【正文】 正因如此，提高單晶硅電池效率、形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、引領(lǐng)光伏企業(yè)向前發(fā)展具有重要的戰(zhàn)略意義。影響太陽能電池組件輸出性能的主要因素有以下幾點(diǎn)：1）負(fù)載阻抗2）日照強(qiáng)度3）溫度4）陰影由中科院半導(dǎo)體所韓培德研究員領(lǐng)導(dǎo)的光伏能源組，在國(guó)家縱向和自籌經(jīng)費(fèi)的支持下，瞄準(zhǔn)光伏企業(yè)需求，經(jīng)過多年苦戰(zhàn)，綜合了入射光減反技術(shù)、鈍化技術(shù)、選擇性發(fā)射極技術(shù)、背面局部重?fù)郊夹g(shù)等優(yōu)點(diǎn)，%的太陽電池（短路電流密度JSC=，開路電壓VOC=602mV，填充因子FF=），并經(jīng)中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院認(rèn)證。：（1）與汽車配套：太陽能汽車/電動(dòng)車、電池充電設(shè)備、汽車空調(diào)、換氣扇、冷飲箱等；（2）太陽能制氫加燃料電池的再生發(fā)電系統(tǒng)；（3）海水淡化設(shè)備供電；（4）衛(wèi)星、航天器、空間太陽能電站等。但是，未來10年晶體硅太陽能電池所占份額盡管會(huì)因薄膜太陽能電池的發(fā)展等原因而下降，但其主導(dǎo)地位仍不會(huì)根本改變；而薄膜電池如果能夠解決轉(zhuǎn)換效率不高、制備薄膜電池所用設(shè)備價(jià)格昂貴等問題，會(huì)有巨大的發(fā)展空間?？傮w來看，中國(guó)太陽能電池的國(guó)際市場(chǎng)份額和技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力大幅提高。用戶根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，可將太陽能電池組件組成各種大小不同的太陽能電池方陣，亦稱太陽能電池陣列。硅片經(jīng)過拋磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。可以看出，制備單晶硅的工藝要求非?？量?，包括設(shè)備、溫度控制、轉(zhuǎn)速等各種影響因素。所用坩堝必須由不污染熔體的材料制成。此種制作工藝，可以采用一連串沉積室，在生產(chǎn)中構(gòu)成連續(xù)程序，以實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。非晶硅太陽電池：非晶硅太陽電池是1976年有出現(xiàn)的新型薄膜式太陽電池，它與單晶硅和多晶硅太陽電池的制作方法完全不同，硅材料消耗很少，電耗更低，非常吸引人。目前太陽電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅料和冶金級(jí)硅材料熔化澆鑄而成。然后采用絲網(wǎng)印刷法，將配好的銀漿印在硅片上做成柵線，經(jīng)過燒結(jié)，同時(shí)制成背電極，并在有柵線的面涂覆減反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，單晶硅太陽電池的單體片就制成了。這種太陽電池以高純的單晶硅棒為原料，%。高純度硅在石英中提取，以單晶硅為例，提煉要經(jīng)過以下過程：石英砂一冶金級(jí)硅一提純和精煉一沉積多晶硅錠一單晶硅一硅片切割。如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。長(zhǎng)完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時(shí)間后取出，即完成一次生長(zhǎng)周期[2]由于籽晶與硅熔體場(chǎng)接觸時(shí)的熱應(yīng)力，會(huì)使籽晶產(chǎn)生位錯(cuò)，這些位錯(cuò)必須利用縮頸生長(zhǎng)使之消失掉。硅的原子價(jià)主要為4價(jià)，其次為2價(jià)；在常溫下它的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，不溶于單一的強(qiáng)酸，易溶于堿；在高溫下化學(xué)性質(zhì)活潑，能與許多元素化合。SOI技術(shù)已開始在世界上被廣泛使用，SOI材料約占整個(gè)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的30%左右，預(yù)計(jì)到2010年將占到50%左右的市場(chǎng)。%P世界半導(dǎo)體設(shè)備及材料協(xié)會(huì)（SEMI）的調(diào)查顯示，2004年和2005年，在所有的硅片生產(chǎn)設(shè)備中，投資在300mm生產(chǎn)線上的比例將分別為55%和62%，發(fā)展十分迅猛。但我國(guó)科技人員正迎頭趕上，于1998年成功地制造出了12英寸單晶硅，標(biāo)志著我國(guó)單晶硅生產(chǎn)進(jìn)入了新的發(fā)展時(shí)期。由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用最廣。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。與此同時(shí)，鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加，世界上許多國(guó)家正掀起開發(fā)利用太陽能的熱潮并成為各國(guó)制定可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的重要內(nèi)容。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。由于太陽能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢(shì)，近三十年來，太陽能利用技術(shù)在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場(chǎng)開拓方面都獲得了長(zhǎng)足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。單晶硅可以用于二極管級(jí)、整流器件級(jí)、電路級(jí)以及太陽能電池級(jí)單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造，其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，在軍事電子設(shè)備中也占有重要地位。%，%以上。單晶硅按晶體生長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。在跨入21世紀(jì)門檻后，世界大多數(shù)國(guó)家踴躍參與以至在全球范圍掀起了太陽能開發(fā)利用的“綠色能源熱”，各國(guó)相繼研發(fā)太陽能光伏系統(tǒng)，把太陽能發(fā)電終端，所產(chǎn)生的電能輸送到電網(wǎng)，用電網(wǎng)使用。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成p型硅半導(dǎo)體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度，形成n型硅半導(dǎo)體。單晶硅按晶體伸長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。全世界單晶硅的產(chǎn)能為1萬噸/年，年消耗量約為6000噸～7000噸。而在1996年時(shí)，這一比重還僅僅是零。Soitec公司（世界最大的SOI生產(chǎn)商）的2000年～2010年SOI市場(chǎng)預(yù)測(cè)以及2005年各尺寸SOI硅片比重預(yù)測(cè)了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景。硅材料資源豐富，又是無毒的單質(zhì)半導(dǎo)體材料，較易制作大直徑無位錯(cuò)低微缺陷單晶?？s頸生長(zhǎng)是將籽晶快速向上提升，使長(zhǎng)出的籽晶的直徑縮小到一定大?。?－6mm）由于位錯(cuò)線與生長(zhǎng)軸成一個(gè)交角，只要縮頸夠長(zhǎng)，位錯(cuò)便能長(zhǎng)出晶體表面，產(chǎn)生零位錯(cuò)的晶體。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。冶金級(jí)硅的提煉并不難。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽電池等采用太陽能級(jí)的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。單體片經(jīng)過抽查檢驗(yàn)，即可按所需要的規(guī)格組裝成太陽電池組件（太陽電池板），用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構(gòu)成一定的輸出電壓和電流，最后用框架和封裝材料進(jìn)行封裝。其工藝過程是選擇電阻