【摘要】1)所能加工的最小線寬;2)晶片直徑;3)DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)所儲存的容量。復(fù)習(xí)1,評斷集成電路的發(fā)展?fàn)顩r的幾個指標(biāo):11,小尺寸器件會帶來哪些問題,如何解決?復(fù)習(xí)?器件尺寸縮小,導(dǎo)致短溝道效應(yīng)?!怠刀嗑Ч钖艠O由單摻雜發(fā)展為雙摻雜。?帶來pMOS中B的滲透問題?!怠礢iNxOy能有效克服。較大介
2025-01-01 14:28
【摘要】?BasicMOSDevicePhysicsThisflexibilityofPFETsisexploitedinsomeanalogcircuits.ThecircuitsymbolsusedtorepresentNMOSandPMOStransistorsareshownin.?注意:flex
2024-12-28 22:59
【摘要】北京大學(xué)大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)3.1半導(dǎo)體集成電路概述集成電路(IntegratedCircuit,IC)芯片(Chip,Die)硅片(Wafer)集成電路的成品率:Y=硅片上好的芯片數(shù)硅片上總的芯片數(shù)100%成品率的檢測,決定工藝的穩(wěn)定性,成品率對集成電路廠家很重要集成電路發(fā)展的原動力:不斷提高的性能
2025-01-06 13:30
【摘要】短溝道效應(yīng)當(dāng)MOSFET的溝道長度L↓時,分立器件:集成電路:??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短,將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現(xiàn)象在短溝道MOSFET中變得嚴(yán)重起來,這一系
2025-04-29 00:54
【摘要】第一篇:微電子專業(yè)畢業(yè)去向介紹 10級微電子班畢業(yè)去向問題 說明:以下是07級微電子班謝群芳同學(xué)所寫的關(guān)于微電子專業(yè)大學(xué)畢業(yè)去向大體介紹。謝群芳聯(lián)系方式,QQ:525631563,電話:***。 ...
2025-10-31 18:50
【摘要】當(dāng)在p-n結(jié)外加一電壓,將會打亂電子和空穴的擴(kuò)散及漂移電流間的均衡.如中間圖所示,在正向偏壓時,外加的偏壓降低跨過耗盡區(qū)的靜電電勢.與擴(kuò)散電流相比,漂移電流降低了.由p端到n端的空穴擴(kuò)散電流和n端到p端的電子擴(kuò)散電流增加了.因此,少數(shù)載流子注入的現(xiàn)象發(fā)生,亦即電子注入p端,
2025-04-29 01:58
【摘要】微電子學(xué)概論課程的總體概述?課程在教學(xué)體系中的地位?課程的主要內(nèi)容?參考書及資料?學(xué)習(xí)方法第一章緒論?導(dǎo)論?晶體管的發(fā)明?集成電路發(fā)展歷史?集成電路的分類?微電子學(xué)的特點信息時代的核心技術(shù)?導(dǎo)論?
2025-07-20 05:04
【摘要】此資料由網(wǎng)絡(luò)收集而來,如有侵權(quán)請告知上傳者立即刪除。資料共分享,我們負(fù)責(zé)傳遞知識。 微電子自我介紹 微電子自我介紹 ????我叫***是一名應(yīng)屆畢業(yè)生,就讀**職業(yè)技術(shù)學(xué)院,電子信息工程系,微...
2025-01-17 02:09
【摘要】課程總結(jié)西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院戴顯英微電子工藝基礎(chǔ)?緒論(了解)?一、微電子技術(shù)發(fā)展歷史二、微電子技術(shù)發(fā)展的規(guī)律與趨勢Moore定律?1965年Intel公司的創(chuàng)始人之一GordonE.Moore預(yù)言集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)律?集
2025-01-18 18:23
【摘要】第十章微電子工藝實驗實驗內(nèi)容1.熱氧化生長二氧化硅:主要內(nèi)容包括熱氧化工藝,二氧化硅膜的腐蝕,二氧化硅膜厚度測量等。2.熱擴(kuò)散對硅片進(jìn)行摻雜:主要內(nèi)容包括熱擴(kuò)散工藝,二氧化硅膜的腐蝕,方塊電阻的測量等。3.在硅片上蒸發(fā)鋁圖形:主要內(nèi)容包括光刻工藝,蒸發(fā)工藝,剝離法(lift-off)圖形化工藝等。
2025-04-29 01:06
【摘要】 高校微信公眾號建設(shè)主要成效及經(jīng)驗 高校微信公眾號建設(shè)主要成效及經(jīng)驗? ? 一、項目主題和思路 隨著新媒體時代的迅速到來,面對95后的大學(xué)生群體,傳統(tǒng)思政政治教育方式的優(yōu)勢不再明顯。2020...
2025-01-17 03:03
【摘要】北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院2009年微電子學(xué)與固體電子學(xué)招生目錄招生年份:2009年本院系招收人數(shù):399(招生總數(shù)中含校本部234人,其中擬接收推薦免試生199人;深圳研究生院165人,招生專業(yè)和擬本專業(yè)招收人數(shù):127專業(yè)代碼:080903研究方向考試科目備注01ULSI新器件及集成技術(shù)02系統(tǒng)集成芯片(SOC)設(shè)計及設(shè)計方法學(xué)03微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)
2025-03-25 23:56
【摘要】微電子器件可靠性習(xí)題第一、二章數(shù)學(xué)基礎(chǔ)1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關(guān)系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時間之間關(guān)系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-25 01:56
【摘要】第一章:1.第一只晶體管發(fā)明是在哪個國家?哪個實驗室?發(fā)明人是誰?美國Bell實驗室肖克萊巴丁布拉頓2.第一片IC發(fā)明是在哪個國家?哪個公司?發(fā)明人是誰?美國TI公司Kibly3.按規(guī)模分類IC有幾種?簡要說明每種類型的集成度?六種SSI:102,MSI:102~103,LSI:103~104,VLSI:104~107,ULSI:107
2025-06-20 05:38
【摘要】微電子工藝光刻技術(shù)課程論文題目微電子工藝——光刻工藝學(xué)生姓名 學(xué)號
2025-05-31 18:02