【正文】 saction” 是為解決 PCI 2 1 總線的兼容問題而設(shè)，理論上設(shè)為“Enabled” 可使用 PCI 2 1 標(biāo)準(zhǔn)卡，但如 設(shè)為 “Enabled” 可能會出現(xiàn) PCI 2 1 設(shè)備與普通 PCI 和 ISA 設(shè)備之間的兼容問題，所以一般推薦設(shè)成 “Disabled” 。 “PM Control by APM” 的意思是將能源管理交給系統(tǒng)（指 WIN 9x）的 APM（ “ 高級能源管理 ” 的英文縮寫 )，可根據(jù)用戶意愿分別設(shè)為 “Yes” 或 “No” ，但交予系統(tǒng)管理要更好些。 “HDD Power Down” 項設(shè)置硬盤自動停轉(zhuǎn)時間，可設(shè)置在 1 至 15 分鐘之間，或設(shè)為“Disabled” 關(guān)閉硬盤自動停轉(zhuǎn)。 “System After AC Back” 項設(shè)置電腦在交流電斷電后又恢復(fù)時的狀態(tài)，可設(shè)為 “ 斷電/Soft－ off” 、 “ 開機(jī) /Full On” 、 “Memory By S/W” 和 “Memory By H/W” 三項，按國內(nèi)使用情況一般都設(shè)為停電后再恢復(fù)供電時電腦不自動開機(jī)，即設(shè)為 “ 斷電 /Soft－ off” 。 “Resume by Alarm” 項用于定時開機(jī)，設(shè)置的時間可定在每月某日（ 00～ 31）某時某分某秒（ 00～ 23： 00～ 59： 00～ 59），但需要主板和其它硬件支持。 “Resources Controll ed By” 項用于設(shè)置外設(shè)和板卡的資源管理，如果設(shè)為 “AUTO”交 BIOS 或操作系統(tǒng)自動管理時的設(shè)置內(nèi)容很少；但設(shè)為 “Manual” 交用戶自己管理時須設(shè)置的內(nèi)容很多，此時要求用戶必須具有較高的電腦應(yīng)用水平，否則容易設(shè)置不當(dāng)，造成設(shè)備資源使用沖突，所以一般都設(shè)為 “AUTO” 。 BIOS 預(yù)設(shè)值 第 6 項 “LOAD BIOS DEFAULTS” 和第 7 項 “LOAD PERFORMANCE DEFAULTS” 中的內(nèi)容和設(shè)置以前已經(jīng)介紹過，此處不再重復(fù)。其中兩個串口可根據(jù)用戶實際使用情況，分別對 COM1（ Onboard serial port 1）、 COM2（ Onboard serial port 2）和并口（ Onboard Parallel port）的具體 I/O 地址和 IRQ 參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，一般是在串口使用與其它設(shè)備出現(xiàn)資源沖突時進(jìn)行調(diào)整。 “Keyboard Power On” 也可同樣如此進(jìn)行。 第三節(jié) 開機(jī)自檢響鈴代碼 常見的兩種 BIOS（ AMI BIOS 和 Award BIOS）開機(jī)自檢響鈴代碼的具體含義（關(guān)于電腦使用的 BIOS 型號可從 BIOS 芯片上或者從開機(jī)自檢的信息中看到，如看到 AMI 的字樣則為AMI BIOS；如看到 Award 字樣則為 Award BIOS）。 1 長 1 短： RAM 或主板出錯。檢查主板。重插內(nèi)存條，若還是不行，只有更換一條內(nèi)存。 無聲音無顯示：電源有問題。在 CMOS Setup 中將內(nèi)存關(guān)于 ECC 校驗的選項設(shè)為 Disabled就可以解決，不過最根本的解決辦法還是更換一條內(nèi)存。 5 短：中央處理器（ CPU）錯誤。顯示內(nèi)存有問題，更換顯卡試試。 1 長 8 短：顯示測試錯誤。一般以 Award和 AMI 公司的 BIOS 居多。接下來系統(tǒng)會提示你是否進(jìn)行刷新 BIOS，回答“ Y”。在了解計算機(jī)的同時，內(nèi)存也受到了極大的關(guān)注。 SDRAM（ Synchronous DRAM）的中文名字是 “ 同步動態(tài)隨機(jī)存儲器 ” ，這就是目前主推的 PC100 和 PC133 規(guī)范所廣泛使用的內(nèi)存類型，它的帶 寬為 64bit， V 電壓，目前產(chǎn)品的最高速度可達(dá) 5ns。 DDR 不支持 電壓的 LVTTL，而是支持 的 SSTL2 標(biāo)準(zhǔn)。它具有相對 SDRAM 較高的工作頻率（不低于 300MHz），但其數(shù)據(jù)通道接口帶寬較低，只有 16bit，當(dāng)工作時鐘為 300MHz 時， Rambus 利用時鐘的上沿和下沿分別傳輸數(shù)據(jù)，因此它的數(shù)據(jù)傳輸率能達(dá)到 300x16x2/8=，若是兩個通道，就是 。 DRDRAM 要求 RIMM 中必須都插滿，空余的插槽中必須插上傳接板（也叫終結(jié)器）。在實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r， VCM 還維持著與傳統(tǒng) SDRAM 的高度兼容性，所以通常也把 VCM 內(nèi)存稱為 VCM SDRAM。數(shù)字越小說明 SDRAM芯片所能運行的頻率就越高。 tAC（ Access Time from CLK）是最大 CAS 延遲時的最大數(shù)輸入時鐘， PC100 規(guī)范要求 在 CL=3 時 TAC 不大于 6ns。比如一種 LG 的 PC100 SDRAM，它芯片上的標(biāo)識為 7J 或 7K，這代表了它的存取時間為 7ns。）在 SDRAM 的制造過程中，可以將這個特性寫入 SDRAM的 EEPROM （就是 SPD）中，在開機(jī)時主板的 BIOS 就會檢查此項內(nèi)容，并以 CL=2 這一默認(rèn)的模式運行。對于將 PC100、 PC133 內(nèi)存只使用在 66MHz或 100MHz 總線下的朋友，強(qiáng)烈建議你們將 CAS Latency 的數(shù)值設(shè)為 2，這樣你的內(nèi)存無疑會有更好的性能。對于一片普通的 PC100 SDRAM 來說，它芯片上的標(biāo)識 10代表了它的運行時鐘周期為 10ns，即可以在 100MHZ 的外頻下正常工作。目前大多數(shù) SDRAM 芯片的存取時間為 8 或 10ns。 CAS 的延遲時間。）在 SDRAM 的制造過程中，可以將這個特性寫入 SDRAM 的 EEPROM （就是 SPD）中，在開機(jī)時主板的 BIOS 就會檢查此項內(nèi)容，并以 CL=2 這一默認(rèn)的模式運行。關(guān)于總延遲時間的計算一般用這個公式：總延遲時間 =系統(tǒng)時鐘周期 *CL（ CAS Latency）模式數(shù) +存取時間，比如某 PC100內(nèi)存的存取時間為 6ns， 我們設(shè)定 CL 模式數(shù)為 2（即 CAS Latency=2），則總延遲時間=10ns*2+6ns=26ns。我們又將 8 個連續(xù)的比特叫做一個字節(jié)（ byte）。若其結(jié)果是奇數(shù)，校驗位就定義為 1，反之則為 0。如 8 位數(shù)據(jù)，則需 1 位用于 Parity 檢驗， 5 位用于 ECC，這額外的 5 位是用來重建錯誤的數(shù)據(jù)的。若工作正常時，你不會發(fā)覺你的數(shù)據(jù)出過錯，只有經(jīng)過內(nèi)存的糾錯后，計算機(jī)的操作指令才可以繼續(xù)執(zhí)行。當(dāng)開機(jī)時 PC 的 BIOS 將自動讀取 SPD 中記錄的信息，如果沒有 SPD，就容易出現(xiàn)死機(jī)或致命錯誤的現(xiàn)象。為了能夠適應(yīng) PC100 規(guī)范， SDRAM 作了許多的改進(jìn)，比如 6 層板設(shè)計與顆粒外圍之間的線寬、線距等必須嚴(yán)格要求。 PC133 PC100 規(guī)范的出臺，讓 CPU、內(nèi)存等各方面都又朝前跨了一步。很快，主板制造商們都在主板上安置了提供 133Mhz 的時鐘發(fā)生器，提供給那些想獲得更快速度的超頻者們。直到 Intel 正式宣布了 815/815E 主板控制芯片的發(fā)布，才算是從真正意義上支持了 133Mhz 的 CPU，此前的 810E 雖然也有說法支持 PC133，但是一直流于OEM 領(lǐng)域沒有被廣大臺灣廠商所肯定。但 Intel 的新規(guī)范的提出必然對大的 DRAM 生產(chǎn)者提出更高要求，也有利于 DRAM的科技進(jìn)步，免得流于泛泛。如果編號不熟悉的話，可以通過 SisoftSandra2020 來讀取內(nèi)存中的 SPD 信息，就可以很清楚的了解內(nèi)存的情況。在做工與制造工藝上的要求也是為了是只能達(dá)到一定的標(biāo)準(zhǔn)的必要條件。為了降低材料成本，一些廠商制造 SDRAM 內(nèi)存條使用的是 4 層 PCB 板而不是推薦的 6 層板或 8 層板。雖說 CAS 設(shè)為 3 時，系統(tǒng)的穩(wěn)定性可以得到進(jìn)一步加強(qiáng)，但標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)該是 2，而不是 3！ 對于 PC133 規(guī)范來說，它的進(jìn)一步要求是 tAC 不超過 、 tCK 不超過 （對于 PC100，這兩項都是 10ns）、穩(wěn)定的工作頻率為 133MHz，所以對于 PC133 SDRAM，若沒有特別標(biāo)明，大都是指 CAS Latency=3，如果在 CL 設(shè)為 跑 133MHz 的外頻時發(fā)生錯誤，就不要認(rèn)為這條內(nèi)存有問題，因為 PC133 的規(guī)范并不保證 CL 一定要等于 2，所以能不能在 150MHz（ CL=3）下穩(wěn)定運行，也是不確定的。 首先，是 PC 高性能的要求。例如，三維圖形設(shè)計人員在工作時需要高速的數(shù)據(jù)傳輸，但由于內(nèi)存性能的限制，導(dǎo)致數(shù)據(jù)交換阻塞，資源嚴(yán)重不足，從而造成死機(jī)等問題的出現(xiàn)，工作效率大大降低。 其次，是高技術(shù)使用的要求。而目前市場上的主流外頻內(nèi)存仍不能滿足這種需求。同任何商品一樣，當(dāng)一種品牌型號在市場上占領(lǐng)了主流地位的時候，也就到了必須推陳出新的時候，否則必然會被市場淘汰。PC 150 與 PC100 比較，工作效能提高 50%以上。 保證向下相容于 PC133/PC100/PC66 規(guī)范，讓使用者隨心所欲， 想超就超 。 通過以上分析，不難看出 KingMax TinyBGATM PC150 具有卓越的性能，是當(dāng)前不可多得的好部件。再有， PC150 規(guī)范并未形成，所以一些廠商標(biāo)榜自己的 PC150 內(nèi)存并非是如何正宗，只不過說明這款內(nèi)存大致上擁有 6ns 的技術(shù)而已。 測試平臺： CPU： PIII700（超頻到 933，外頻 133MHz，） 主板： DFI CS65EC 內(nèi)存：測試內(nèi)存 顯卡：小影霸 GTS 硬盤： WD 400BB 光驅(qū)：大白鯊 44X 軟驅(qū)： NEC 顯示器： 愛國者 777FD 測試環(huán)境： SISoftSandra 2020 Super PI Quake 3 ZD Winstone99 Windows 98 SE / 1024X768 / 16bit 正式版 顯卡驅(qū)動： nvidia 公版 版； Intel Chipset Software Installation Intel Ultra ATA Storage Driver 。這樣在 133 外頻的時候就出現(xiàn)問題的內(nèi)存，它的超頻性能我們也不能指望太多。 SPEEDY 256MB PC133 RUMBUS 首先，我們必須對 RUMBUS 內(nèi)存的發(fā)展及一些技術(shù)特點有一定的了解。 從發(fā)展階段而言， RUMBUS 內(nèi)存的發(fā)展歷經(jīng)了三個主要階段，第一代和第二代產(chǎn)品稱為 Base RUMBUS和 Concurrent RUMBUS，這一階段的內(nèi)存速度已達(dá)到 600MHz 的數(shù)據(jù)傳輸速率，被用于一些娛樂設(shè)施 (如 SONY PS2)，高端圖形工作站以及一些高性能的顯卡等。舉例來說，如果只使用一般的應(yīng)用程 序，如文字處理，我們不可能感覺到系統(tǒng)性能的明顯增強(qiáng)。下面是 RUMBUS 內(nèi) 存與 DDR 以及 SDRAM 內(nèi)存的技術(shù)參數(shù)的比較： 內(nèi)存類型 名稱 總線寬度 外頻時鐘 有效時鐘 帶寬 RDRAM PC800 2 Bytes 400 MHz 800 MHz GB/sec RDRAM PC700 2 Bytes 356 MHz 712 MHz RDRAM PC600 2 Bytes 266 MHz 532 MHz SDRAM PC133 8 Bytes 133 MHz 133 MHz SDRAM PC100 8 Bytes 100 MHz 100 MHz GB/sec DDR SDRAM PC266 or DDR133 8 Bytes 133 MHz 266 MHz DDR SDRAM PC200 or DDR100 8 Bytes 100 MHz 200 MHz GB/sec 可以看的出， 400MHz 的高速時鐘頻率使得數(shù)據(jù)有效傳輸速率達(dá)到 800Mbit/s(數(shù)據(jù)利用時鐘信號的上升和下降沿進(jìn)行傳輸 ,因此每時鐘周期傳輸 2bit 數(shù)據(jù) )。其又被稱為連接型 RIMM,它不附帶任何 RDRAM 器件，只用來插在空的 RUMBUS 內(nèi)存 插槽里作為連接器件。 RUMBUS 內(nèi)存擁有如此高的傳輸帶寬，高速的數(shù)據(jù)傳輸必然帶來大量的熱量。在 RUMBUS 內(nèi)存上，你不可能找到專門的檢錯芯片，因此從外觀上很難區(qū)分 ECC的 RUMBUS內(nèi)存和非 ECC 的 RUMBUS內(nèi)存，具有校驗功能的 RUMBUS內(nèi)存芯片是 18 位，而無校驗功能的普通 RUMBUS 內(nèi)存芯片是 16 位。選購帶有 ECC 功能的內(nèi)存無疑能獲得更佳的性能保證。當(dāng)然，其相對應(yīng)支持的 RUMBUS 的頻率是不同的，這一點大家在選購的時候必須注意。 而 840 主板支持不同的工作站配置：單處理器或雙處理器， 133MHz 或 100MHz 系統(tǒng)總線， PC600 或 PC800 RDRAM， AGP 4x 或 AGP Pro 50 圖形處理。按照價格來看，基本上 64MB 的 RUMBUS 價格在 350 元左右； 128MB 的不帶 ECC 的在 700 元左右，帶 ECC 的在 1300 元左右；而 256MB 的不帶 ECC 的則在 1800 元的水平。為此， Intel與很有實力的存儲芯片生產(chǎn)公司－ RamBus 結(jié)為聯(lián)盟，計劃全面支持 RamBus RDRAM。同樣這一次， DDR SDRAM 架構(gòu)在與 RAMBUS RDRAM 的較量中逐漸占據(jù)了上風(fēng)，得到了全球大多數(shù)半導(dǎo)體廠商的支持，其中就包括已拋棄 RAMBUS 架構(gòu)的 Intel 公司