實驗一-半導體激光器系列實驗-免費閱讀
【正文】 再測量側(cè)橫場發(fā)散角。GaAS激光器的縱模間隔的典型值為。因而TE模需要的閾值增益低，TE模首先產(chǎn)生受激發(fā)射，反過來又抑制了TM模；另一方面形成半導體激光器共振腔的波導層一般都很薄，這一層越薄對偏振方向垂直于波導層的TM模吸收越大。輻射場的角分布沿平行于結(jié)面方向和垂直于結(jié)面方向分別成為側(cè)橫場和正橫場。隨著激勵電流的增大，結(jié)區(qū)大量粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，發(fā)射更多的光子。如果需要用手觸摸半導體激光器外殼或電極時，手必須事先觸摸金屬一下。一塊幾乎全反射，一塊大部分反射、少量透射出去，以使激光可透過這塊鏡子而射出?，F(xiàn)有工作介質(zhì)近千種，可產(chǎn)生的激光波長包括從真空紫外到遠紅外，非常廣泛。最小刻度值1176。5多功能光學升降臺升降范圍40mm6光功率指示儀2μW～200mW 6擋2．配套儀器的使用WGD6光學多道分析器的使用參考WGD6光學多道分析器的使用說明書。（2）激勵源為了使工作介質(zhì)中出現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，必須用一定的方法去激勵原子體系，使處于上能級的粒子數(shù)增加。被反射回到工作介質(zhì)的光，繼續(xù)誘發(fā)新的受激輻射，光被放大。二、實驗目的（1）通過實驗熟悉半導體激光器的光學特性；（2）掌握半導體激光器耦合、準直等光路的調(diào)節(jié)；（3）根據(jù)半導體激光器的光學特性考察其在光電子技術(shù)方面的應用。當電流超過閾值時，會出現(xiàn)從非受激發(fā)射到受激發(fā)射的突變。輻射場的角分布和共振腔的幾何尺寸密切相關(guān)，共振腔橫向尺寸越小，輻射場發(fā)射角越大。這就使得TE模增益大，更容易產(chǎn)生受激發(fā)射。為了實現(xiàn)單模工作，必須改進激光器的結(jié)構(gòu)，抑制主模以外的所有其他模。圖6 發(fā)散角測量3．半導體激光器的偏振度測量測量半導體激光器的偏振度的裝置
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