計(jì)算機(jī)內(nèi)存條知識(shí)-預(yù)覽頁
【正文】 SRAM SRAM（ Static RAM）靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，主要應(yīng)用在計(jì)算機(jī)中的高速小容量存儲(chǔ)器，如Cache則是由此構(gòu)成 . 特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)復(fù)雜，造價(jià)高，速度快、生產(chǎn)成本高。 可分為以下三種： ⑴ .EPROM ：可擦可編程只讀存儲(chǔ)器，芯片上有一個(gè)透明窗口。下面就以主流的DDR內(nèi)存來介紹內(nèi)存的物理結(jié)構(gòu)。因?yàn)?PCB板制造嚴(yán)密，所以從肉眼上較難分辯 PCB板是 4層或 6層，只能借助一些印在 PCB板上的符號(hào)或標(biāo)識(shí)來斷定。 第四章 內(nèi)部存儲(chǔ)器 內(nèi)存顆粒空位 在內(nèi)存條上你可能?？吹竭@樣的空位，這是因?yàn)椴捎玫姆庋b模式預(yù)留了一片內(nèi)存芯片為其它采用這種封裝模式的內(nèi)存條使用。 內(nèi)存固定卡缺口 內(nèi)存插到主板上后，主板上的內(nèi)存插槽會(huì)有兩個(gè)夾子牢固的扣住內(nèi)存，這個(gè)缺口便是用于固定內(nèi)存用的。 第四章 內(nèi)部存儲(chǔ)器 常見內(nèi)存條類型 EDO內(nèi)存 EDO（ Extended Data Out RAM,，擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存），可分為 30pin和 72pin（ pin為線），用 5V電壓，數(shù)據(jù)寬度為32Bit，奔騰以上數(shù)據(jù)寬度都是 64Bit甚至更高，所以 EDO RAM在 586主板上必須成對(duì)使用。 現(xiàn)在主場上以出現(xiàn)了 DDRII， DDRII的工作電壓由 DDR的 , 184Pin升級(jí)為232Pin ,內(nèi)存總線為 64位，現(xiàn)在的初期產(chǎn)品運(yùn)行頻率在 DDR400～ DDR533之間，能達(dá)到 第四章 內(nèi)部存儲(chǔ)器 DDR RAM內(nèi)存 第四章 內(nèi)部存儲(chǔ)器 三星金條 DDRII 第四章 內(nèi)部存儲(chǔ)器 RDRAM RDRAM（ Rambus DRAM,存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），由 Rambus公司和 Intel公司推出的一種內(nèi)存規(guī)格， 184pin，使用 ，根據(jù)速度分 600MHz、700MHZ和 800MHZ三種，可在單個(gè)時(shí)鐘內(nèi)的上升沿和下降沿各傳輸數(shù)據(jù) 。 內(nèi)存容量： 內(nèi)存所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的最大容量。 數(shù)據(jù)寬度 內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是指內(nèi)存同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)的位數(shù)，以位（ bit）為單位。兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)操作之間所需的最短時(shí)間稱為存儲(chǔ)周期 TMC，單位為 ns(納秒 )，這個(gè)時(shí)間越短，存取速度就越快，也就標(biāo)志著內(nèi)存的性能越好。 容量分別為： L1 Cache： 16KB64KB，甚至達(dá)到512KB； L2 Cache： 128KB512KB，甚至達(dá)到 8M； 主板上 Cache： 512KB1MB； 硬盤上： 128KB4MB； CDROM： 64KB256KB，甚至達(dá)到 512KB。 第四章 內(nèi)部存儲(chǔ)器 常規(guī)內(nèi)存 640K 上們內(nèi)存 384K 高端內(nèi)存 64K 1M以上擴(kuò)展內(nèi)存 擴(kuò)充內(nèi)存 0KB 640KB 1024KB 1088KB 第四章 內(nèi)部存儲(chǔ)器 內(nèi)存的選購 在電腦 DIY的時(shí)代，內(nèi)存已成為影響電腦系統(tǒng)性能的一個(gè)主要原因。內(nèi)存容量可謂多多益善，但價(jià)格也更高。 第四章 內(nèi)部存儲(chǔ)器 說明 ⑸ ：代表數(shù)據(jù)位帶寬（ bit） ,4為 4位； 8為 8位；16為 16位； 32為 3
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