ltps制程與技術(shù)發(fā)展講義-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 鉬(Mo)、鉭(Ta)、鉻(Cr)和鋁(Al)等金屬導(dǎo)電膜為主 製程以濺鍍法為主流,資料來(lái)源：工研院電子所,資料來(lái)源：工研院電子所,標(biāo)準(zhǔn)化製作過(guò)程(12),氫化工程： 為提升PolySi TFT之 IV特性關(guān)係 將TFT通道區(qū)域的PolySi層之未飽和鍵與氫鍵結(jié)合後呈飽和狀態(tài)，促使電場(chǎng)效應(yīng)移動(dòng)度的提升 一般使用 氫退火爐裝置 電漿氫裝置：所得之活性化氫原子最有效,標(biāo)準(zhǔn)化製作過(guò)程(13),透明電極形成工程： 把開關(guān)(Switching)元件所傳送之電壓信號(hào),傳送於LC畫像素電極和CF端的共通電極上 共通電極材料，是利用濺鍍法將ITO透明導(dǎo)電薄膜形成於上，並經(jīng)由微影、蝕刻工程製作成所需圖案,LTPS TFT LCD的後段製程,液晶胞製程(1),洗淨(jìng)工程： 洗淨(jìng)技術(shù)有使用藥液、機(jī)能水和紫外線臭氣、毛刷、超音波、超高音波(Mega Sonic)和高壓噴洗等，其中以純水洗淨(jìng)為主 為了去除過(guò)剩的水並達(dá)到乾燥，有旋轉(zhuǎn)乾燥法和空氣刀乾燥法,液晶胞製程(2),配向模形成工程： 配向模是有機(jī)薄膜的材料，施以面磨處理，使其上之液晶分子產(chǎn)生配向排列作用 一般配向膜厚度在500~1,000197。,液晶胞製程(5),間隔物(Spacer)散佈工程： 使上下兩片基板保持於57μm的液晶胞間隙，以便後續(xù)液晶胞注入工程進(jìn)行。 再結(jié)晶(Recrystallization)：多結(jié)晶物體中，結(jié)晶粒隨著時(shí)間而與其他結(jié)晶粒相互融合，進(jìn)而減少了整個(gè)的結(jié)晶粒數(shù)量，並促使其結(jié)晶粒的顆粒變大的，此種現(xiàn)象稱為再結(jié)晶,專有名詞(3),離子植入(Ion Implantation)：施加10keV以上的高電子伏特能量的離子，並使其入射於固體晶格中，使與晶格中的中性原子(原子核及電子)產(chǎn)生衝突而損失能量，進(jìn)而順利植入固體晶格中的一種物理現(xiàn)象。01:24:2101:24:2101:2410/21/2024 1:24:21 AM 安全象只弓，不拉它就松，要想保安全，常把弓弦繃。2024年10月21日上午1時(shí)24分24.10.2124.10.21 追求至善憑技術(shù)開拓市場(chǎng)，憑管理增創(chuàng)效益，憑服務(wù)樹立形象。上午1時(shí)24分21秒上午1時(shí)24分01:24:2124.10.21 專注今天，好好努力，剩下的交給時(shí)間。24.10.2124.10.21Monday, October 21, 2024 人生得意須盡歡，莫使金樽空對(duì)月。24.10.2124.10.2101:24:2101:24:21October 21, 2024 加強(qiáng)自身建設(shè)，增強(qiáng)個(gè)人的休養(yǎng)。2024年10月21日星期一1時(shí)24分21秒01:24:2121 October 2024 科學(xué)，你是國(guó)力的靈魂；同時(shí)又是社會(huì)發(fā)展的標(biāo)志。24.10.212024年10月21日星期一1時(shí)24分21秒24.10.21,謝謝大家！,
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