【正文】 123 零點漂移 :當(dāng) 輸入 ui為零時， 輸出 uo隨時間（溫度）而變化 。 uo Ucc RB2 Rc2 T2 (3) 求 Ri 和 R0。 調(diào)小 RB阻值 底部平頂失真，屬飽和失真，應(yīng) 調(diào)大 RB。 91 (1) 電壓放大倍數(shù) Au Au = uo / ui (2) 輸入電阻 Ri 由輸入端看進去的等效電阻 (3) 輸出電阻 Ro 由輸出端看進去的等效電阻 . ui u0 Ucc RB Rc RL + + 欲分析 動態(tài)參數(shù) ，須引入 三個基本概念。 gm = (mA/V或 ?A/V) ?ID ?UGS 84 N N P S G D ? ? ：在原始內(nèi)電場作用下產(chǎn)生原始導(dǎo)電溝道。 IC ? IB IB增加， IC不再增加 輸出特性曲線（硅管） 線性區(qū) 飽和區(qū) 截止區(qū) e b c UB UC RB RC ? A IB IC A UCE V ? ? UBE V ? ? 76 例： 在某電路中有四只三極管，在線測得各引腳電壓值如圖，請判斷三極管的 好壞 。 （一） 符號 （二） 基本特性 正向壓降 ~，紅色 LED壓降較低，綠色和黃色壓降較高，藍色為~3V。 (2) PN 結(jié)的 高頻 等效電路 r c 3. PN 結(jié)的電容效應(yīng) 60 （二） 結(jié)構(gòu) 1. 點接觸式 PN結(jié)電容小，一般用于檢波 (高頻狀態(tài) ) 2. 面接觸式 PN結(jié)面積較大，允許通過較大電流，一般用于整流 (低頻狀態(tài) ) （一） 符號 P N 4 2 半導(dǎo)體二極管 一、 普通二極管 61 正向 反向 硅二極管的伏安特性曲線 ID (mA) UD (V) 死區(qū)電壓 A V U R ID UD D 測正向特性 擊穿電壓 UBR () V U R ID UD D 測反向特性 A （三） VA特性 思考題： 用萬用表電阻檔測量二極管正向電阻時，用 10檔測出的電阻小，用 100檔測出的電阻大，為什么？ 62 （五） 應(yīng)用 例： IOM最大整流電流 URWM反向工作峰值電壓，一般為 UBR的 1/2. IRM－－－ 反向峰值電流 整流 —將交流變?yōu)橹绷? D R uo ui ui t uo t （四） 主要參數(shù) 63 整形 ui t uo t uR t uR的波形是什么樣的？ 5V 我知道！根據(jù) KVL, uR等于 uo被削去的部分。 N型 含有大量 自由電子 P型 含有大量 空穴 。 t p 時： 兩邊積分并移項得： uc= RC 1 ? u idt 條件： RC ? 5 t p uR=ui= iR=RC duC dt t t t ui uC uR U 二 . 積分電路 51 一 . 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 本征半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 : 導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間。 任何一個有源二端線性網(wǎng)絡(luò)都可以用一個電動勢為E的理想電壓源和內(nèi)阻為 R0的電阻相串聯(lián)的電源來等效代替。 1. 求 A點電位 將電壓源轉(zhuǎn)換為電流源 : A UA A 圖中： IS= IS1 IS2 + IS3 IS4 R1 1 R2 1 R3 1 R4 1 + + + 1 R = 1 9 節(jié)點電位法 R1 E1 R3 E3 R2 E2 R4 E4 26 E正負選?。?Ｅ 指向 Ａ 點取“ ＋ ”，反之取“ － ”。 R I E U ? ? Rs 1 7 電壓源與電流源及其等效變換 18 將電壓源特性方程 U = E I Rs 兩邊同除 Rs 得 U / Rs = E / Rs I 令 E / Rs= Is 短路電流 則 Is= U / Rs+ I 電流源外特性方程 即 E / Rs= U / Rs+I E Rs IS 二、 電流源 19 理想電流源的特性： 由方程 Is=U / Rs+I 可得其物理模型： 若 Rs ? ? , I 與外電路無關(guān) U 取決于外電路 則 Is = I 理想電流源 IS RL Rs U I 20 Is=E / Rs。 王選 6 緒論 電視技術(shù) 雷達技術(shù) 通信技術(shù) 計算機、自動控制 航空航天 電子技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域 7 計算機控制系統(tǒng) 放 大 器 ADC DAC 隨 動 系 統(tǒng) 執(zhí)行機構(gòu) 功 率 放 大 多 路 模 擬 開 關(guān) 顯示器 計 算 機 采樣 0 采樣 1 采樣 n 傳 感 器 ? ? ? ? ? ? 模擬電子技術(shù) 上 篇 9 第一章 直流電路 節(jié)點 ： 電路中三個或三個以上支路的公共連接點 回路 ： 有一個或多個支路構(gòu)成的閉合電路 支路 ： 電路中的分支 網(wǎng)孔 ：內(nèi)部不包含任何支路的回路 基本術(shù)語 1 5 基爾霍夫定律 U1 U2 R1 R2 R3 I2 R5 I1 R4 10 電路中任何一個節(jié)點上電流的代數(shù)和恒等于零。1 電 子 技 術(shù) 東南大學(xué)計算機科學(xué)與工程學(xué)院 －－ 模擬與數(shù)字電路 2022 2 第一章 直流電路 本課程課內(nèi)主要內(nèi)容 第二章 電路的過渡過程 第三章 交流電路（自學(xué)） 第四章 半導(dǎo)體二極管與三極管 第五、八章 基本放大器與反饋放大器 （劉淑英編： 《 電路與電子學(xué) 》 ） 第六章 功率放大器 模擬電路部分 (48課時 ) 第七、九章 集成運算放大器及應(yīng)用 第十章 直流穩(wěn)壓電源 3 （王永軍： 《 數(shù)字邏輯與數(shù)字系統(tǒng) 》 ） 數(shù)字電路部分（ 48課時） 第一章 邏輯代數(shù)基礎(chǔ) 第二章 邏輯門電路 第三章 組合邏輯電路 第四章 觸發(fā)器 第五章 時序邏輯電路 第六章 半導(dǎo)體存儲器 第七章 可編程邏輯器件 第八章 脈沖的產(chǎn)生與整形 第九章 數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換 4 本課程學(xué)習(xí)要求 弄懂基本概念，重在掌握分析和研究的方法。 U1 U2 R1 R2 R3 I1 I2 I3 例： 根據(jù) KCL, 得 I1 I2 + I3 = 0 一 . 基爾霍夫電流定律 ( KCL ) 即 I = 0 ? 11 在任一回路中，沿循行方向各段電壓的代數(shù)和恒等于零。 Rs=Rs E=IsRs； Rs=Rs E Rs a b Is Rs a b 僅 外特性 等效， 內(nèi)特性 是不等效的。 UA=ISR = IS 1/R = IS1 IS2 + IS3 IS4 R1 1 R2 1 R3 1 R4 1 + + + A UA IS R 推廣至一般： R ? ? = R E 1 UA = R1 E1 R2 E2 R3 E3 R4 E4 + R1 1 R2 1 R3 1 R4 1 + + + 27 求各支路電流 推廣至一般： E、 UA與本支路電流方向相同取“ +‖,反之取“ ‖. R U A E I = + + 由 KVL得： E 、 UA 符號選?。? E1 R1 R2 R3 R4 E2 E3 E4 I1 I2 I3 I4 A UA R U A E I 4 4 4 = . R U A E I 1 1 1 = ； R U A E I 3 3 3 = ； R U A E I 2 2 2 + = ； 28 例 ：求下圖各支路電流 R2 E2 + R3 E3 + E1 R1 + IS 1 1 1 R4 1 R1 R2 R3 + + + + R5 1 = UA 解： 節(jié)點電壓法： R ? ? = R E 1 UA E指向 A點取“ ＋ ”， 反之取 “ － ”。 a b R0 E 1 11 戴維南定理 35 由左圖可知 : Rab=R1//R2+R3//R4=? 則 Uab = Ua – Ub = 6 – 4 = 2V 2. 將 R5 斷開 . 求由 ab端看進去的等效電阻 Rab . 解： 1. 將 R5斷開 :求 Uab 例： 電路如圖，求 I5 = ？ 由戴維南定理可知 ,原電路可等效為下圖 : I5=E / (R0+R5)= 由右圖可知： Ua = = 6V R1 +R2 U R2 Ub = = 4V R3 +R4 U R4 + 12V R1 R2 R3 R4 R5 5? 5? 10? 10? 5? U I5 a b I5 R1 R2 R3 R4 a b ? ? a R0 E ? 2V b ? ? I5 R5 36 ? I ? ? ? R3 R1 R2 例 : 求 I = ? 解 :選擇 參考點 。最常 見的半導(dǎo)體材料為硅 (Si)和鍺 (Ge) 本征半導(dǎo)體 : 純凈的無雜質(zhì)的具有結(jié)晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料 。 Ｎ 型半導(dǎo)體 和 Ｐ 型半導(dǎo)體 P ? +形成新的共價鍵結(jié)構(gòu)后，多出一個電子。 ui = 10 sin ωt R D U 5V uo ui uR 64 Y= B A D1 D2 +U 發(fā)光亮度與電流的大小成正比，普通 LED工作電流一般在 5~20mA. （三） 應(yīng)用 構(gòu)成 LED七段數(shù)碼顯示器： a b c d e f g ? ? ? ? ? LED共陰顯示器 a b c d e f g ▽ U R 指示燈 72 4 3 半導(dǎo)體三極管 二、 符號 一、 結(jié)構(gòu)示意圖 e b c PNP e b c NPN 集電極 發(fā)射極 基極 b c e NPN N N P 集電極 基極 發(fā)射極 b c e PNP N P P 集電極 基極 發(fā)射極 基區(qū)較薄且載流子濃度較低 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 73 三、 晶體管工作原理（雙極性載流子運動） 三極管正常工作條件： IE IC IB UC RC UB RB 部分電子在基區(qū)復(fù)合，并不斷被 UB拉走，形成 IB. C 區(qū)收集從 e 區(qū)擴散到 b區(qū)未復(fù)合的電子，形成 IC. e b c N N P + + + + + 一般 IC 與 IB 成正比，即 : 發(fā)射結(jié) 加正向電壓 UBE , 集電結(jié) 加反向電壓 UCE。若未損壞，請說明 e、 b、 c,并分別說明是 硅管 還是 鍺管 。 2 .符號 G D S 襯底 二 .N溝道耗盡型 MOS管 85 分四種情況分析： （ 4） UDS為常數(shù)， UGS=0（短路），此時的漏極電流 ID稱為漏極飽和電流 IDSS. (3) 當(dāng) UGS大于 0時，原始導(dǎo)電溝道加寬， ID增加。 動