【正文】 正因如此，提高單晶硅電池效率、形成自主知識產(chǎn)權(quán)、引領(lǐng)光伏企業(yè)向前發(fā)展具有重要的戰(zhàn)略意義。影響太陽能電池組件輸出性能的主要因素有以下幾點：1）負(fù)載阻抗2）日照強度3）溫度4）陰影由中科院半導(dǎo)體所韓培德研究員領(lǐng)導(dǎo)的光伏能源組，在國家縱向和自籌經(jīng)費的支持下，瞄準(zhǔn)光伏企業(yè)需求，經(jīng)過多年苦戰(zhàn)，綜合了入射光減反技術(shù)、鈍化技術(shù)、選擇性發(fā)射極技術(shù)、背面局部重?fù)郊夹g(shù)等優(yōu)點，%的太陽電池（短路電流密度JSC=，開路電壓VOC=602mV，填充因子FF=），并經(jīng)中國計量科學(xué)研究院認(rèn)證。：（1）與汽車配套：太陽能汽車/電動車、電池充電設(shè)備、汽車空調(diào)、換氣扇、冷飲箱等；（2）太陽能制氫加燃料電池的再生發(fā)電系統(tǒng)；（3）海水淡化設(shè)備供電；（4）衛(wèi)星、航天器、空間太陽能電站等。但是，未來10年晶體硅太陽能電池所占份額盡管會因薄膜太陽能電池的發(fā)展等原因而下降，但其主導(dǎo)地位仍不會根本改變；而薄膜電池如果能夠解決轉(zhuǎn)換效率不高、制備薄膜電池所用設(shè)備價格昂貴等問題，會有巨大的發(fā)展空間?？傮w來看，中國太陽能電池的國際市場份額和技術(shù)競爭力大幅提高。用戶根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計，可將太陽能電池組件組成各種大小不同的太陽能電池方陣，亦稱太陽能電池陣列。硅片經(jīng)過拋磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片?？梢钥闯?，制備單晶硅的工藝要求非常苛刻，包括設(shè)備、溫度控制、轉(zhuǎn)速等各種影響因素。所用坩堝必須由不污染熔體的材料制成。此種制作工藝，可以采用一連串沉積室，在生產(chǎn)中構(gòu)成連續(xù)程序，以實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。非晶硅太陽電池：非晶硅太陽電池是1976年有出現(xiàn)的新型薄膜式太陽電池，它與單晶硅和多晶硅太陽電池的制作方法完全不同，硅材料消耗很少，電耗更低，非常吸引人。目前太陽電池使用的多晶硅材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶硅料和冶金級硅材料熔化澆鑄而成。然后采用絲網(wǎng)印刷法，將配好的銀漿印在硅片上做成柵線，經(jīng)過燒結(jié)，同時制成背電極，并在有柵線的面涂覆減反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，單晶硅太陽電池的單體片就制成了。這種太陽電池以高純的單晶硅棒為原料，%。高純度硅在石英中提取，以單晶硅為例，提煉要經(jīng)過以下過程：石英砂一冶金級硅一提純和精煉一沉積多晶硅錠一單晶硅一硅片切割。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間后取出，即完成一次生長周期[2]由于籽晶與硅熔體場接觸時的熱應(yīng)力，會使籽晶產(chǎn)生位錯，這些位錯必須利用縮頸生長使之消失掉。硅的原子價主要為4價，其次為2價；在常溫下它的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，不溶于單一的強酸，易溶于堿；在高溫下化學(xué)性質(zhì)活潑，能與許多元素化合。SOI技術(shù)已開始在世界上被廣泛使用，SOI材料約占整個半導(dǎo)體材料市場的30%左右，預(yù)計到2010年將占到50%左右的市場。%P世界半導(dǎo)體設(shè)備及材料協(xié)會（SEMI）的調(diào)查顯示，2004年和2005年，在所有的硅片生產(chǎn)設(shè)備中，投資在300mm生產(chǎn)線上的比例將分別為55%和62%，發(fā)展十分迅猛。但我國科技人員正迎頭趕上，于1998年成功地制造出了12英寸單晶硅，標(biāo)志著我國單晶硅生產(chǎn)進(jìn)入了新的發(fā)展時期。由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用最廣。但大尺寸晶片對材料和技術(shù)的要求也越高。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。與此同時，鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加，世界上許多國家正掀起開發(fā)利用太陽能的熱潮并成為各國制定可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的重要內(nèi)容。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。由于太陽能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢，近三十年來，太陽能利用技術(shù)在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場開拓方面都獲得了長足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。單晶硅可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造，其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，在軍事電子設(shè)備中也占有重要地位。%，%以上。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。在跨入21世紀(jì)門檻后，世界大多數(shù)國家踴躍參與以至在全球范圍掀起了太陽能開發(fā)利用的“綠色能源熱”，各國相繼研發(fā)太陽能光伏系統(tǒng)，把太陽能發(fā)電終端，所產(chǎn)生的電能輸送到電網(wǎng)，用電網(wǎng)使用。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導(dǎo)電的程度，而形成p型硅半導(dǎo)體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度，形成n型硅半導(dǎo)體。單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。全世界單晶硅的產(chǎn)能為1萬噸/年，年消耗量約為6000噸～7000噸。而在1996年時，這一比重還僅僅是零。Soitec公司（世界最大的SOI生產(chǎn)商）的2000年～2010年SOI市場預(yù)測以及2005年各尺寸SOI硅片比重預(yù)測了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景。硅材料資源豐富，又是無毒的單質(zhì)半導(dǎo)體材料，較易制作大直徑無位錯低微缺陷單晶?？s頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大?。?－6mm）由于位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產(chǎn)生零位錯的晶體。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。冶金級硅的提煉并不難。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽電池等采用太陽能級的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。單體片經(jīng)過抽查檢驗，即可按所需要的規(guī)格組裝成太陽電池組件（太陽電池板），用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構(gòu)成一定的輸出電壓和電流，最后用框架和封裝材料進(jìn)行封裝。其工藝過程是選擇電阻