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正文內(nèi)容

3關(guān)于《模擬電子技術(shù)》培訓(xùn)的心得體會(huì)-預(yù)覽頁

2025-08-14 23:55 上一頁面

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【正文】 退耦降低大信號(hào)時(shí)電源波動(dòng)對(duì)輸入級(jí) /高電壓增益級(jí)的影響; 3)形成懸浮地或是懸浮電源,在復(fù)雜的系統(tǒng)中完成各部分地線或是電源的協(xié)調(diào)匹有源器件在開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻開關(guān)噪聲將沿著電源線傳播。但實(shí)際上超過 1μf 的電容大多 第 3 頁 共 6 頁 為電解電容,有很大的電感成份,所以頻率高后反而阻抗會(huì)增大。具體用在濾波中,大電容( 1000μf )濾低頻,小電容( 20pf)濾高頻。電壓額定值為 40~450vdc、電容值在 220~ 150000μf 之間的鋁電解電容器(如b43504 或 b43505 是較為常用的。 耦合指信號(hào)由第一級(jí)向第二級(jí)傳遞的過程,一般不加注明時(shí)往往是 指交流耦合。 3)時(shí)間常數(shù):這就是常見的 r、 c串聯(lián)構(gòu)成的積分電路。 二、電容的分類 鋁電解電容。 鉭電容。電容容量范圍為 ~ 100μf ,獨(dú)特的材料和薄膜技術(shù)的結(jié)晶,迎合了當(dāng)今 “ 更輕、更薄、更節(jié)能 “ 的設(shè)計(jì)理念。 去耦電容在集成電 路電源和地之間有兩個(gè)作用。 1μf 、10μf 的電容,并行共振頻率在 20mhz以上,去除高頻噪聲的效果要好一些。去耦電容的選用并不嚴(yán)格,可按c=1/f,即 10mhz取 , 100mhz 取 。 第 6 頁 共 6 頁 姓名:部門:日期:
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