廣東省廣州市20xx屆高三下學(xué)期3月綜合測試（一）理科綜合試題-預(yù)覽頁
【正文】 A． ① 的試管中盛裝二氧化錳， 用于常溫下制備氯氣 B． ② 、 ③ 、 ⑥ 、 ⑦ 的試管中依次盛裝濃 H2SO飽和食鹽水、 濃 H2SO NaOH 溶液 C． 滴加濃鹽酸的同時(shí)點(diǎn)燃 ④ 的酒精燈 D． ⑤ 用于收集 AlCl3， ⑥ 、 ⑦ 可以用一個(gè)裝有堿石灰的干燥管代替 10．短周期主族元素 W、 X、 Y、 Z 的原子序數(shù)依次增大，它們的最外層電子數(shù)之和為 20， W 原子核外電子總數(shù)與 X 原子次外層的電子數(shù)相同， 由 W、 X、 Y 三種元素形成的一種鹽溶于水后，加入鹽酸，產(chǎn)生的無色氣體能使品紅褪色。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，第 14～ 18題 只有一項(xiàng)符合題目要求，第 19～ 21題有多項(xiàng)符合題目要求。釋放兩顆炸彈的時(shí)間間隔為 t1，擊中 M、 N 的時(shí)間間隔為 t2，不計(jì)空氣阻力， 則 A． t2=0 B． t2 t1 C． t2= t1 D． t2 t1 16．如圖，粗糙水平地面上放有一斜劈，小物塊以一定初速度從斜劈底端沿斜面向上滑行， 回到斜劈底端時(shí)的速度小于它上滑的初速度。 不計(jì)粒子的重力 。第 33～ 38題為選考題，考生根據(jù)要求 作 答。完成下列相關(guān)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容： F 甲 乙（ 1）如圖乙用螺旋測微器測得小球直徑 d= mm；如圖丙某次讀得光電門測量位置到管口的高度 h= cm。 23． (10分 ) 圖（ a）為某同學(xué)測量一節(jié)干電池的電動勢和內(nèi)電阻的電路圖。 ③ 以 U為縱坐標(biāo)， I為橫坐標(biāo)，作 U I圖線，如圖 (c)所示； ④ 根據(jù)圖線求得電源的電動勢 E = ____________V，內(nèi)阻 r 。 求 ： （ 1） 從 t=0開始，金屬桿 運(yùn)動距離為 5m時(shí)電阻 R兩端的電壓； （ 2） 在 0~ ，外力 F大小隨時(shí)間 t變化的關(guān)系式。 26.（ 15 分） 醋酸亞鉻是一種氧氣吸收劑， 通常以二水鹽 [Cr(CH3COO)2]2 （ 3）洗滌產(chǎn)品后干燥、稱量，得到 固體。制備 NH4ClO4的工藝流程如下： （ 1） 電解 NaClO3溶液時(shí)， ClO3在 極發(fā)生反應(yīng)， 其電極反應(yīng)式為 。 4H2O ， NaClO3轉(zhuǎn)化為 Cl， 離子方程式為 ， 如果 FeCl2（答一條即可） （ 3） “ 反應(yīng) ” 時(shí)用 NaClO4 和 NH4Cl 在 90℃ 制備 NH4ClO4。 （ 1） H3BO3 為一元弱酸，可由硼砂（ Na2B4O7﹒ 10H2O） 與鹽酸加熱反應(yīng)制得。 （ 2）在恒容密閉容器中發(fā)生儲氫反應(yīng)： BPO4(s)+4Na(s)+ 2H2(g) Na3PO4(s) + NaBH4(s) △ H0 圖 (a)為 NaBH4產(chǎn)率與反應(yīng)溫度的關(guān)系曲線： ① 反應(yīng)達(dá)到平衡時(shí)， 下列有關(guān)敘述正確的是 ______。 lgt1/2隨 pH 和 溫度的變化如圖 (b)所示。 2（ 8 分）為了研究大豆種子在黑暗條件下萌發(fā)和生長過程中總糖和蛋白質(zhì)的相互關(guān)系，研究人員進(jìn)行了相關(guān)的實(shí)驗(yàn)，請回答： （ 1）研究人員首先進(jìn)行了大豆種子在黑暗條件下萌發(fā)和生長過程中蛋 白質(zhì)含量變化的預(yù)實(shí)驗(yàn)，請完善實(shí)驗(yàn)原理，實(shí)驗(yàn)步驟。 A組種植黃瓜， B組種植大蔥，適宜時(shí)間后，對兩組進(jìn)行收獲，拉秧（去除植株），用余下的土壤繼續(xù)都種植黃瓜，繼續(xù)培養(yǎng)適宜時(shí)間，測算兩組黃瓜的葉綠素含量，凈光合速率和單株產(chǎn)量的平均值，實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下表所示，請回答： （ 1）葉綠素分布于葉綠體基粒的＿＿＿薄膜上，光反應(yīng)階段產(chǎn)生的 ATP和 NADPH將直接參與暗反應(yīng)階段中的 過程。請考生從 2道 物理 題 、 2道 化學(xué) 題 、 2 道 生物 題中每科任選一題 作答 。 當(dāng) 溫度 為 T=280K時(shí)， 水銀柱剛好處在瓶口位置 ，此時(shí) 該裝置密封氣體的體積 V=480cm3。 （ 2）（ 10分 ）如圖，半圓柱形玻璃磚截面的直徑 AOB長為 d=20cm，玻璃的折射率為 n= 2，該截面內(nèi)有一束平行光線以 45176。 （ 1） Si3N4 和 C3N4 中硬度較高的是 ， 理由是 。 化合物 [Co(im)6]SiF6 的結(jié)構(gòu)示意圖如下： ① Co 原子的價(jià)層電子軌道表達(dá)式（ 價(jià)層電子排布圖） 為 。 例如水中氫鍵的表示式為： (4) SiC 為立方晶系晶體，晶胞參數(shù)為 a，已知 Si 原子半徑為 rsi， C 原子半徑為 rc，該 晶胞中原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為 則 SiC 立方晶胞中含有 個(gè) Si 原子、 個(gè) C 原子；該晶胞中原子的體積 占晶胞體積的百分率為 （列出計(jì)算式即可）。 （ 2）由 A 生成 B 和由 F 生成 G 的反應(yīng)類型分別是 _____________、 _____________。寫 出一種符合要求的 X 的結(jié)構(gòu)簡式 。制備用于分離純化（步驟三）的培養(yǎng)基時(shí)，圖二所示的配方中還應(yīng)添加適量＿＿＿ （ 3）臨時(shí)保藏菌種時(shí)，可將菌種接種到＿＿＿上，在合適的溫度下培養(yǎng)，待菌落長成后，將試管放入溫度為＿＿＿的冰箱中保藏。 （ 4）在植物組織培養(yǎng)過程中需要無菌操作，因此對外植體（離體的組織塊）要進(jìn)行 處理。 ○14 計(jì)算 得： ??s ， 23 s/m4?a ， ?t ， ??s ， ??s 最終 AB整體 與木板左端的水平距離為： ????????? sssds ○15 另解， AB碰后一直到 A、 B、 C均停止運(yùn)動過程，有： C對地位移 22 322120C ???? avtvvs AB整體對地位移 .03m122 122121AB ???? avtvvs 最終 AB整體 與木板左端的水平距離為： ????? ssds 但此種解法，中間必須判斷說明 AB整體不會向右滑過 C木板左邊粗糙區(qū)域的右端。 L＝ J ③ 由熱力學(xué)第一定律知內(nèi)能變化為 Δ U＝ W＋ Q ④ 得 Δ U＝ J，即內(nèi)能增加 J. ⑤ 3（ 1）小于；負(fù)值 生物答案
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