【正文】 對于脈沖變壓器內(nèi)部而言的屏蔽，即在一次側(cè)和二次側(cè)間加屏蔽層，簡單的辦法，用漆包線均勻繞滿骨架一層，繞組的一端接高壓+V端，另一端浮空。 濾波器(2) 減小脈沖變壓器的漏感及分布電容交流側(cè)濾波：開關(guān)電源的交流電源線輸入端插入共模和差模濾波器，防止開關(guān)電源的共模和差模噪聲傳遞到電源線中，影響電網(wǎng)中其它用電設(shè)備，同時也抑制來自電網(wǎng)的噪聲。這種通過電磁輻射產(chǎn)生的干擾稱為輻射干擾。(2) 開關(guān)管工作時產(chǎn)生的諧波干擾限流的延遲時間取決于時間常數(shù)（R2C2），～。100%=(）當(dāng)TA=25℃時，T=298K,kT/q=。將IC=，CTR=120％代入式()得出，IR1=。正常工作時Css不起作用，斷電后Css可限制經(jīng)R2放電。 輸入欠電壓保護(hù)電路當(dāng)直流輸入電壓UI低于下限值時，經(jīng)RR2分壓后使VT的基極對地電壓UB≤，于是VT和VD4均導(dǎo)通，迫使Uc﹤，立即將TOPSWitchII關(guān)斷。(2) 自恢復(fù)保險絲的選取表11部分型號自恢復(fù)保險絲參數(shù)產(chǎn)品型號工作電壓最大值（V）中斷電流最大值（A）功耗（W）MFR166040100MFRX6040MFMSMF66040100MFNSMF63010100已知所設(shè)計電路的Uo=24V，Io=，故選用MFNSMF型號的保險絲。當(dāng)工作電流通過自恢復(fù)保險絲時所產(chǎn)生的熱量很小，不會改 變聚合物內(nèi)部的晶狀結(jié)構(gòu)。它是20世紀(jì)90年代問世的一種新型過流保護(hù)器件。(2) 線性光耦合器的選取原則在設(shè)計光耦反饋式開關(guān)電源時必須正確選擇線性光耦合器的型號及參數(shù)，選取原則如下：①光耦合器的電流傳輸比(CTR)的允許范圍是50%～200%。其公式為： （）采用一只光敏三極管的光耦合器，CTR的范圍大多為20%～300%（如4N35），而PC817則為80%～160%，達(dá)林頓型光耦合器（如4N30）可達(dá)100%～5000%。近年來問世的線性光耦合器能夠傳輸連續(xù)變化的模擬電壓或模擬電流信號，使其應(yīng)用領(lǐng)域大為拓寬。它相當(dāng)于一只可調(diào)式齊納穩(wěn)壓管，輸出電壓由外部精密電阻R1和R2來設(shè)定，有公式Uo=UKA=（1＋R1／R2） （）R3是IKA的限流電阻。其動態(tài)阻抗低。、1/4W，本設(shè)計采用連續(xù)模式，此電阻不可省略。它表示在電容器的等效電路中，與之相串聯(lián)的代表電容器損耗的等效電阻，簡稱串聯(lián)損耗電阻，則可計算出功率損耗P=。由式（）可計算出U(BR)S=。對管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)或超快恢復(fù)二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相似之處。其性能要優(yōu)于壓敏電阻器（VSR），且參數(shù)的一致性好。因IP、IT、IR分別屬于A、 mA、μA這三個數(shù)量級，故IPIT IR。TVS的符號與穩(wěn)壓管相同 ，（b），（c）所示。次級繞組線圈最小橫截面積67公制φmm次級繞組導(dǎo)線規(guī)格68DSmmm次級繞組導(dǎo)線最小直徑（裸線）69DSMmm次級繞組導(dǎo)線最大直徑（帶絕緣層）70NSSmm次級繞組絕緣層最大厚度7172電壓極限參數(shù)73UDmax573V最高漏極電壓估算值（包括漏感的作用）74U（BR）SV次級繞組整流管最高反向峰值電壓75U（BR）FBV反饋電路整流管的最高反向峰值電壓(24) 部分參數(shù)的補(bǔ)充對于表5中交流磁通密度有兩個計算公式： （） （）式中最大磁通密度BM=，KRP=，代入式（）算出BAC=。此外，用雙線并繞方式還能減小次級導(dǎo)線的電阻值，降低功率損耗。氣隙δ應(yīng)加在磁芯的磁路中心處，要求δ≥。查表可知，完全可滿足要求。(13) 計算反饋繞組匝數(shù) （）配有TL431的光耦反饋電路UFB 一般取12V，UF1=，Ns=15，將這些值連同Uo=24V一起帶入式（），求得NF=。在此我們采用常規(guī)漆包線，故選用EE30型磁心。LpIp178。利用TVS器件來吸收尖峰電壓的瞬間能量，使上述三種電壓之和（UI+UOR+ UL）低于MOSFET的漏源擊穿電壓U(BR)DS值。Po值≥90通用輸入：85~265已知2~3（2~3）177。但CIN值取得過高。 單片開關(guān)電源電路參數(shù)的設(shè)定下面將比較詳細(xì)的敘述這些參數(shù)求得過程并完成電子表格。反饋繞組電壓經(jīng)過VDCF整流濾波后獲得反饋電壓UFB，經(jīng)光耦合器重的光敏三極管給TOPSWitchII的控制端提供偏壓，CT是控制端C的旁路電容。這表明在TOPSWitchII導(dǎo)通時，電能就以磁場能量形式儲存在初級繞組中，此時VD2截止。 TOPSwitchII的內(nèi)部框圖TOPSwitch器件具有關(guān)斷/自動重啟動電路功能，即當(dāng)調(diào)節(jié)失控時立即使芯片在低占空比下工作，倘若故障已排除就自動重啟動恢復(fù)正常工作。它將脈寬調(diào)制（PWM）控制系統(tǒng)的全部功能集成到了三端芯片中。在本次設(shè)計中，我們要掌握電路設(shè)計的基本方法和步驟，學(xué)會用計算機(jī)專用軟件（Protel99）繪制電路原理圖和設(shè)計制作印制線路板圖，掌握標(biāo)準(zhǔn)化制圖的基本規(guī)則，將理論和實踐相結(jié)合，提高獨(dú)立分析能力和解決問題的能力，為我們畢業(yè)后走上工作崗位打下一個良好的基礎(chǔ)。其中，為防止隨開關(guān)啟閉所發(fā)生的電壓浪涌，可采用RC或LC緩沖器，而對由二極管存儲電荷所致的電流浪涌可采用非晶態(tài)等磁芯制成的磁緩沖器。到了1969年由于大功率硅晶體管的耐壓提高，二極管反向恢復(fù)時間的縮短等元器件改善，終于做成了25千赫的開關(guān)電源。但從本質(zhì)上講，它仍屬DC/DC電源變換器[17]。近20多年來，集成開關(guān)電源沿著下述兩個方向不斷發(fā)展。s energy consumption. In this respect, our country and developed country have very great disparity. As a power worker, not only design the international or domestic advanced power supply, but also consider the adaptability and cost of the power supply. Only the advanced and lowpriced power supply could make the power industry of our country catch up with the developed country. Here, I will introduce the SingleChip Switching Power Supply which based on the TOP252Y, by using the technology, such as advanced electric and electronic technology, it turns the ordinary electricity into the steadily voltage and current output. At first, I will introduce the meaning of the Switch Mode Power Supply, the Switch Mode Power Supply is a Power supply which utilizing modern electric and electronic technology, controlling the time rate of the ON /OFF of the switch transistor, and keeping the voltage output steadily, the switch power is generally made up with PWM IC and MOSFET [20]. With the appearance and upgrading of various electric apparatuses, all of them need one steady power supply, this text systematically introduces a kind of more advanced and very more lowpriced single slice of Switch Mode Power Supply which has steadily voltage and current output. Key words: singlechip switching power supply。這里著重介紹了基于TOP252Y的單片開關(guān)電源，通過運(yùn)用先進(jìn)的電力電子技術(shù)等技術(shù)，實現(xiàn)了將普通市電轉(zhuǎn)化為穩(wěn)定地電壓電流輸出。從日常生活到最尖端的科學(xué)都離不開電源技術(shù)的參與和支持，而電源技術(shù)和產(chǎn)業(yè)對提高一個國家勞動生產(chǎn)率的水平，即提高一個國家單位能耗的產(chǎn)出水平，具有舉足輕重的作用。The design of Singlechip Switching Power Supply and it’s PCB Abstract：Electric and electronic technology has already developed into an intact high science, the development of electric and electronic technology has driven the development of the technology of the power supply, and the development of power technology has promoted the development of industry of the power supply effectively. The technology of the power mainly serves information industry, the development of the information technology has put forward higher request to the power supply, thus promoted the development of technology of the power supply, and it just had the vigorous information industry and power industry now. Can39。隨著生產(chǎn)、生活中自動化程度的不斷提高，開關(guān)電源也朝著智能化方向發(fā)展，由微控制器控制的開關(guān)電源將單片開關(guān)電源與單片機(jī)控制相結(jié)合，更加體現(xiàn)了開關(guān)電源的可靠性和靈活性。這大致分兩個階段：80年代初意－法半導(dǎo)體有限公司（SGS－Thomson）率先推出L4960系列單片開關(guān)式穩(wěn)壓器。目前，單片開關(guān)電源已形成四大系列、近70種型號的產(chǎn)品。要提高開關(guān)頻率，就要減少開關(guān)損耗，而要減少開關(guān)損耗，就需要有高速開關(guān)元器件。 目前對這種開關(guān)電源的研究很活躍，因為采用這種方式不需要大幅度提高開關(guān)速度就可以在理論上把開關(guān)損耗降到零，而且噪聲也小，可望成為開關(guān)電源高頻化的一種主要方式。其中TO220封裝自帶小散熱片，屬典型的三端器件，本文主要采用此種封裝形式的芯片。TOPSwitchII器件開關(guān)頻率高，典型值為100kHz，允許范圍為90110kHz，開關(guān)管占空比由C腳電流以線性比例控制。 單片開關(guān)電源電路基本原理。鉗位電路由瞬態(tài)電壓抑制器或穩(wěn)壓管（VDZ1）、阻塞二極管（VD1）組成，VD1應(yīng)采用超快二極管（SRD）。為了進(jìn)一步追求開關(guān)電源的小型化和低成本，人們不斷研制成功一些復(fù)合型單片開關(guān)電源集成電路芯片。(3) 輸入濾波電容CIN、直流輸電壓最小值UImin的確定由表2可知在通用85~265V輸入時，CIN、UImin的值都可大概確定，其中，我們確定UImin的值為90V，而輸入濾波電容的準(zhǔn)確值不能從此表中得出。177。1177。感應(yīng)電壓UOR就與UI相疊加后，加至內(nèi)部功率開關(guān)管（MOSFET）的漏極上。IP==初級有效值電流IRMS （）將IP=，Dmax=%，KRP=（）的得，IRMS=(8) 芯片及結(jié)溫的確定所選芯片的極限電流最小值ILIMT（min）應(yīng)滿足下式ILIMT（min）≥IP/ （）即ILIMT（min）≥，于是我們就選取了TOP225YTJ由下式確定 （），=20℃/W，TA=40℃，代入式（）得TJ=74℃。若用常規(guī)漆包線繞制，可選EE30或EE35型，型號中的數(shù)字表示磁芯長度A=30mm或35mm?，F(xiàn)已知u=85~265V，Uo=24V，因此次級匝數(shù)為（Uo+ UF1）（24V+）。計算電流密度的公式為 （）將DPm=，IRMS=（）中得到J=。將SJ=178。(21) 計算出濾波電容上的紋波電流IRI先求出輸出電流Io=Po/Uo=50W/24V=，再代入式（）： （）將ISRMS=，Io=（）中計