微機(jī)原理及接口技術(shù)課件chap5--預(yù)覽頁(yè)
【正文】 址信號(hào)作為譯碼信號(hào)，使得存儲(chǔ)器芯片的每一個(gè)單元都占據(jù)一個(gè)唯一的內(nèi)存地址。 2022/8/18 25 部分地址譯碼例 ? 同一物理存儲(chǔ)器占用兩組地址： F0000H~F1FFFH B0000H~B1FFFH A18不參與譯碼 A19 A17 A16 A15 A14 A13 amp。 A19 A14 A13 A17 A16 A15 +5V Y0 下圖中 A18不參與譯碼，故6264的地址范圍為： ?38000H~39FFFH ?78000H~79FFFH 6264 2022/8/18 29 二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM ? 特點(diǎn)： – DRAM是靠 MOS電路中的柵極電容來存儲(chǔ)信息的，由于電容上的電荷會(huì)逐漸泄漏，需要定時(shí)充電以維持存儲(chǔ)內(nèi)容不丟失（稱為 動(dòng)態(tài)刷新 ），所以動(dòng)態(tài) RAM需要設(shè)置 刷新 電路，相應(yīng)外圍電路就較為復(fù)雜。SDRAM的工作頻率目前最大可達(dá) 150MHz，存取時(shí)間約為 5～10ns，最大數(shù)據(jù)率為 150MB/s，是當(dāng)前微機(jī)中流行的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存類型。主要應(yīng)用在主板和高速顯示卡上。當(dāng)斷電后，存儲(chǔ)器中的內(nèi)容立即消失。 ? ?DIN： 數(shù)據(jù)輸入 ?DOUT： 數(shù)據(jù)輸出 WE=0 數(shù)據(jù)寫入 WE=1 數(shù)據(jù)讀出 WE： 寫允許信號(hào) 2022/8/18 33 工作原理 ? 三種操作 ： – 數(shù)據(jù)讀出 – 數(shù)據(jù)寫入 – 刷新 WE=1RASCASD OUT行地址 列地址有效數(shù)據(jù)RASCASWED IN行地址 列地址有效寫入數(shù)據(jù)2022/8/18 34 刷 新 ? 將存放于每位中的信息讀出再照原樣寫入原單元的過程 ——刷新 ? 刷新的時(shí)序圖 RASCAS=1行地址2022/8/18 35 2164A在系統(tǒng)中的連接 A 0A 7ADDSEL~RAS 0CAS 0MEMW WECAS 0RAS 0A 8A 15~A 0A 7~ABS2164LS158LS245D 0D 7~ADRMEMRBERAMADSELD 0 D 7～ 8片2022/8/18 36 小 結(jié) 概 述 微型機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的基本概念 存儲(chǔ)器的分類及其特點(diǎn) 兩類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM 常用存儲(chǔ)器芯片及其與系統(tǒng)的連接 2022/8/18 37 作 業(yè) p229
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