無機(jī)材料物理性能第6講-免費(fèi)閱讀
【正文】 西貝克效應(yīng) 定義： 由于半導(dǎo)體材料兩端存在溫度差而在半導(dǎo)體兩 端產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢(shì)在現(xiàn)象 。 壓敏效應(yīng) (Varistor effect) 晶界效應(yīng) 壓敏效應(yīng) (Varistor effect) ? ??CVI ?I為壓敏電阻器流過的電流， V為施加電壓， ?為非線性指數(shù)， C為相當(dāng)于電阻值的量。 ?漏電流是指最后恒定的電流。 多晶多相固體材料的電導(dǎo) 多晶多相固體材料的電導(dǎo) 含玻璃相的陶瓷的電導(dǎo)很大程度上決定于玻璃相 。 ? 實(shí)際中生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)：利用雙堿效應(yīng)和壓堿效應(yīng) ， 可以減少玻璃的電導(dǎo)率 ， 甚至可以使玻璃電導(dǎo)率降低 45個(gè)數(shù)量級(jí) 。 本征電導(dǎo) 本征半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度 Ef Ec ED Ev + + Ef Ev Ec EA n型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體 n型與 p型半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu) 雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度 雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能影響很大 雜質(zhì)半導(dǎo)體可分為 n型 (可提供電子 )和 p型(吸收電子 ， 造成空穴 )。 ? 摻雜濃度和溫度對(duì)遷移率的影響 ,本質(zhì)上是對(duì)載流子散射強(qiáng)弱的影響 。 離子遷移率 間隙離子的勢(shì)壘 離子遷移率 間隙離子的勢(shì)壘變化 離子電導(dǎo)率 離子電導(dǎo)率的一般表達(dá)方式 如果本征電導(dǎo)主要由肖特基缺陷引起，其本征電導(dǎo)率為： 離子電導(dǎo)率 只有一種載流電導(dǎo)率可表示為 ： 寫成對(duì)數(shù)形式 : 活化能 : 離子電導(dǎo)率 離子擴(kuò)散機(jī)構(gòu) 影響離子電導(dǎo)率的因素 離子電導(dǎo)率 呈指數(shù)關(guān)系，隨溫度 升高，電導(dǎo)率迅速增 大。用此可檢驗(yàn)材料中是否存在離子電導(dǎo) 。 霍爾效應(yīng) 現(xiàn)象 ：沿 x軸通入電流 ， z方向上加磁場(chǎng) ， y方向上將產(chǎn)生電場(chǎng) 。 載流子濃度 晶體的熱缺陷主要有兩類： 弗侖克爾缺陷 肖特基缺陷 離子電導(dǎo) ?雜質(zhì)電導(dǎo)：由固定較弱的離子 （ 雜質(zhì) ） 離子 的運(yùn)動(dòng)造成 。 電子遷移率 ? 平均自由運(yùn)動(dòng)的時(shí)間的長短 τ是由載流子的散射強(qiáng)弱決定 。 載流子濃度 根據(jù)能帶理論，只有導(dǎo)帶中的電子或價(jià)帶之間的空穴才能參與導(dǎo)電。 ? 玻璃與晶體不同 ， 玻璃中堿金屬離子的能阱不是單一的數(shù)值 ， 有高有低 ， 這些位壘的體積平均值就是載流子的活化能 。 壓堿效應(yīng) 定義： 含堿玻璃中加入二價(jià)金屬氧化物 ， 可使玻璃電導(dǎo)率降低 。 無機(jī)材料的電導(dǎo) ， 在很大程度上取決于電子電導(dǎo) 。 有如下幾種情況： 陽離子 陽離子電導(dǎo) 陰離子 陽離子電導(dǎo) 電子 陽離子電導(dǎo) 電子 陰離子電導(dǎo) 無機(jī)材料電導(dǎo)的混合法則 陶瓷材料則由晶粒、晶界、氣孔等所組成的復(fù)雜的顯微結(jié)構(gòu) ,總電導(dǎo)率為： － 晶粒電導(dǎo)率 － 晶界的電導(dǎo)率 V —— 為體積分?jǐn)?shù) 無機(jī)材料電導(dǎo)的混合法則 n= 1相當(dāng)于串聯(lián)狀態(tài) 。 晶界效應(yīng) 表面效應(yīng) 半導(dǎo)體表面空間電荷層的形成 ?半導(dǎo)體表面存在著各種表面能級(jí) ， 這些表面能級(jí)將作為施主或受主和半導(dǎo)體內(nèi)部
研究報(bào)告相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1