【正文】 ，形成了從高端到低端多款微控制器芯片，可滿足頻率300M以下的SoC應(yīng)用需求，形成了完整的軟件工具鏈，破解了國產(chǎn)嵌入式CPUIP核產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的難題?！　K600是一款具備較高性能的嵌入式CPU，采用雙發(fā)射超標(biāo)量架構(gòu)，主要面向中高端嵌入式應(yīng)用，具有高性能、低功耗和高代碼密度等特征。　　CK500與CK600系列嵌入式CPU形成了完整的開發(fā)工具鏈和軟硬件環(huán)境，以支持基于各系列嵌入式CPU核的SoC產(chǎn)品開發(fā)?！　「鶕?jù)國家新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)和信息化對高水平嵌入式CPU的應(yīng)用需求，同時(shí)體現(xiàn)自主創(chuàng)新、重點(diǎn)突破的戰(zhàn)略思路，國家科技重大專項(xiàng)不失時(shí)機(jī)地部署了面向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用國產(chǎn)自主創(chuàng)新指令體系CPU的研發(fā)?！　K800系列嵌入式CPU采用CKCore自主指令系統(tǒng)，具有高性能、高代碼密度、低功耗和可擴(kuò)展等特點(diǎn)。CK810可應(yīng)用于新一代移動(dòng)通信設(shè)備、下一代高清數(shù)字電視機(jī)頂盒、汽車電子等高性能嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域。取指階段設(shè)計(jì)專用指令預(yù)取緩存器，消除32位指令非對齊順序預(yù)取產(chǎn)生的流水線氣泡?！　K802具備極低成本、極低功耗和高代碼密度等優(yōu)點(diǎn)。指令取指階段主要負(fù)責(zé)從內(nèi)存中獲取指令，并對16/32位變長指令進(jìn)行譯碼、復(fù)雜指令拆解和調(diào)度指令發(fā)射到下一級流水線；指令執(zhí)行階段主要負(fù)責(zé)指令的執(zhí)行和結(jié)果的回寫。CK802同時(shí)設(shè)計(jì)有針對信息安全應(yīng)用的可配置模塊。特別是進(jìn)入新世紀(jì)后的十年中，在黨和政府的高度重視和強(qiáng)有力的政策支持下，大唐電信和展訊通信等通信專用集成電路企業(yè)不斷取得技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)的突破，成功研制了我國自主的移動(dòng)通信終端SoC芯片，并持續(xù)不斷地向前發(fā)展?！　OMIPTM是國內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)多處理器架構(gòu)的SoC芯片，內(nèi)含高性能32位嵌入式中央處理器（CPU)，數(shù)字信號(hào)處理器（DSP），具備可編程總線和UART、GPIO、SSI、JTAG等豐富的接口，支持SRAM、SDRAM和Flash等多種大容量外部存儲(chǔ)器，集成了語音Codec、輔助AD/DA和帶I/Q通道的高速AD/DA，能夠提供每秒5億條指令（500MIPS）的運(yùn)算能力，支持SCDMA和GSM通信協(xié)議，具備卓越的低功耗特性，是一款可以用于多種復(fù)雜通信終端的核心處理芯片。COMIPTM先后榮獲北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)，“中國鋁業(yè)杯”首屆中央企業(yè)青年創(chuàng)新獎(jiǎng)等?！　?008年展訊通信承擔(dān)了科技部“科技支撐項(xiàng)目計(jì)劃”—TDSCDMAHSUPA終端基帶芯片和參考設(shè)計(jì)方案研究開發(fā)項(xiàng)目。在設(shè)計(jì)過程中充分利用原有基帶芯片的技術(shù)積累，有效縮短了芯片流片返回后的測試和集成時(shí)間。40nm工藝作為一種國際先進(jìn)的集成電路生產(chǎn)工藝，展訊通信在缺乏相關(guān)設(shè)計(jì)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的情況下，努力攻關(guān)，成功實(shí)現(xiàn)了一次性流片成功，為日后40nm甚至更高的超深亞微米工藝芯片設(shè)計(jì)生產(chǎn)積累了寶貴的經(jīng)驗(yàn)。在第三代移動(dòng)通信市場，面對WCDMA、CDMA2000兩大通信制式的競爭，采用SC8800G開發(fā)的TDSCDMA手機(jī)具有明顯的競爭優(yōu)勢，接近到GSM/EDGE手機(jī)的成本水平，使得采用TDSCDMA標(biāo)準(zhǔn)的終端產(chǎn)品在與WCDMA和CDMA2000的競爭中獲得了優(yōu)勢，有力地促進(jìn)了我國TDSCDMA產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?！　〔捎肧C8800G的TD終端在成本、功耗、性能等方面具有突出的優(yōu)勢，為靈活多樣的TD特色業(yè)務(wù)的承載提供了更堅(jiān)實(shí)的平臺(tái)，為TD產(chǎn)業(yè)形成競爭優(yōu)勢提供了有力的技術(shù)支撐。在該專項(xiàng)“高清晰度電視SOC平臺(tái)”課題的支持下，杭州國芯科技有限公司于2004年同時(shí)推出國產(chǎn)首款衛(wèi)星數(shù)字電視解調(diào)芯片、國產(chǎn)首款有線數(shù)字電視解調(diào)芯片和國產(chǎn)首款數(shù)字視頻后處理芯片。2007年杭州地面電視廣播系統(tǒng)正式運(yùn)營，該系統(tǒng)是國內(nèi)第一個(gè)采用地面國標(biāo)和AVS信源標(biāo)準(zhǔn)開始運(yùn)營的地面運(yùn)營網(wǎng)絡(luò)，支持車載、便攜、機(jī)頂盒等多種類型終端的移動(dòng)接收和固定接收。2011年12月，國際電信聯(lián)盟通過中國DTMB標(biāo)準(zhǔn)為國際電聯(lián)的第四個(gè)地面數(shù)字電視標(biāo)準(zhǔn)?！　∮珊贾輫究萍脊煞萦邢薰鹃_發(fā)的內(nèi)嵌C*Core/CKCore系列國產(chǎn)CPU的數(shù)字電視SoC芯片出貨量已超過5000萬片，帶動(dòng)國內(nèi)機(jī)頂盒廠商實(shí)現(xiàn)新增產(chǎn)值超過100億元（以每臺(tái)機(jī)頂盒200元計(jì)算），創(chuàng)造了我國高性能32位嵌入式CPU技術(shù)產(chǎn)業(yè)化推廣應(yīng)用的最佳業(yè)績。AVS已經(jīng)在浙江、湖南、河南、遼寧、河北、江蘇等地及斯里蘭卡、老撾、古巴等多國實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模應(yīng)用，全球范圍內(nèi)采用AVS標(biāo)準(zhǔn)播出的數(shù)字電視頻道數(shù)已經(jīng)超過600套?！　〉?，DRAM產(chǎn)業(yè)對制造技術(shù)要求高，設(shè)計(jì)復(fù)雜，生產(chǎn)線投資巨大，知識(shí)產(chǎn)權(quán)壁壘高，我國企業(yè)在過去20多年中雖然不斷努力，但終因各種條件的限制，未能有所突破。到2011年底，山東華芯的DDR2產(chǎn)品已經(jīng)累計(jì)出貨超過400萬顆，實(shí)現(xiàn)了我國DRAM產(chǎn)品零的突破。與國際同類產(chǎn)品14個(gè)電流指標(biāo)的對比測試結(jié)果表明，芯片電流消耗低將近1020%，具有明顯的低功耗特性。除此之外，在數(shù)字電視機(jī)頂盒等流域，也由于其低功耗特性，贏得了市場準(zhǔn)入。1998年，清華大學(xué)微電子所與大唐微電子合作開發(fā)的公用電話IC卡芯片通過信息產(chǎn)業(yè)部組織的技術(shù)鑒定，在市場上獲得了巨大成功，并獲得2001年國家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。經(jīng)過產(chǎn)學(xué)研結(jié)合及參研單位的共同努力，在電信智能卡技術(shù)上不斷進(jìn)步，形成了深厚的智能卡芯片專有技術(shù)積累，產(chǎn)生了一系列重大突破，為基于閃存的電信智能卡芯片的研發(fā)提供了強(qiáng)有力的技術(shù)保障?！盎陂W存的智能卡”專利獲得國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局和世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織的專利金獎(jiǎng)?！　≡诨陂W存的智能卡集成電路的攻關(guān)過程中，清華大學(xué)、大唐微電子和華虹NEC三家單位密切配合、共同努力，先后攻克了閃存型智能卡集成電路芯片總體架構(gòu)、低功耗控制、可靠性、芯片級和應(yīng)用級安全防護(hù)、新型智能卡片上操作系統(tǒng)（COS）、存儲(chǔ)空間動(dòng)態(tài)劃分與應(yīng)用部署、非揮發(fā)存儲(chǔ)單元浮柵關(guān)鍵技術(shù)、芯片抗靜電沖擊等關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化，形成了全產(chǎn)業(yè)鏈的配套生產(chǎn)能力，取得了一系列重大技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)化成績。而使用閃存則完全避免上述問題，是一個(gè)創(chuàng)新的智能卡芯片架構(gòu)。鑒于閃存的可靠性要低于ROM和EEPROM，承研單位在硬件的可靠性保障設(shè)計(jì)、COS的閃存操作控制、軟硬件容錯(cuò)控制等方面進(jìn)行專門設(shè)計(jì)，開發(fā)了高可靠的制造工藝，保證了COS運(yùn)行和數(shù)據(jù)存貯的可靠性。智能卡軟件采用了注冊表管理、數(shù)據(jù)斷點(diǎn)續(xù)傳、動(dòng)態(tài)劃分與存儲(chǔ)回收等技術(shù)，保證了動(dòng)態(tài)更新的安全性；　　。閃存的采用也使得存儲(chǔ)空間的動(dòng)態(tài)分配和管理成為可能?；陂W存的SIM卡技術(shù)有力地支持了電信運(yùn)營商在SIM卡上開發(fā)全球領(lǐng)先的創(chuàng)新型技術(shù)和服務(wù)，有力地支撐了我國電信業(yè)在該領(lǐng)域領(lǐng)先全球、引領(lǐng)國際同行的新業(yè)務(wù)發(fā)展；　　。IP核是SoC的重要組成部分，本項(xiàng)目實(shí)施過程中，依托自主的嵌入式閃存工藝，形成了系列化的閃存IP核，極大地方便了智能卡芯片研制過程，縮短了研制周期。到2011年，僅大唐微電子就利用這一技術(shù)累計(jì)生產(chǎn)智能卡約9億張，社?？?000萬張，產(chǎn)值累積約60億元；華虹NEC生產(chǎn)SIM卡芯片35億張，產(chǎn)值30億元，成為全球智能卡芯片最重要的供應(yīng)商。在SIM卡領(lǐng)域，全球超過80%的產(chǎn)品采用閃存技術(shù)生產(chǎn)智能卡?！　。┑诙用裆矸葑C芯片　　我國經(jīng)濟(jì)建設(shè)和社會(huì)發(fā)展中人流、物流、信息流日益活躍，居民身份證制度在證明公民合法身份、維護(hù)公民合法權(quán)益等方面的地位和作用越來越明顯和重要，而我國第一代居民身份證制作工藝較為簡單，科技含量較低，極易仿冒偽造，已遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能適應(yīng)經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展需要。二代身份證及其關(guān)鍵芯片需要具備可用性、高可靠性、高安全性和可生產(chǎn)性等特點(diǎn)，因此必須在掌握關(guān)鍵技術(shù)上有突破，才能滿足在全國范圍內(nèi)的發(fā)放和應(yīng)用任務(wù)?！　∪⒓呻娐分圃臁　〖呻娐肥切畔a(chǎn)業(yè)的核心，而制造工藝則是集成電路發(fā)展的基礎(chǔ)。華力微電子55nm工藝在2011年開始試流片，豐富了我國高端制造的產(chǎn)業(yè)版圖。在以上研究的基礎(chǔ)上，從2003年起，國家“863”計(jì)劃實(shí)施了重大專項(xiàng)課題《》，北京大學(xué)、浙江大學(xué)、西安電子科大、清華大學(xué)、中科院微電子所和中芯國際等在相關(guān)領(lǐng)域具有研究基礎(chǔ)和研發(fā)優(yōu)勢的單位合作，組成了產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，在90nm65nmCMOS大生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)方面開展多方位的研究，重點(diǎn)研究和解決90nm65nmCMOS大生產(chǎn)關(guān)鍵工藝技術(shù)中需要攻克的技術(shù)難題和核心工藝。通過將193nm光刻和等離子體（Plasma）刻蝕技術(shù)引入到微細(xì)加工工藝模塊技術(shù)中，成功開發(fā)出柵長為50nm、剖面的陡度大于89度，整體CD均勻性小于4nm，源漏區(qū)(S/D)硅損失小于1nm的多晶硅柵圖形，可以滿足90nm65nm大生產(chǎn)技術(shù)的需求；②EOT。通過工藝集成創(chuàng)新，成功解決了工藝和材料兼容以及可靠性等難題后，完成了90nm大生產(chǎn)技術(shù)的集成和工藝整合，180。所開發(fā)的主要模型都經(jīng)過了大生產(chǎn)工藝的驗(yàn)證，其中部分模型已經(jīng)被中芯國際在大生產(chǎn)中采用，另一部分被應(yīng)用到相關(guān)技術(shù)的開發(fā)和應(yīng)用中?！　?. 在65nm大生產(chǎn)關(guān)鍵工藝技術(shù)研究方面：基于大生產(chǎn)技術(shù)的需求，通過技術(shù)創(chuàng)新和集成創(chuàng)新，開發(fā)了包括超薄SiON柵和高K/金屬柵集成制備技術(shù),提出并成功開發(fā)了基于兩步退火工藝的新型Ni系自對準(zhǔn)硅化物淺結(jié)工藝技術(shù),通過技術(shù)、工藝、材料等方面的集成創(chuàng)新，成功地開發(fā)了包括覆蓋層誘導(dǎo)的NMOS和GeSi源漏結(jié)構(gòu)誘導(dǎo)的PMOS應(yīng)力硅新技術(shù)，采用沉積加刻蝕多次重復(fù)等方法，開發(fā)了滿足65nm技術(shù)需求的微細(xì)加工技術(shù)、低K介質(zhì)材料的CVD淀積技術(shù)。　?。ǘ┘夹g(shù)成果的取得，極大地推動(dòng)了集成電路制造業(yè)的發(fā)展　　1. 成功開發(fā)了90nm65nmCMOS集成電路大生產(chǎn)設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)平臺(tái)，使我國集成電路制造技術(shù)水平獲得了34代的技術(shù)跨越，成為掌握當(dāng)前國際先進(jìn)集成電路大生產(chǎn)工藝制造技術(shù)的少數(shù)國家和地區(qū)之一，將為我國集成電路工藝、設(shè)計(jì)、設(shè)備、材料等技術(shù)的研發(fā)和高端集成電路產(chǎn)品的開發(fā)提供了開放的技術(shù)平臺(tái)?！　?. 自主開發(fā)的90nm和65nmCMOS集成電路大生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)工藝平臺(tái)，已經(jīng)成為我國新一代集成電路技術(shù)包括工藝、設(shè)計(jì)、設(shè)備、材料等技術(shù)和高端集成電路產(chǎn)品研發(fā)開放的產(chǎn)學(xué)研研發(fā)平臺(tái)。多項(xiàng)國家重大項(xiàng)目如“973”和“863”項(xiàng)目也基于該工藝平臺(tái)，開展了面向新一代技術(shù)和產(chǎn)品的研究和開發(fā)，如3G移動(dòng)通訊、HDTV、新型RRAM和PRAM存儲(chǔ)技術(shù)等，這為我國在參與未來集成電路和信息技術(shù)領(lǐng)域的國際競爭中占得先機(jī)和有利地位，奠定了基礎(chǔ)?！　摹笆濉遍_始，在國家“863”計(jì)劃和國家科技重大專項(xiàng)支持了多項(xiàng)特色工藝的課題。該方法通過淀積氧化層和選擇性回刻，實(shí)現(xiàn)了電感下方氧化層的局部增厚，避免了全局增加介質(zhì)厚度的限制和風(fēng)險(xiǎn)。其結(jié)構(gòu)和工藝完全兼容于LDMOS器件，；　?。?）研制了SOILDDNMOS器件。典型字節(jié)編程速度為8V/10ms，塊擦除速度為5ms，擦寫疲勞可靠性105擦寫循環(huán)，室溫和150℃下數(shù)據(jù)保持可靠性10年。s，讀取速度40ns。　　　　　　　　 　　　　四、集成電路封裝　　近十年來，我國集成電路封裝產(chǎn)業(yè)始終保持著強(qiáng)勁的增長勢頭。長三角洲地區(qū)仍是外資、臺(tái)資封裝測試企業(yè)在中國大陸的主要聚集地，但近幾年來，因土地、人力、能源等運(yùn)營成本不斷提升，對外資封測企業(yè)的吸引力在減弱。表1是國內(nèi)集成電路封裝測試業(yè)統(tǒng)計(jì)表，表2是國內(nèi)封裝測試企業(yè)的地域分布情況。同時(shí)，因黃金、銅等有色金屬價(jià)格的不斷攀升，合金絲（金基、非金基）及矩陣式框架等低成本技術(shù)的研究日趨活躍，部分批量生產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)趨于成熟，各公司正大力推廣此類降低成本的技術(shù)，以保證企業(yè)有足夠的市場競爭力。在中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國電子報(bào)等聯(lián)合舉辦的“第五屆（2010年度）中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”評選活動(dòng)中，長電科技、通富微電等單位的四項(xiàng)技術(shù)成功入選。SiP和SoC兩者的充分結(jié)合將是未來高附加值集成電子產(chǎn)品的主要解決方案?！　】上驳氖牵趪蚁嚓P(guān)政策的支持下，尤其是2009年以來在國家科技重大專項(xiàng)（如02專項(xiàng)）的支持下，國內(nèi)骨干的集成電路封裝企業(yè)（如長電科技、南通富士通、天水華天、華潤安盛等）在先進(jìn)封裝技術(shù)的開發(fā)、儲(chǔ)備、應(yīng)用上得到了長足發(fā)展，在某些方面開始對國際封裝企業(yè)巨頭開始形成了挑戰(zhàn)。中興通訊、華為技術(shù)、聯(lián)想科技等大型終端產(chǎn)品企業(yè)對SiP技術(shù)的也有較多需求?！　鴥?nèi)骨干封裝企業(yè)近年來發(fā)展迅速，在先進(jìn)封裝技術(shù)開發(fā)上投入了大量的力量，在圓片級凸點(diǎn)技術(shù)、應(yīng)用于CMOSImageSensor封裝的TSV技術(shù)等方面已經(jīng)具備了和世界級封裝企業(yè)競爭的實(shí)力，正處在“全面趕上、局部突破”的關(guān)鍵發(fā)展階段?！　￠L電科技目前的主要SiP封裝產(chǎn)品為存儲(chǔ)卡、智能卡、安全芯片、MEMS和DDR內(nèi)存驅(qū)動(dòng)等，其在2010年給國民技術(shù)設(shè)計(jì)的用于移動(dòng)支付的RFIDmicroSD卡，集成了6顆芯片、20顆電容電阻和晶振，已經(jīng)可以量產(chǎn)?！　≡谙冗M(jìn)封裝技術(shù)方面，國內(nèi)多家大學(xué)和研究所在金屬基封裝材料、無鉛焊料性能與機(jī)理、封裝的仿真與模擬等方面開展了基礎(chǔ)性和應(yīng)用性的研究?！凹呻娐犯呙芏确庋b國家工程實(shí)驗(yàn)室”（發(fā)改委支持）、“集成電路封測產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟”（02專項(xiàng)支持）、“中科華天西鈦先進(jìn)封裝聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”（企業(yè)支持）、TSV聯(lián)合攻關(guān)體（企業(yè)支持）等聯(lián)合機(jī)構(gòu)的建立，是研究機(jī)構(gòu)（研究所、大學(xué)）在系統(tǒng)級封裝的研究為產(chǎn)業(yè)服務(wù)的表現(xiàn)。來源:中國半導(dǎo)體行業(yè)信息網(wǎng)37 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