【摘要】學(xué)院班級(jí)學(xué)號(hào)姓名------------------------------------裝--------------------------------------------------------
2025-03-24 03:59
【摘要】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(導(dǎo)通),反偏時(shí)(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(反向)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏
2024-11-04 01:12
【摘要】電子技術(shù)模擬試題卷庫電子技術(shù)試卷一一、單項(xiàng)選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號(hào)內(nèi)(本大題共13小題,總計(jì)34分)1、(本小題2分)由開關(guān)組成的邏輯電路如圖所示,設(shè)開關(guān)接通為“1”,斷開為“0”,電燈亮為“1”,電燈暗為“0”,則該電路為()。(a)“與”門 (b)“或”門 (c)“非”門2、(本小題2
2025-03-25 06:14
【摘要】專業(yè)班號(hào)姓名學(xué)號(hào)題號(hào)一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號(hào)波形中任一點(diǎn)的幅值沒有得到
2025-03-25 04:55
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)模擬試題(1)一、填空題(每空1分,共20分)1、邏輯函數(shù)的化簡方法有_________和____________。2、()10=()2=()8421BCD。3、表示邏輯函數(shù)功能的常用方法有_________、_________卡諾圖等。4、組合電路由________________構(gòu)成,它的輸出只
2025-07-25 22:21
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【摘要】大學(xué)《模擬電子技術(shù)》模電期末考試模擬試題一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(導(dǎo)通),反偏時(shí)(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(溫度)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(0),等效成一條直線;
2025-06-18 08:48
【摘要】1模擬電子技術(shù)習(xí)題答案電工電子教學(xué)部2第一章緒論一、填空題:1.自然界的各種物理量必須首先經(jīng)過傳感器將非電量轉(zhuǎn)換為電量,即電信號(hào)。2.信號(hào)在頻域中表示的圖形或曲線稱為信號(hào)的頻譜。3.通過傅立葉變換可
2024-11-07 06:22
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(一)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM
2025-06-28 19:57
【摘要】《電工電子技術(shù)基礎(chǔ)》期末考試試卷(閉卷)裝訂線題號(hào)一二三四五六七八總分得分401010101515100評(píng)卷
2025-05-31 12:20
【摘要】系別專業(yè)(班級(jí))姓名學(xué)號(hào)………………………密……………………封…………………………裝…………………訂………………………線………………………數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)期末考試試卷課程名稱數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)
2025-06-22 15:04
【摘要】電力電子技術(shù)試題1、請(qǐng)?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率
2024-11-07 18:17
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(一)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)
2025-06-24 06:56
【摘要】模擬電子技術(shù)試卷1答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)一、判斷題(每題1分,共10分)1.半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一類物質(zhì)。(??對(duì)??)2.三極管共集電極電路的發(fā)射極電阻Re可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)。(??對(duì))3.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其RGS大的特點(diǎn)。(對(duì)?)
2025-06-24 23:32