續(xù)表面鈍化ppt課件-免費閱讀
【正文】 （ 2）用作硅芯片的最終鈍化層。 當電解液中含有對金屬起腐蝕和溶解作用的酸（磷酸、氫氟酸）時，在陽極氧化的同時還發(fā)生對氧化物的腐蝕、溶解作用，因此它邊氧化、邊滲透，直至全部金屬膜被氧化為止。 制備 Si3N4的主要工藝技術(shù) 采用以硅的氫化物和 NH3 作源的 LPCVD或 PECVD法。 （ b） 結(jié)構(gòu)非常致密，氣體和水汽極難穿透，疏水性強，因此可大大提高器件的防潮性能。 BPSG膜中 B、 P含量各約 4%，此時膜的極化效應(yīng)和吸潮能力最小，而吸雜和阻擋堿離子的能力均優(yōu)于 PSG膜。 （ 2） PSG在 1000℃ 左右的溫度下熔融回流，從而減小布線的臺階； BPSG的熔融回流溫度比 PSG低 100~200℃ 。 二 、 含氯氧化 鈍化可動離子 （ 1） 鈍化效果與氯含量及氧化條件有關(guān) （ a） HCl/O2 濃度比達到 3~4%時 ， 可使 Na+幾乎完全鈍化； （ b） 氧化溫度低于 1050℃ 時 ， 含氯氧化對可動離子的鈍化 、收集作用消失； （ c） 含氯氧化對可動離子的鈍化作用僅在干氧氧化中存在，濕氧氧化中不存在。 ? ?SiAS WqN ?? 22? 金屬功函數(shù)、氧化硅中電荷對 CV特性的影響 167。 Dox CCC111 ??dCoxox?? 0?四 、 SiSiO2結(jié)構(gòu)性質(zhì)的測試分析 MOS CV特性與 SiSiO2結(jié)構(gòu)性質(zhì)的關(guān)系 理想 MOS結(jié)構(gòu)假定： 1） SiO2中不存在電荷與界面陷阱； 2） 金屬半導體功函數(shù)差為零 。 三 、 SiSiO2系統(tǒng)中的電荷對器件性能的影響 在 SiSiO2系統(tǒng)中的正電荷以及 Si熱氧化過程中雜質(zhì)再分布現(xiàn)象 （ Si表面磷多或硼少 ） 均導致 Si表面存在著 N型化的趨勢 。 氧化物陷阱電荷 Qot 氧化物中被陷住的電子或空穴 。 氧化物固定正電荷 Qf 固定正電荷存在于 SiO2中離 SiSiO2界面約 20197?？拷麕е行牡慕缑鎽B(tài)可作為復合中心或產(chǎn)生中心，靠近價帶或?qū)У目勺鳛橄葳?。Na+來源豐富且 SiO2幾乎不防 Na+， Na+在 SiO2的擴散系數(shù)和遷移率都很大。 能與光刻 ， 特別是細線條光刻相容；應(yīng)有良好的腐蝕特性 ， 包括能進行各向異性腐蝕 ， 與襯底有良好的選擇性 。 對材料物理性質(zhì)的要求 （ 1） 低的內(nèi)應(yīng)力 。 介電強度應(yīng)大于 5MV/cm； （ 2） 介電常數(shù)小 。 提高器件的封裝成品率 鈍化層為劃片 、 裝架 、 鍵合等后道工藝處理提供表面的機械保護 。 在做柵介質(zhì)時 ， 希望能對正電荷或負電荷進行有效控制 ， 以便制作耗盡型或增強型器件 。 對 Si、 金屬等均有良好的粘附性 。 SiSiO2系統(tǒng) 一 、 SiO2膜在半導體器件中的主要用途 SiO2膜用作選擇擴散掩膜 利用 SiO2對磷 、 硼 、 砷等雜質(zhì)較強的掩蔽能力 ， 通過在硅上的二氧化硅層窗口區(qū)向硅中擴散雜質(zhì) ， 可形成 PN結(jié) 。 （ b） 磷處理 ， 形成 PSGSiO2以吸除 、 鈍化 SiO2中的 Na+。 （ b） 低溫 、 惰性氣體退火：純 H2 或 N2H2 氣體在400~500℃ 退火處理 ， 可使界面陷阱電荷降低 2~3數(shù)量級 。 （ b） 氧化溫度愈高 ， 氧擴散愈快 ， 氧空位愈少；氧化速率愈大時 ， 氧空位愈多 ， 固定電荷面密度愈大 。 （ b） 制備非常純的 SiO2 ， 以消除雜質(zhì)陷阱中心 。 CD 是單位面積的半導體勢壘電容。 MOS電容經(jīng)過最小值后隨柵壓而增加 ，在 V 0時 ， C = Cox， 如圖中低頻曲線 （ a） 。 芯片的最終鈍化層 。 降低界面態(tài)密度和固定正電荷密度 ， 減少氧化層錯 ，提高少子壽命 。 PSG中的磷易與水汽反應(yīng)生
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