【摘要】一、單項選擇題(每小題1分,共15分)在下列每小題的四個備選答案中選出一個正確的答案,并將其字母標號填入題干的括號內。1.一位十六進制數(shù)可以用多少位二進制數(shù)來表示?(C)A.1B.2C.4D.162.以下電路中常用于總線應用的是(A)C.漏極開路門
2025-06-22 17:27
【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導體叫()。摻入3價雜質元素形成的半導體叫(),它主要靠導電()。A.空穴B.本征半導體C.P型半導體D.自由電子2.PN結正偏時,多子的()運動較強,PN結變薄,結電阻較()。A.擴散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2025-10-12 19:42
【摘要】《數(shù)字電子技術》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進制數(shù)97,對應的十進制數(shù)為151。2、“至少有一個輸入為0時,輸出為0”描述的是與運算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個最小項。4、基本邏輯運算有:與、或和非運算。5、兩二進制數(shù)相加時,不考慮低位的進位信號是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當于輸入
2025-06-22 14:53
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當IB從12μA增大到22μA時,IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為。【】A.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個合適的答案填入空內。(1)該電路的
2025-06-28 20:13
【摘要】《電工電子技術》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級放大電路的帶負載能力,常選用(5)電路作為輸出級。4、三極管的輸出特性
2024-11-05 05:29
【摘要】第1頁共69頁答案參見我的新浪博客:第一章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結果填入空內。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。()(2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。()
2025-10-16 11:36
【摘要】《汽車電工電子技術》一、單項選擇題:(每空2分,共30分)1、下列設備中,其中(A)通常作為電源。A、發(fā)電機B、電視機C、電爐。2、三極管由(B)個PN結組成。A、1B、2C、33、二極管的特性是(A)A、單向導電性B、通直流阻交流C、放大作用4、晶體三極管工作在放大狀態(tài)的條件是(B
2025-05-31 18:10
【摘要】模擬電子技術試卷二(答案)一、選擇題。(20分)1.晶體三極管工作在飽和區(qū)時發(fā)射結、集電結的偏置是(B)A.發(fā)射結正向偏置,集電結反向偏置B.發(fā)射結正向偏置,集電結正向偏置C.發(fā)射結反向偏置,集電結反向偏置D.發(fā)射結反向偏置,集電結正向偏置2.圖示電路中,設變壓器副邊電壓有效值為U2,則輸出電壓平均值UO
2025-01-07 21:39
【摘要】試卷五(本科)及其參考答案試卷五一、填空和選擇題(每小題2分共16分)1.半導體二極管的重要特性之一是。(A)溫度穩(wěn)定性(B)單向導電性(C)放大作用(D)濾波特性2.在由NPN型BJT組成的單管共發(fā)射極放大電路中,如靜態(tài)工作點過高,容易產生失真。(A)截止
2024-11-06 09:03
【摘要】試卷一專升本試卷及其參考答案試卷一(總分150分)(成人高等學校專升本招生全國統(tǒng)一考試電子技術基礎試卷之一)一、選擇題(本大題10個小題,每小題4分,共40分。在每小題給出的四個選項中,只有一項是符合題目要求的,把所選項前的字母填在題后的括號內。)1.用萬用表的R×100檔測得某二極管的正向電阻阻值為500?,若改
2025-10-17 00:25
【摘要】1《模擬電子技術》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結正偏時(),反偏時(),所以PN結具有()導電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關,而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當其正偏時,結電阻為(),
2025-10-15 11:04
【摘要】模擬電子技術基礎試卷一本試卷共10題一、判斷下列說法是否正確,凡對者打“√”,錯者打“×”(本大題分2小題,每小題5分,共10分),正確的在括號中畫“√”,否則畫“×”。1)一個理想對稱的差分放大電路,只能放大差模輸入信號,不能放大共模輸入信號。()2)共模信號都是直
2025-01-07 21:37
【摘要】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 07:58
【摘要】第一章半導體基礎知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【摘要】1模擬電子技術習題答案電工電子教學部2第一章緒論一、填空題:1.自然界的各種物理量必須首先經過傳感器將非電量轉換為電量,即電信號。2.信號在頻域中表示的圖形或曲線稱為信號的頻譜。3.通過傅立葉變換可
2024-11-07 06:22