在 Lead Frame上形成的焊接點,一般為月牙形(或者魚尾形); W/B四要素:壓力( Force)、超聲( USG Power)、時間( Time)、溫度( Temperature); Logo FOL– Wire Bonding 引線焊接 EFO打火桿在磁嘴前燒球 Cap下降到芯片的 Pad上,加 Force和 Power形成第一焊點 Cap牽引金線上升 Cap運動軌跡形成良好的 Wire Loop Cap下降到 Lead Frame形成焊接 Cap側向劃開,將金線切斷,形成魚尾 Cap上提,完成一次動作 Logo FOL– Wire Bonding 引線焊接 Wire Bond的質量控制: Wire Pull、 Stitch Pull(金線頸部和尾部拉力) Ball Shear(金球推力) Wire Loop(金線弧高) Ball Thickness(金球厚度) Crater Test(彈坑測試) Intermetallic(金屬間化合物測試) Size Thickness Logo FOL– 3rd Optical Inspection三光檢查 檢查 Die Attach和 Wire Bond之后有無各種廢品 Logo EOL– End of Line后段工藝 Molding 注塑 EOL Laser Mark 激光打字 PMC 高溫固化 Deflash/ Plating 去溢料 /電鍍 Trim/Form 切筋 /成型 4th Optical 第四道光檢 Annealing 電鍍退火 Logo EOL– Molding(注塑) ※ 為了防止外部環(huán)境的沖擊,利用塑封料 把引線鍵合完成后的產品封裝起 來的過程,并需要加熱硬化。 C, 1個小時; N2環(huán)境,防止氧化: Die Attach質量檢查: Die Shear(芯片剪切力) Logo FOL– Wire Bonding 引線焊接 ※ 利用高純度的金線( Au) 、銅線( Cu)或鋁線( Al)把 Pad 和引線通過焊接的方法連接起來。 保存,常溫下需回溫 24小時; Logo Raw Material in Assembly(封裝原材料 ) ?成分為環(huán)氧樹脂填充金屬粉末( Ag); ?有三個作用:將 Die固定在 Die Pad上; 散熱作用,導電作用; ?50176。 Logo IC Process Flow Customer 客 戶 IC Design IC設計 Wafer Fab 晶圓制造 Wafer Probe 晶圓測試 Assembly Test IC 封裝測試 SMT IC組裝 Logo IC Package ( IC的封裝形式) Package封裝體: ?指芯片( Die)和不同類型的框架( L/F)和塑封料( EMC)形成的不同外形的封裝體。但是,我們所生活的周圍環(huán)境完全不可能具備這種條件,低溫可能會有 40℃ 、高溫可能會有 60℃ 、濕度可能達到 100%,如果是汽車產品,其工作溫度可能高達120℃ 以上,為了要保護芯片,所以我們需要封裝。Logo Introduction of IC Assembly Process IC封裝工藝簡介 Logo Introduction of IC Assembly Process 一、概念 半導體芯片封裝是指利用膜技術及細微加工技術,將芯片及其他要素在框架或基板上布局、粘貼固定及連接,引出接線端子并通過可塑性絕緣介質灌封固定,構成整體立體結構的工藝。
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