模擬電子線路第2章楊凌-免費(fèi)閱讀
【正文】 掌握二極管電路的分析方法 ,要求采用合理的模型分析二 章末總結(jié)與習(xí)題討論 極管電路 . 熟悉常用的二極管應(yīng)用電路 ─整流、穩(wěn)壓、限幅、 開關(guān) . 二、例題討論 【 例 23】 簡單二極管基本電路如圖 示 .對于下列兩種情況 ,求電路的 ID和 VD的值 :(1)VDD=10V。 二極管基本應(yīng)用電路 單向限幅 Vm vI/V t 0 vO/V t 0 V1+VD(on) vO/V t 0 V1－ VD(on) + V1 － R + vI － + vO － VD vI=Vmsinωt V1＞ 0 Vm＞ V1 vI＞ V1+VD(on) ,VD√,vO=V1+VD(on)。 二極管基本應(yīng)用電路 R + △ vD － (a) (b) rd △ iD + △ VI － (c) + △ vI － + vD － R VD iD VI + vD － R iD vO VD vI 圖 VI ID, VD △ vI △ iD, △ vD iD= ID +△ iD, vD= VD +△ vD 167。 二極管基本應(yīng)用電路 VImin－ VZ VZ VImax－ VZ VZ － ＜ Iz＜ － (2—18) R RLmin R RLmax VImax－ VZ VImin－ VZ ≤ R≤ (2—19) IZmax+ ILmin IZmin + ILmax 【 例 21】 試設(shè)計一穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路 ,作為汽車用收音機(jī)的供電 電源。 激光二極管發(fā)射的主要是紅外線，它在小功率光電設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用，如計算機(jī)上的光盤驅(qū)動器，激光打印機(jī)中的打印頭等。 二極管 DTD D QDSd D D1( e 1 )vVQ vViIr v v?? ?? ? ????????? VT rd = (2—12) IDQ 五、特殊二極管 穩(wěn)壓二極管 VZ 、 IZ 、 rZ 、 PZM △ IZ IZmin IZmax iZ/mA O vZ/V △ VZ 圖 IDQ+ IS IDQ = ≈ VT VT DTS S ST1 e vVVI I I????????? vD=VDQ 167。 二極管 1 、結(jié)構(gòu) 點(diǎn)接觸型 :結(jié)面積小 ,極間電容小 ,不能承受高的反向電壓和大的電流 ,適于做高頻檢波和開關(guān)元件用 . 2AP1 ( IF=16mA , f=150MHz ) 面接觸型 :結(jié)面積大 ,極間電容也大 ,適于做整流用 ,但不宜用于高頻電路中 . 2CP1 ( IF=400mA , f=3kHz ) 平面型 :集成電路中的常用形式 . 2 、分類 167。 PN 結(jié) 正偏 l ＜ l0， ID＞ IT IF 反偏 l＞ l0， ID＜ IT IS O vD/V ← T iD/mA VBR IS(Si)≈(10－ 9～ 10 － 16) A IS(Ge)≈(10－ 6～ 10 － 8) A ( Na、 Nd)↑→ IS ↓ T↑→ IS ↑ 圖 PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?. 167。 半導(dǎo)體的基本知識 在熱平衡條件下 n0 p0= ni 2 （ 2—2） N型半導(dǎo)體 n0 =Nd+ p0 ≈ Nd （ 2—3） Nd —施主原子濃度 . P型半導(dǎo)體 p0=Na+ n0 ≈ Na （ 2—4） Na —受主原子濃度 . (1) 摻雜后 ,多子濃度都將遠(yuǎn)大于少子濃度 .且少量摻雜 ,載流子 就會有幾個數(shù)量級的增加 ,即 導(dǎo)電能力顯著增大 . 167。 半導(dǎo)體的基本知識 半導(dǎo)體的導(dǎo)電率介于導(dǎo)體和絕緣體之間 (10－ 3～ 109Ω工程師在開始設(shè)計電路之前 ,不管這個電路是一個普通的 家用計算機(jī)電源 ,還是一個含有 500萬個晶體管的微處理器集成電 路 ,了解其中的單個元器件的工作原理是非常必要的。 半導(dǎo)體的基本知識 硅本征半導(dǎo)體中自由電子的濃度為 1010cm－ 3 ,看上 去似乎很大 ,但和硅原子的濃度 1022cm－ 3相比還是很小 的 . 所以 ,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱 (本征硅的電阻率約為 105Ω PN 結(jié) 阻礙多子擴(kuò)散 載流子濃度差 →多子擴(kuò)散 →空間電荷區(qū) 利于少子漂移 形成一定厚度的 PN結(jié) 動態(tài)平衡 2.
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