氮化硅陶瓷制品-免費閱讀
【正文】 KIC=（H）式中，H ——試樣的維氏硬度（GPa）；P ——壓頭加載壓力（N）；l ——裂紋長度（m）。得到最大加載載荷，運用公式（24）計算出氮化硅陶瓷材料的彎曲強度。觀測前試樣分別由 240 目、600 目、1000 目砂紙打磨拋光至鏡面，于無水乙醇溶液中進行超聲清洗。于 1800℃保溫 1h，加載單軸壓力為 30MPa，而后隨爐冷卻，氣氛為氮氣。使用行星式球磨機球磨 18h，轉(zhuǎn)速為 220r/min，每 30 分鐘反轉(zhuǎn)一次。國內(nèi)對放電等離子燒結(jié)制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷材料的研究較多，熱導(dǎo)率最高可達到 100 Wm1K1，遠低于采用相同燒結(jié)助劑使用其他燒結(jié)方式制備的氮化硅陶瓷材料。Yokota等人也通過實驗驗證了晶種引入并不是影響材料熱導(dǎo)率的因素，其燒結(jié)溫度為 1950℃，保溫時間 16 小時，獲得的氮化硅燒結(jié)體熱導(dǎo)率為 143 Wm1K1。氮化鋁的熱導(dǎo)率范圍為 175~200 Wm1K1，但其彎曲強度在 300~350MPa 之間，遠低于氮化硅陶瓷材料（600~1500MPa），且氮化硅的熱膨脹系數(shù)低于以上高熱導(dǎo)率陶瓷材料。伴隨大功率、超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，其所面臨的熱障問題愈加突出，器件設(shè)計中的熱耗散問題亟待解決（在溫度高于 100℃時，電路失效率會隨著溫度的升高成倍增長）。 題目名稱：氮化硅陶瓷的制備 學(xué)院名稱：材料科學(xué)與工程學(xué)院 班 級： 學(xué) 號： 學(xué)生姓名： 指導(dǎo)教師： 2014 年 4 月 氮化硅陶瓷的制備1．簡介 應(yīng)用背景作為結(jié)構(gòu)陶瓷，氮化硅陶瓷材料具有優(yōu)良的耐磨、耐腐蝕、耐高溫性能以及良好的抗熱震性能，廣泛應(yīng)用于航空航天、機械、電子電力、化工等領(lǐng)域。較玻璃、樹脂等材料，電子陶瓷材料憑借其優(yōu)異的絕緣性能、化學(xué)穩(wěn)定性以及與芯片最為相似的熱膨脹系數(shù)使其在基板材料中占據(jù)重要地位。高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷材料具有其他陶瓷材料無法比擬的高強度、高斷裂韌性以及抗熱震性能，其作為一種理想的結(jié)構(gòu)材料可以為電子器件的熱耗散設(shè)計提供一種新的材料選擇。Ye 等人采用氣壓燒結(jié)在燒結(jié)溫度 2200℃ Wm1K1的氮化硅陶瓷材料。無壓燒結(jié)制備的燒結(jié)體性能低于有壓燒結(jié)，其最大優(yōu)勢是成本低廉、工藝簡單于推廣生產(chǎn)。球磨時間較長，可有效混合燒結(jié)助劑與氮化硅粉料。1800℃的燒結(jié)溫度有利
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